用于半导体晶片固持器的热扩散器制造技术

通过将扩散器层沉积到静电盘上并移除扩散器层的区域以形成由间隙分离的分立的扩散器段来形成静电卡盘。分立的扩散器段可以限定连续的同心环、不连续的同心环、或连续的同心环和不连续的同心环的组合。通过在扩散器层中形成至少一个沟槽来将分立的扩散器段彼此分离。沟槽可以部分延伸穿过扩散器层、完全延伸穿过扩散器层到达静电盘、或者具有部分延伸穿过扩散器层的第一部分和完全延伸穿过扩散器层的第二部分。而且，沟槽可以具有恒定宽度或具有可变宽度。具有可变宽度。具有可变宽度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于半导体晶片固持器的热扩散器
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2019年8月27日提交的美国申请号16/552,790“用于半导体晶片固持器的热扩散器”的优先权，其内容通过引用整体结合于此。


[0003]本专利技术涉及静电卡盘，并且更总体而言，涉及具有多个加热区的陶瓷卡盘。

技术介绍

[0004]本节中的陈述仅提供与本公开相关的背景信息并且不可能构成现有技术。
[0005]诸如静电卡盘(本文也称为“E
‑
卡盘”)的晶片支撑组件可以用于半导体加工中以在其上支撑并固持晶片。例如，E
‑
卡盘可以包括在晶片上施加静电夹持力的静电盘(本文也称为“E
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盘”)。E
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卡盘通常暴露于等离子体处理室中的高热量下，该等离子体处理室执行各种晶片加工/处理步骤，诸如化学气相沉积(chemical vapor deposition，CVD)、蚀刻、溅射和离子注入等。E
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卡盘可以由集成在E
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卡盘中的加热器加热并本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种静电卡盘，所述静电卡盘通过包括以下步骤的过程形成：将扩散器层沉积到静电盘上；移除所述扩散器层的区域以形成由间隙分离的分立的扩散器段；将所述静电盘结合到加热器，其中，所述扩散器层设置在所述静电盘和所述加热器之间；以及将所述加热器结合到冷板上。2.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述分立的扩散器段限定了连续同心环、不连续同心环以及连续同心环和不连续同心环的组合中的至少一种。3.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述分立的扩散器段通过在所述扩散器层中形成至少一个沟槽而分离。4.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中，所述至少一个沟槽部分延伸穿过所述扩散器层、完全延伸穿过所述扩散器层到达所述静电盘，或者部分延伸穿过并完全延伸穿过所述扩散器层到达所述静电盘，以限定可变深度。5.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中，所述至少一个沟槽限定可变宽度。6.根据权利要求3所述的静电卡盘，其中，所述至少一个沟槽通过选自酸蚀刻、激光切割和机械加工的过程来形成。7.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述静电盘是陶瓷材料。8.根据权利要求1所述的静电卡盘，其中，所述加热器包括至...

【专利技术属性】
技术研发人员：章三红，凯文，
申请(专利权)人：沃特洛电气制造公司，
类型：发明
国别省市：