一种检测方法及检测电路技术

本发明专利技术公开了一种检测方法及检测电路，涉及电路领域，所述方法包括：在功率场效应管导通时，利用漏源级电压检测电路检测已导通的所述功率场效应管的漏源极电压；利用分压电路，对已导通的所述功率场效应管的漏源极电压进行分压，得到第一分压电压；利用比较电路，比较所述第一分压电压与第一预设参考电压，并根据比较结果确定已导通的所述功率场效应管是否发生过流事件，以便在确定所述功率场效应管发生过流事件时由控制电路控制已导通的所述功率场效应管关断。本发明专利技术实施例通过漏源级电压检测电路检测所述功率场效应管导通时的漏源极电压，进而判断是否发生过流事件，检测速度快，能够有效保护所述功率场效应管。能够有效保护所述功率场效应管。能够有效保护所述功率场效应管。

【技术实现步骤摘要】
一种检测方法及检测电路


[0001]本专利技术涉及电路领域，尤其涉及一种检测方法及检测电路。

技术介绍

[0002]在一些功率变换器中，检测MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金属-氧化物半导体场效应管)是否过流通常需要在电路中串联检测电阻或互感器进行采样检测，以避免电路过流损坏，这种方法检测延迟较大，有时不能有效保护作为开关管的场效应管。
[0003]功率变换器中用ZVS(Zero Voltage Switch，零电压切换)来实现MOSFET的开通，与传统的硬开关功率变换器相比，使用ZVS可以提高变换器效率，ZVS开通通常在MOSFET的体二极管或者并联的二极管有正向电流流通时，可以将MOSFET电压钳位在1V左右，电压足够小，可以认为是零压点，在零压点开通有接近零的开通损耗。但是ZVS电路不总是能实现零压开通，要实现零压开通需要电路桥臂上下管的驱动信号有足够的死区时间，死区时间一般依靠经验设计固定值，在电路中电流较小时，死区时间要较大，由于电路参数差异性，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种检测方法，其特征在于，所述方法包括：在功率场效应管受控于其连接的控制电路而导通时，利用与所述功率场效应管连接的漏源级电压检测电路检测已导通的所述功率场效应管的漏源极电压；利用与所述漏源级电压检测电路连接的分压电路，对已导通的所述功率场效应管的漏源极电压进行分压，得到第一分压电压；利用与所述分压电路连接的比较电路，比较所述第一分压电压与第一预设参考电压，并根据比较结果确定已导通的所述功率场效应管是否发生过流事件，以便在确定所述功率场效应管发生过流事件时由与所述比较电路连接的控制电路控制已导通的所述功率场效应管关断。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在所述功率场效应管关断时，利用所述漏源级电压检测电路检测已关断的所述功率场效应管的漏源极电压；利用所述分压电路，对已关断的所述功率场效应管的漏源极电压进行分压，得到第二分压电压；利用所述比较电路，比较所述第二分压电压与第二预设参考电压，并根据比较结果确定已关断的所述功率场效应管是否满足零压开通条件，以便在确定已关断的所述功率场效应管满足零压开通条件时由所述控制电路控制已关断的所述功率场效应管导通。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在预设的最大死区时间到达时，若根据所述比较结果确定已关断的所述功率场效应管仍不满足零压开通条件，则所述控制电路控制已关断的所述功率场效应管导通。4.根据权利要求1-3任意一项所述的方法，其特征在于，漏源级电压检测电路包括第一二极管，所述第一二极管的阴极连接所述功率场效应管的漏极，所述第一二极管的阳极连接所述分压电路。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述分压电路包括：第一分压支路，包括并联的第二二极管和第三电阻，所述第二二极管阴极通过第一电阻连接工作电源；第二分压支路，包括并联的第一电容、第五电阻、以及一个或多个由第四电阻和检测开关组成的串联支路，其一端连接所述第二二极管的阳极和所述比较电路，其另一端接地；其中，在所述功率场效应管导通时，所述控制电路控制所述检测开关关断；在所述功率场效应管关断时，所述控制电路控制所述检测开关导通。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述比较电路包括：比较器，其正向输入端接入预设参考电压，其反向输入端在所述功率场效应管导通时接入所述第一分压电压，在所述功率场效应管关断时接入所述第二分压电压；其中，所述第一预设参考电压和所述第二预设参考电压相同，均为所述预设参考电压。7.根据权利要求4所述的方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：李志坚，
申请(专利权)人：中兴通讯股份有限公司，
类型：发明
国别省市：