【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法和应用
[0001]本专利技术涉及陶瓷材料
,尤其涉及一种碳化硅复合陶瓷材料及其制备方法和应用。
技术介绍
[0002]碳化硅陶瓷基材料兼具低密度、高强度、耐高温、抗氧化、耐腐蚀、抗辐照、高温稳定性等优点,已成为航空、航天、核聚变等领域的理想备选材料。然而,碳化硅的强共价键导致碳化硅陶瓷烧结温度高(1800℃以上),烧结致密性差,同时,单组分纯碳化硅陶瓷存在脆性破坏和可靠性差的致命缺点。
[0003]为更好的提高碳化硅陶瓷材料的综合性能,常引入第二相碳化硅纤维进行增韧,碳化硅纤维首先需要对材料进行选择,然后再通过化学气相沉积裂解、浸渍裂解等制备方法制备碳化硅
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碳化硅纤维复合陶瓷,但此种方法制备工艺繁杂,成本较高且难以实现碳化硅纤维均匀分布,制备的复合材料的致密性及力学性能仍然较低。
[0004]因此,如何提高碳化硅复合材料的致密性及力学性能并降低烧结温度成为现有技术的难题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的目的在于提供一种碳化硅 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅复合陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:(1)将碳化硅颗粒、碳化硅晶须和稀土氧化物进行球磨混合,得到混合物;(2)将所述步骤(1)得到的混合物与酸溶液混合后进行加压烧结,得到碳化硅复合陶瓷材料;所述加压烧结包括依次进行的低温加压烧结和高温加压烧结。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中混合物中碳化硅颗粒、碳化硅晶须和稀土氧化物的体积百分比分别为40~60%、20~30%和20~30%。3.根据权利要求2所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中混合物中碳化硅颗粒、碳化硅晶须和稀土氧化物的体积百分比分别为42~58%、22~28%和22~28%。4.根据权利要求1~3任意一项所述的制备方法,其特征在于,所述步骤(1)中的稀土氧化物包括Y2O3、La2O...
【专利技术属性】
技术研发人员:朱流,王金芳,张绍桦,涂志标,林霄,戴晟,陈辉,孙世博,陈家斌,邓敏捷,
申请(专利权)人:浙江盛田机械有限公司台州洁碳科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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