【技术实现步骤摘要】
制备具有不同深度沟槽器件的方法及系统
[0001]本申请涉及信息
，尤其涉及一种制备具有不同深度沟槽器件的方法及系统。
技术介绍
[0002]随着集成电路和微电子技术的不断发展，半导体器件的尺寸变得越来越小，结构越来越复杂，同时也要求半导体加工工艺可以满足高精度和低成本。在微电子机械系统(micro
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electromechanical system，MEMS)，集成电路，掩模板制作和数据存储等应用中，通常需要制备不同深度的沟槽来实现器件隔离、连接导通、数据存储等各种定制化需求。
[0003]目前的加工工艺多采用多次光刻曝光
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多次刻蚀来实现不同深度沟槽的制备。
[0004]光刻这一步在半导体制成工艺中占成本比例很高，为获取不同深度的沟槽需要多次光刻曝光
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多次刻蚀来实现，成本较高。
技术实现思路
[0005]本申请实施例提供了一种制备具有不同深度沟槽器件的方法及系统，用于减少光刻操作的次数，降低生产成本。
[0006]本申请...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备具有不同深度沟槽器件的方法，其特征在于，包括：以第一剂量的粒子束曝光处理衬底材料中第一区域表面的保护材料，曝光厚度为第一厚度；以第二剂量的粒子束曝光处理所述衬底材料中第二区域表面的保护材料，曝光厚度为第二厚度，所述第一厚度大于所述第二厚度，所述曝光处理后的保护材料作为掩膜用于对所述衬底材料进行刻蚀，以得到位于所述第一区域的第一沟槽和位于所述第二区域的第二沟槽，所述第一沟槽的深度大于所述第二沟槽的深度。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护材料包括第一保护材料和第二保护材料，所述第二保护材料位于所述衬底材料和所述第一保护材料之间。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一厚度为所述第一保护材料的厚度和第二保护材料的厚度之和，所述第二厚度大于或等于所述第一保护材料的厚度。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二厚度等于所述第一保护材料的厚度；所述方法还包括：以显影液溶解所述第一区域表面经曝光处理后变性的第一保护材料和变性的第二保护材料，以及所述第二区域表面经曝光处理后变性的第一保护材料；以曝光处理后经所述显影液溶解的保护材料为掩膜刻蚀所述衬底材料，以获取所述第一沟槽和所述第二沟槽。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二厚度大于所述第一保护材料的厚度；所述方法还包括：以显影液溶解所述第一区域表面经曝光处理后变性的第一保护材料和变性的第二保护材料，以及所述第二区域表面经曝光处理后变性的第一保护材料；以曝光处理后经所述显影液溶解的保护材料为掩膜刻蚀所述衬底材料，至刻蚀后所述第一区域的沟槽的深度为所述第一沟槽的深度与所述第二沟槽的深度之差；以等离子体溶解所述第二区域的第二保护材料至暴露所述衬底材料；以经所述等离子体溶解的保护材料为掩膜刻蚀所述衬底材料，至获取所述第一沟槽和所述第二沟槽。6.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二厚度大于所述第一保护材料的厚度；所述方法还包括：以第一显影液溶解所述第一区域表面经曝光处理后变性的第一保护材料和变性的第二保护材料，以及所述第二区域表面经曝光处理后变性的第一保护材料；刻蚀所述衬底材料至刻蚀后所述第一区域的沟槽的深度为所述第一沟槽的深度与所述第二沟槽的深度之差；以第二保护材料填充刻蚀形成的沟槽；以第二显影液溶解未变性的第二保护材料，至暴露所述第一区域和所述第二区域的衬
底材料；刻蚀所述衬底材料至获取所述第一沟槽和所述第二沟槽。7.根据权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，所述保护材料包括至少两层保护材料，所述保护材料的层数与沟槽深度集合中元素的数量一致，所述沟槽深度集合为所述沟槽器件中所有沟槽的深度构成的集合。8.根据权利要求1至7中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一剂量的粒子束和所述第二剂量的粒子束在曝光强度和/或曝光时长方面具有差异。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其特征在于，所述保护材料包括以下一种或多种：光刻胶、电子束抗蚀剂、金属、氧化物或氮化物，所述保护材料的刻蚀速率与所述衬底材料的刻蚀速率不同。10.根据权利要求1至9中任一项所述的方法，其特征在于，所述衬底材料包括硅、氧化硅、氮化硅、氮化硼、蓝宝石或玻璃。11.根据权利要求4至10中任一项所述的方法，其特征在于，所述刻蚀包括干法刻蚀或湿法刻蚀。12.一种生产具有不同深度沟槽器件的系统，其特征在于，包括：曝光模块，用于以第一剂量的粒子束曝光处理衬底材料中第一区域表面的保护材料，曝光厚度为第一厚度；所述曝光模块，还用于以第二剂量的粒子束曝光处理所述衬底材料中第二区域表面的保护...
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