在由不导电陶瓷材料制成的制品的表面上沉积装饰性和/或功能性金属层的方法技术

本发明专利技术涉及一种在由不导电陶瓷材料制成的成品或半成品制品的至少一部分表面上沉积装饰性和/或功能性层的方法，这种沉积方法包括下列操作：

【技术实现步骤摘要】
在由不导电陶瓷材料制成的制品的表面上沉积装饰性和/或功能性金属层的方法
[0001]本专利技术的

[0002]本专利技术涉及在由最初不导电的陶瓷材料(initially electrically non
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conductive ceramic material)制成的成品或半成品制品的至少一部分表面上通过电镀生长(galvanic growth)沉积装饰性和/或功能性金属层的方法。
[0003]本专利技术的技术背景
[0004]目前用于在由不导电材料如陶瓷制成的成品或半成品制品上通过电镀生长沉积装饰性和/或功能性层的技术在于首先至少在这种制品的表面的一部分上沉积粘附层(adhesion layer)，然后晶种层(seed layer)，两者都是导电的。通常通过物理气相沉积(也称为PVD的技术)制成的粘附层可例如由铬制成。在沉积粘附层后，沉积晶种层。使用与粘附层相同的技术或类似技术沉积的这种晶种层优选使用与用于生长装饰性或功能性层的材料相同的材料(例如金)制成。在沉积晶种层后，利用铬和金层的良好电导率在该制品的表面上通过电镀生长以本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在由最初不导电的陶瓷材料制成的成品或半成品制品的至少一部分表面上沉积装饰性和/或功能性层的方法，这种沉积方法包括下列操作：
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对所述制品的该至少一部分表面施以渗碳或渗氮处理，在此期间碳或氮原子在所述制品的该至少一部分表面中扩散，然后
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在已经过渗碳或渗氮处理的所述制品的该至少一部分表面上，通过金属材料的电镀生长沉积装饰性和/或功能性层。2.根据权利要求1的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于所述渗碳或渗氮处理在能够创建反应性气氛的等离子体反应器或热丝反应器中进行。3.根据权利要求2的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于在渗碳或渗氮步骤前，对所述成品或半成品制品的该至少一部分表面施以还原处理，在此期间从所述成品或半成品制品的该表面向其中心发生脱氧。4.根据权利要求2和3之一的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于当对所述制品施以等离子体渗碳处理时，将所述制品引入反应器，在其中创建至少部分真空，然后创建由氢气、中性气体和痕量碳的混合物的电离获得的等离子体。5.根据权利要求4的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于用于形成等离子体的痕量碳获自烃或此类烃的混合物。6.根据权利要求5的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于所述烃选自乙烷、甲烷和乙炔。7.根据权利要求4至6之一的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于所述中性气体是氩气。8.根据权利要求4至7之一的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于所述制品在由等离子体创建的反应性气氛中保持在15至240分钟之间的持续时间的持续时间，优选等于150分钟的持续时间。9.根据权利要求4至8之一的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于在等离子体渗碳处理的过程中所述制品的平均温度在600℃至1300℃之间不等。10.根据权利要求2和3之一的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于当对所述制品施以等离子体渗氮处理时，将所述制品引入反应器，在其中创建至少部分真空，然后创建由氢气、中性气体和氮气的混合物的电离获得的等离子体。11.根据权利要求10的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于所述中性气体是氩气或氖气。12.根据权利要求10至11之一的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于所述制品在由等离子体创建的反应性气氛中保持在15至240分钟之间的持续时间，优选等于150分钟的持续时间。13.根据权利要求10至12之一的沉积装饰性和/或功能性层的方法，其特征在于在等离子体渗氮处理的过程中建立在500至900℃之间的所述制品的平均温度。14....

【专利技术属性】
技术研发人员：L，
申请(专利权)人：斯沃奇集团研究和开发有限公司，
类型：发明
国别省市：