【技术实现步骤摘要】
用于半导体装置的高电压隔离装置
[0001]本技术大体上涉及半导体装置，且更特定来说，涉及用于半导体装置的高电压隔离装置。
技术介绍
[0002]半导体装置广泛用于存储与各种电子装置(例如计算机、无线通信装置、相机、数字显示器及类似物)相关的信息。信息通过编程存储器单元的不同状态来存储。存在各种类型的半导体存储器装置，例如非易失性存储器装置(例如NOR快闪存储器装置、3维NAND快闪存储器装置等)及易失性存储器装置(例如动态RAM(DRAM)、同步动态RAM(SDRAM)等)。
[0003]改进存储器装置大体上可包含提高存储器单元密度、提高读取/写入速度或否则减少操作延时、提高可靠性、增加数据保持、降低功率消耗、减小由集成电路系统占据的面积或降低制造成本以及其它度量。降低制造成本的一种方式是改进制造过程以增加成功制造装置的边际。制造商可通过实施例如增加制造步骤(例如材料的移除或沉积)的一致性或公差、扩大制造规模、减小存储器单元之间的可变性等的过程来改进制造边际。
技术实现思路
[0004]一方面，本公...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其包括：有源区，其包含具有一或多个源极触点的中间区域及具有单列位线触点的外区域；多个交指型有源沟道，其包含：1)多个第一有源沟道，其连接到所述外区域的边缘，其中所述第一有源沟道中的每一者与对应位线触点对准且在正交于所述单列位线触点的第一方向上延伸；及2)多个第二有源沟道，其与所述外区域的所述边缘间隔开，其中所述第二有源沟道平行于所述第一有源沟道，使得个别第一有源沟道与个别第二有源沟道交替；及共同栅极，其在所述多个交指型有源沟道之上，所述共同栅极在平行于所述单列位线触点的第二方向上延伸且经配置以与所述多个交指型有源沟道耦合。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个第二有源沟道在所述第二方向上相对于所述多个第一有源沟道偏移一距离，所述距离对应于所述第一有源沟道的间距的一半。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第一及第二有源沟道具有正交于所述第一方向的宽度，所述宽度对应于所述半导体装置的最小特征大小。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：栅极电介质材料，其在所述共同栅极与所述多个交指型有源沟道之间，所述栅极电介质材料的厚度支持所述半导体装置的相对低电压操作。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其进一步包括：多个第一触点，其各自经定位于所述第一有源沟道的第一端部中，所述第一端部与所述对应位线触点对置；及多个第二触点，其各自经定位于所述第二有源沟道的第二端部中，所述第二端部接近于所述外区域的所述边缘。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中：个别第一触点经连接到所述半导体装置的对应第一页面缓冲器；且个别第二触点经连接到所述半导体装置的对应第二页面缓冲器。7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述共同栅极经定位于所述多个第一触点与所述多个第二触点之间。8.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述共同栅极包括：直部，其具有正交于所述第二方向的宽度；多个第一区段，其从所述直部的第一边缘平行于所述第一方向延伸一距离，其中个别第一区段经定位于对应第一有源沟道上方；及多个第二区段，其从所述直部的第二边缘平行于所述第一方向延伸所述距离，所述第二边缘与所述第一边缘对置，其中个别第二区段经定位于对应第二有源沟道上方。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述距离与所述宽度的组合确定所述第一及第二有源沟道的电沟道长度。10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：个别第一区段远离所述有源区的所述外区域的所述边缘延伸；且个别第二区段朝向所述有源区的所述外区域的所述边缘延伸。11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：个别第一区段朝向所述有源区的所述外区域的所述边缘延伸；且
个别第二区段远离所述有源区的所述外区域的所述边缘延伸。12.根据权利要求8所述的半导体装置，其中：一或多个第一触点经定位于所述共同栅极的两个相邻第二区段之间；且一或多个第二触点经定位于所述共同...
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