内连线结构制造技术

本公开提出一种内连线结构。内连线结构包括介电层、第一导电结构、导电层、第一阻挡层、第二阻挡层及支撑层。第一导电结构位于介电层中；导电层位于介电层上。导电层包括相邻的第一部分与第二部分，且导电层的第二部分位于第一导电结构上。第一阻挡层接触导电层的第一部分；第二阻挡层接触导电层的第二部分；支撑层接触第一阻挡层与第二阻挡层。气隙位于第一阻挡层与第二阻挡层之间，且介电层与支撑层暴露至气隙。至气隙。至气隙。

【技术实现步骤摘要】
内连线结构


[0001]本专利技术实施例涉及内连线结构，尤其涉及在边缘置换误差发生时减少线路至线路的漏电流的结构与方法。

技术介绍

[0002]随着半导体产业导入更高功效与更多功能的新世代集成电路，形成集成电路的单元密度增加，而构件或单元读尺寸或彼此之间的空间减少。过去的尺寸缩小只受限于定义结构的光刻能力，但具有尺寸较小的装置其几何形状产生新的限制因素。举例来说，对任何两个相邻的导电结构而言，随着导电结构之间的距离减少，与导电结构之间的距离所分开的绝缘材料的介电常数成一函数的最终电容增加。电容增加会增加导电结构之间的电容耦合、增加能耗、并增加电阻
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电容时间常数。

技术实现思路

[0003]本公开实施例的目的在于提出一种内连线结构，以解决上述至少一个问题。
[0004]根据本公开一实施例为内连线结构。结构包括介电层；第一导电结构，位于介电层中；以及导电层，位于介电层上。导电层包括相邻的第一部分与第二部分，且导电层的第二部分位于第一导电结构上。结构亦包括第一阻挡层，接触导电层的第一部分；第二阻挡层，接触导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种内连线结构，包括：一介电层；一第一导电结构，位于该介电层中；一导电层，位于该介电层上，其中该导电层包括相邻的一第一部分与一第二部分，且该导电层的该第二部分位于该第一导电结构上；一第一阻挡层，接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄心岩，罗廷亚，李劭宽，邓志霖，李承晋，张孝慷，眭晓林，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：