基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法技术

本发明专利技术提供一种基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法，主要解决符合测量系统中放射源较厚时自吸收比较明显，导致气体正比探测器能量刻度无法正常开展的问题。本发明专利技术方法通过限制放射源在半导体探测器上的照射面积，使只有在气体正比探测器内沉积能量较大的射线可以到达半导体探测器产生符合事件。同时，在所有符合事件中只选择半导体探测器能量较高的部分事件，即自吸收最小的事件，从而避免自吸收对能量刻度的影响，达到提高能量测量准确性的目的。准确性的目的。准确性的目的。

【技术实现步骤摘要】
基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法


[0001]本专利技术涉及核测试及核仪器领域，具体涉及一种基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法，该方法是一种利用厚源开展符合测量系统中气体正比探测器能量刻度的方法。

技术介绍

[0002]核探测器一般需经过能量刻度才能将输出的电压或电荷信号转换为正确的能量数据。一般采用可在核探测器中沉积全部能量的单能射线进行能量刻度。如图1所示，3He夹心谱仪芯体由两个对置的半导体探测器2以及两个半导体探测器2之间一个充3He的气体正比探测器1组成。在气体正比探测器阴极箱外侧装一枚小
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Am放射源，利用其放出的5.486MeVα射线开展能量刻度。半导体探测器在真空条件下利用5.486MeVα射线直接照射进行刻度。由于气体正比探测器尺寸只有2cm
×
2cm
×
1cm，该尺寸下α射线无法在气体中沉积全部能量，因此只能采用符合测量方法，既α射线穿过气体正比探测器再射入半导体探测器并沉积剩余能量。如公式(2)，其中E
G
为气体正比探测器沉积本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于厚放射源实现气体正比探测器能量刻度的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、搭建符合测量系统，该符合测量系统能够同时测量气体正比探测器和半导体探测器的能谱并进行符合事件判断；步骤二、限制放射源在半导体探测器上的照射面积，使能产生符合事件的α射线在气体正比探测器中具有相同的射程；1.1)在气体正比探测器的阴极箱上开设放射源孔，所述放射源孔在阴极箱侧壁的中心处；1.2)将放射源设置在气体正比探测器的阴极箱外侧，放射源头部凸起放置在放射源孔内，同时，在阴极箱内侧放置带小孔的屏蔽层，屏蔽层的小孔中心与放射源孔中心的距离为H，H为放射源的半径与小孔半径之和的1.2～1.5倍，使放射源只能照射到半导体探测器中线一侧区域，从而限值放射源的照射区域；步骤三、半导体探测器能量刻度；3.1)在真空条件下获取半导体探测器测量放射源放出的α射线能谱；3.2)用脉冲发生器产生8～10个单能脉冲，通过单能脉冲幅度及ADC道址线性拟合测得ADC零点，采用ADC零点和α射线能谱中能量再次进行线性拟合完成半导体探测器能量刻度，得到拟合常数a1和b1，如公式(1)所示；E
s
＝a1+b1ch
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(1)其中，E
s
为半导体探测器沉积能量，ch为ADC道址；步骤四、气体正比探测器充3He气体，采用步骤一中的符合测量系统进行测量，得...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文首，阿景烨，包利红，邬泽鹏，江新标，
申请(专利权)人：西北核技术研究所，
类型：发明
国别省市：