一种抛光片及其制备方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种抛光片及其制备方法和应用，所述抛光片包括层叠设置的基底层和磨料层，所述磨料层的固化程度为20～50％。本发明专利技术中的抛光片通过调节磨料层的固化程度来控制研磨抛光过程中磨料粒子均匀脱落，使其具备良好的自锐性和耐磨性，抛光片的有效使用寿命得到提高，且连接器抛光后的插接端部的抛光质量高，光纤短缩距离3D数值的绝对值小，连接器插损性能好；另外，通过采用不同平均粒径的粗粉和细粉进行搭配，可以使抛光片保持合适磨削力的同时还能避免抛光过程中磨料粒子坍塌，从而确保插接端部的抛光质量。确保插接端部的抛光质量。

【技术实现步骤摘要】
一种抛光片及其制备方法和应用


[0001]本专利技术属于材料领域，具体涉及一种抛光片及其制备方法和应用。

技术介绍

[0002]在光通讯领域中，光纤连接器作为组成光通讯系统的重要部件而被广泛应用。在实际使用中，光纤连接器的插接端部质量对光信号的传输质量有着巨大影响，通常在使用前需要对光纤连接器的插接端部进行研磨抛光。
[0003]现有技术通常采用抛光片来实现对插接端部的研磨抛光。抛光片通常包括基底层和涂覆于基底层上的磨料层；磨料层作为功能层，实现对光纤连接器端部的研磨抛光。磨料层的组成通常包括诸如金刚石、二氧化硅、氧化铝等磨料粉和树脂胶粘剂，磨料粒子通过树脂胶黏剂相互粘结并堆积成多层结构。在研磨抛光过程中，随着抛光片的使用次数增加，磨料粒子从最外层开始脱落。现有的抛光片常常存在磨料粒子脱落不均匀的问题，导致插接端部的抛光质量差，特别是同一抛光片上进行抛光的连接器的光纤短缩距离3D数值超范围，严重影响连接器的插损性能。其中光纤短缩距离是指：连接器插接端部的光纤端面至插芯端面的距离即为光纤短缩距离；当光纤凸出于插芯内孔中时，3D数值为正，当光纤凹陷入插芯内孔中时，3D数值为负。

