一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。该方法采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振

【技术实现步骤摘要】
一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法


[0001]本专利技术涉及新材料制备
，具体涉及一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法。

技术介绍

[0002]氮化铟(InN)作为一种氮化物半导体，与GaN和AlN相比，InN的有效质量最小，载流子迁移率和漂移速率最高，这些特性让InN在高速高频晶体管等电子器件的应用上具有独特优势，因此在制备高效率太阳能电池、半导体发光二极管及光通信等光学器件上有极大需求。
[0003]现有技术中，通常以玻璃作为衬底来制备InN薄膜，制备工艺所需温度通常为800℃以上。然而，较高温度通常会使玻璃衬底中的杂质离子扩散到InN薄膜中，从而造成InN薄膜的非故意掺杂，严重影响InN薄膜的质量。
[0004]因此，急需开发一种新的InN薄膜的制备方法，其能够避免衬底中的杂质离子扩散到InN薄膜中。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的是克服现有技术的缺点，提供一种新的InN薄膜的制备方法，其采用化学性质和物理性质相对稳定的SiC作为衬底，并在其表面形成SiN缓冲层后，通过电子回旋共振本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在SiC衬底上形成InN薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：利用氮等离子体轰击SiC衬底，从而在其表面形成SiN缓冲层，得到预处理SiC衬底；以及将所述预处理SiC衬底置于ECR
‑
PEMOCVD系统的沉积室中，抽真空后，加热所述预处理SiC衬底，并向所述沉积室中通入三甲基铟和氮气，从而在所述预处理SiC衬底上形成InN薄膜。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：将表面形成有所述InN薄膜的所述预处理SiC衬底在氨气气氛中进行氢化和氮化处理；氢化和氮化处理的温度为100℃以上。3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，三甲基铟和氮气由氦气携带；氦气、三甲基铟和氮气的流量比为(5
‑
20):(1
‑
10):(30
‑
90)。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在反应室内利用氮等离子体进行轰击，反应室内的氮气流量为80
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240sccm，压强为0.2
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1.2Pa。5.根据权利要求1或...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈素春，徐良，余雅俊，占俊杰，孟秀清，阳明益，
申请(专利权)人：浙江富芯微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：