具有埋入的光学隔离的像素制造技术

本发明专利技术提供一种图像传感器，其包括光接收侧(Fa)并且在衬底(100)中包括可以将从光接收侧(Fa)接收的光转换成电荷的光电转换区(PD)、可以存储从光电转换区转移的电荷的存储区(SN)以及存储区的光学隔离元件。光学隔离元件(60)埋在衬底中在光接收侧与存储区之间。(60)埋在衬底中在光接收侧与存储区之间。(60)埋在衬底中在光接收侧与存储区之间。

【技术实现步骤摘要】
具有埋入的光学隔离的像素


[0001]本专利技术的领域是图像传感器的领域，图像传感器在半导体衬底中包括能够将从衬底的光接收侧接收的光转换成电荷的光电转换区以及能够存储从光电转换区转移的电荷的存储区。本专利技术更具体地涉及存储区的光学隔离，以便最小化其对杂散光的敏感性并改善其性能。它特别适用于背面照明(BSI)图像传感器。

技术介绍

[0002]用于成像的一些像素架构包括与用于临时存储来自光电二极管的信息的电荷存储区(或存储点)并列的光电二极管。这个存储区为尤其需要避光保护的敏感区。
[0003]在所谓的全局快门传感器中，即同时曝光传感器的所有像素的传感器中，像素的信息必须在读取像素期间保持在电荷或电压存储点中。通常，这个时间对应于像素矩阵的读取时间(如果完全读取像素矩阵的话)。在此期间，存储点不应受到光线的干扰。
[0004]在根据间接飞行时间(iTOF)原理工作的深度传感器中，将几个存储点集成到像素中，以便在集成时间内积累对应于两个样本的电荷。为了准确检索深度信息，集成到两个电容器中的两个样本都不应受到在集成和读出阶段直接到达本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其在衬底(100)中包括能够将从所述衬底的光接收侧(Fa)接收的光转换成电荷的光电转换区(PD)、能够存储从所述光电转换区转移的电荷的存储区(SN)以及所述存储区的光学隔离元件，其特征在于，所述光学隔离元件(60)埋在所述衬底中在所述光接收侧(Fa)与所述存储区(SN)之间，并且平行于所述光接收侧延伸，所述光学隔离元件为空气腔或者为填充有在感兴趣的波长范围的光学吸收材料的腔，所述腔布置为处于所述衬底的厚度内。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光学隔离元件(60)距离所述衬底的与所述光接收侧相对的一侧为350nm至1μm。3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光学隔离元件(60)用钝化区域(70)覆盖。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述空气腔具有厚度，使得所述腔形成近红外波长的四分之一波长层。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，所述光学隔离元件是布置为处于所述衬底的厚度内的腔，所述腔填充有近红外光学吸收材料。6.根据权利要求1所述的图像传感...

【专利技术属性】
技术研发人员：Q，
申请(专利权)人：法国原子能源和替代能源委员会，
类型：发明
国别省市：