半导体光元件及其制造方法技术

本发明专利技术提供具有稳定的特性的衍射光栅且机械性强度较高的半导体光元件及其制造方法。所述半导体光元件具备：衬底，其具有硅的导波路；以及半导体层，其以重叠于所述导波路之上的方式接合于所述衬底，且具有由折射率互不相同的第一半导体层以及第二半导体层形成的衍射光栅，所述导波路包含：弯曲部；以及多个直线部，它们经由所述弯曲部而彼此连接并呈直线状延伸，所述第一半导体层以及所述第二半导体层由化合物半导体形成，多个所述第二半导体层埋入到所述第一半导体层中，并沿所述直线部的延伸方向排列，所述衍射光栅位于所述多个直线部之上。之上。之上。

【技术实现步骤摘要】
半导体光元件及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体光元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]已知有将由化合物半导体形成的发光元件与形成导波路的SOI(Silicon On Insulator，绝缘体上硅芯片)衬底(硅光子)接合而形成的半导体光元件(例如非专利文献1)。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1：B.Corbett et al.“Transfer
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printing for heterogeneous integration”OFC 2019M2D.1，2019

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的问题
[0007]能够通过衍射光栅控制光的波长。例如在SOI衬底的硅(Si)上设置作为衍射光栅而发挥功能的凹凸。衍射光栅的特性由凹凸的深度决定。然而，由于Si和空气的折射率之差较大，因此衍射光栅的特性会因凹凸的深度的偏差而变化较大。
[0008]也可以将形成衍射光栅的化合物半导体的元件接合于SOI衬底上。由于化合物半本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体光元件，其特征在于，所述半导体光元件具备：衬底，其具有硅的导波路；以及半导体层，其以重叠于所述导波路之上的方式接合于所述衬底，且具有由折射率互不相同的第一半导体层以及第二半导体层形成的衍射光栅，所述导波路包含：弯曲部；以及多个直线部，它们经由所述弯曲部而彼此连接并呈直线状延伸，所述第一半导体层以及所述第二半导体层由化合物半导体形成，多个所述第二半导体层埋入到所述第一半导体层中，并沿所述直线部的延伸方向排列，所述衍射光栅位于所述多个直线部之上。2.根据权利要求1所述的半导体光元件，其特征在于，所述多个第二半导体层横跨所述多个直线部。3.根据权利要求1或2所述的半导体光元件，其特征在于，所述衍射光栅包含多个部分衍射光栅，所述多个部分衍射光栅沿所述直线部排列。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，所述衍射光栅包含多个部分衍射光栅，所述多个部分衍射光栅沿所述直线部周期性排列，形成SG
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DBR。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，所述第一半导体层包含磷化铟，所述第二半导体层包含镓铟砷磷。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体光元件，其特征在于，所述多个直线部彼此沿相同方向延伸。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：平谷拓生，八木英树，藤原直树，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：