技术实现思路

[0004]为了克服上述现有技术存在的问题，本专利技术的目的之一在于提供一种抛光片。
[0005]本专利技术的目的之二在于提供一种抛光片的制备方法。
[0006]本专利技术的目的之三在于提供一种抛光片在抛光设备或光纤连接器的插接端部抛光中的应用。
[0007]为了实现上述目的，本专利技术所采取的技术方案是：
[0008]本专利技术的第一个方面在于提供一种抛光片，包括层叠设置的基底层和磨料层，所述磨料层的固化程度为20～50％。如果磨料层的固化程度低于20％，则磨料层上的磨料粒子极易脱落且脱落不均匀，会使采用该抛光片抛光的连接器的光纤短缩距离3D数值超出达标范围，导致抛光片的寿命短和抛光效果差；如果磨料层的固化程度高于50％，则磨料粒子难脱落，插芯端面和光纤端面与磨料粒子的相互作用力过大，容易造成插芯端面和光纤端面划伤。
[0009]优选地，所述磨料层的固化程度为30～50％；进一步优选地，所述磨料层的固化程度为30～40％；更进一步优选地，所述磨料层的固化程度为35～40％。
[0010]优选地，所述磨料层包括以下制备原料：磨料粒子、胶粘剂和固化剂；磨料粒子的质量份为30～80；胶粘剂的质量份为20～70；固化剂的用量为胶粘剂用量的20wt％～50wt％。
[0011]优选地，所述磨料粒子的质量份为40～70；进一步优选地，所述磨料粒子的质量份为50～70；再进一步优选地，所述磨料粒子的质量份为50～60。
[0012]优选地，所述胶粘剂的质量份为35～70；进一步优选地，所述胶粘剂的质量份为40～70；再进一步优选地，所述胶粘剂的质量份为40～50。
[0013]优选地，所述固化剂的用量为胶粘剂用量的30wt％～50wt％；进一步优选地，所述固化剂的用量为胶粘剂用量的30wt％～40wt％；再进一步优选地，所述固化剂的用量为胶粘剂用量的35wt％～40wt％。
[0014]优选地，所述磨料粒子为金刚石、二氧化硅、氧化铝中的至少一种；进一步优选地，所述磨料粒子为二氧化硅。
[0015]优选地，所述胶黏剂为环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、聚丙烯酸树脂中的至少一种；进一步优选地，所述胶黏剂为环氧树脂。
[0016]优选地，所述固化剂为氨基类固化剂、异氰酸酯类固化剂中的至少一种；进一步优选地，所述固化剂为异氰酸酯类固化剂。
[0017]优选地，所述磨料层的厚度为1～10μm；进一步优选地，所述磨料层的厚度为3～10μm；更进一步优选地，所述磨料层的厚度为3～8μm。
[0018]优选地，所述磨料粒子的粒径为20～500nm。
[0019]优选地，所述磨料粒子包括粒径范围为200～500nm的粗磨料和粒径范围为20～200nm的细磨料。
[0020]优选地，所述粗磨料的粒径范围为200～500nm；进一步优选地，所述粗磨料的粒径范围为300～500nm；再进一步优选地，所述粗磨料的粒径范围为400～500nm。
[0021]优选地，所述细磨料的粒径范围为20～200nm；进一步优选地，所述细磨料的粒径范围为20～150nm；再进一步优选地，所述细磨料的粒径范围为20～100nm；更优选地，所述细磨料的粒径范围为50～100nm。
[0022]优选地，所述粗磨料和细磨料的平均粒径比为(4～10)：1；进一步优选地，所述粗磨料和细磨料的平均粒径比为(5～10)：1；更进一步优选地，所述粗磨料和细磨料的平均粒径比为(5～8)：1。
[0023]优选地，所述粗磨料和细磨料的质量比为1：(1～9)；进一步优选地，所述粗磨料和细磨料的质量比为1：(2～8)；再进一步优选地，所述粗磨料和细磨料的质量比为1：(3～6)；更优选地，所述粗磨料和细磨料的质量比为1：(3～5)。
[0024]本专利技术选用粗粉和细粉搭配，可以使磨料层更加细密化，表面更加平整，从而有利于提高连接器插接端部的抛光质量；同时，细粉粒子填充于粗粉粒子之间的间隙，可以对堆积成多层结构的粗粉粒子起到较好的支撑作用，避免研磨抛光时粗粉粒子由于外力的作用而坍塌，从而影响插接端部的抛光质量。
[0025]优选地，所述磨料层的表面粗糙度为0.1
‑
0.5μm；进一步优选地，所述磨料层的表面粗糙度为0.2
‑
0.4μm；再进一步优选地，所述磨料层的表面粗糙度为0.3
‑
0.4μm。
[0026]优选地，所述磨料层还包括以下制备原料：分散剂和溶剂；分散剂的用量为磨料粒子用量的1wt％～3wt％；溶剂的用量为磨料粒子用量的10wt％～30wt％。
[0027]优选地，所述分散剂为硅烷偶联剂；进一步优选地，所述硅烷偶联剂为KH550、KH560、KH570中的至少一种。
[0028]优选地，所述溶剂为乙酸丁酯、环己酮、甲苯、丙酮、丁酮中的至少一种；进一步优选地，所述溶剂为乙酸丁酯。
[0029]优选地，所述基材层和所述磨料层之间还设有过渡层；过渡层的邵氏硬度≥90。在研磨抛光过程中，需要将抛光片置于橡胶垫上，如果过渡层的邵氏硬度＜90，则在研磨抛光过程中会因为抛光片的刚性不够而从橡胶垫上脱离。
[0030]优选地，所述过渡层的固化程度为20～50％；进一步优选地，所述过渡层的固化程度为30～50％；再进一步优选地，所述过渡层的固化程度为30～40％。
[0031]优选地，所述过渡层的制备原料为树脂材料和树脂固化材料，所述树脂固化材料与树脂材料的质量比为(20～50)：100。
[0032]优选地，所述树脂固化材料与树脂材料的质量比为(30～50)：100；进一步优选地，所述树脂固化材料与树脂材料的质量比为(30～40)：100。
[0033]优选地，所述树脂材本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抛光片，包括层叠设置的基底层和磨料层，其特征在于：所述磨料层包括以下制备原料：磨料粒子、胶粘剂和固化剂；磨料粒子的质量份为30～80；胶粘剂的质量份为20～70；所述固化剂的用量为胶粘剂用量的20wt％～50wt％。2.根据权利要求1所述的抛光片，其特征在于：所述磨料层的固化程度为20～50％。3.根据权利要求1所述的抛光片，其特征在于：所述磨料粒子包括粒径范围为200～500nm的粗磨料和粒径范围为20～200nm的细磨料；所述粗磨料和细磨料的平均粒径比为(4～10)：1。4.根据权利要求3所述的抛光片，其特征在于：所述粗磨料和细磨料的质量比为1：(1～9)。5.根据权利要求1所述的抛光片，其特征在于：所述磨料层的表面粗糙度为0.1
‑
0.5μm。6.根据权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙健，刘研，
申请(专利权)人：潮州三环集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：