在校正光刻掩模中使用掩模制造模型制造技术

光刻过程通过光刻掩模的设计和光刻配置的描述来描述，其可以包括光刻源、收集/照射光学器件、投影光学器件、抗蚀剂和/或后续制造步骤。实际的光刻过程使用从掩模设计制造的光刻掩模，该光刻掩模可以与标称掩模设计不同。掩模制造模型对从掩模设计制造光刻掩模的过程进行建模。通常，这是一种电子束(e

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】在校正光刻掩模中使用掩模制造模型
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年11月4日提交的美国临时专利申请号62/930134，“Simulated Lithography Mask in OPC Correction”的优先权，所有上述申请的主题通过引用以其整体并入本文。


[0003]本公开涉及光刻(又名光刻术)，并且更具体地，涉及对掩模制造进行建模以便改进光刻掩模的设计。

技术介绍

[0004]半导体晶片的制造中的一个步骤涉及光刻。在通常的光刻过程中，源产生光，光被收集/照射光学器件收集和引导以照射光刻掩模。投影光学器件将由被照射掩模产生的图案中继到晶片上，根据照射图案将晶片上的抗蚀剂曝光。然后将图案化的抗蚀剂用于在晶片上制造结构的过程中。
[0005]各种技术旨在改进光刻过程，包括光刻掩模的设计。在许多这些技术中，光刻掩模设计被用作一些过程模型的输入，然后该过程模型预测一些过程结果。该结果可以被用于修改光刻掩模的设计。在许多情况下，过程模型可以针对来自实际制造实验的数据进行回归。包含测试图本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，包括：访问用于在光刻过程中使用的光刻掩模设计，其中所述光刻过程使用从所述光刻掩模设计制造的光刻掩模；由处理器估计所述光刻过程的结果，其中估计所述结果是基于掩模制造模型的，所述掩模制造模型用于从所述光刻掩模设计制造所述光刻掩模；以及基于所估计的结果，对所述光刻掩模设计应用掩模校正。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻掩模是使用电子束过程来制造的；并且所述掩模制造模型考虑了电子束曝光掩模坯上的抗蚀剂、处理经曝光的抗蚀剂以形成图案化抗蚀剂、以及利用所述图案化抗蚀剂蚀刻所述掩模坯。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述光刻掩模是使用电子束过程来制造的；并且所述掩模制造模型考虑了用于制造所述光刻掩模的所述过程中的背散射电子、长程蚀刻效应、蚀刻偏置和微负载中的至少一项。4.根据权利要求1所述的方法，其中估计所述光刻过程的所述结果还基于一个或多个附加过程模型，并且包括：使用所述掩模制造模型来估计从所述光刻掩模设计制造的经印刷的掩模图案；以及使用所述经印刷的掩模图案作为所述一个或多个附加过程模型的输入，来估计所述光刻过程的所述结果。5.根据权利要求4所述的方法，其中所述光刻掩模设计由直线形状组成，并且所述经印刷的掩模图案包括弯曲形状。6.根据权利要求4所述的方法，其中所述掩模制造模型是基于针对经验数据的回归的，并且所述附加过程模型中的至少一个附加过程模型是基于针对不同经验数据的单独回归的。7.根据权利要求4所述的方法，其中所述掩模制造模型以一个比例被应用于估计所述经印刷的掩模图案，并且所估计的经印刷的掩模图案被缩小到较小比例以用作所述一个或多个附加过程模型的输入。8.根据权利要求1所述的方法，其中所述方法针对多次迭代被重复，并且在每次迭代时应用所述掩模制造模型。9.根据权利要求1所述的方法，其中所述掩模制造模型是基于高斯内核的。10.根据权利要求1所述的方法，其中估计所述光刻过程的所述结果还基于由所述掩模制造引起的所述光刻掩模设计的掩模误差校正。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述结果包括空间像、经印刷的晶片图...

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：美商新思科技有限公司，
类型：发明
国别省市：