图像传感器及深度成像系统技术方案

本发明专利技术提供一种图像传感器及深度成像系统，所述图像传感器包括：负电极层，形成于驱动层中；N区层，对应形成于所述负电极层表面，包含由半导体材料形成的若干圆柱状结构；光吸收层，对应形成于所述N区层表面，至少包含由量子点半导体材料形成的P区层；正电极层，对应形成于所述光吸收层表面，接收入射光束。本发明专利技术中图像传感器中光吸收层中包含量子点半导体材料，能够明显提升Time of Flight(TOF)深度成像系统的探测距离与精度。像系统的探测距离与精度。像系统的探测距离与精度。

【技术实现步骤摘要】
图像传感器及深度成像系统


[0001]本专利技术涉及图像
，特别是涉及深度成像
，具体为一种图像传感器及深度成像系统。

技术介绍

[0002]深度成像系统一般可以探测成像物体(空间)的三维成像信息，又被称为3D成像系统。深度成像系统通常由：光源发射模块、三维感光模块、光学镜头和图像处理芯片等组成。根据测量原理不同，主流的深度成像系统一般分为以下几种方法：飞行时间法、结构光法、双目立体视觉法。
[0003]飞行时间(Time of Flight,TOF)的测距原理是通过连续发射经过调制的特定频率的光脉冲(一般为不可见光)到被观测物体上，然后接收从物体反射回去的光脉冲，通过探测光脉冲的飞行(往返)时间来计算被测物体离成像系统的距离。
[0004]结构光法(structured light)的光投射器使用具有特定模式的图案(比如离散光斑、条纹光、编码结构光等)，将特定模式的图案投影到三维空间物体表面上，使用三维感光模块观察在三维物体表面成像的畸变情况。如果被测物体表面起伏不平，三维感光模块观察到的结构光图案就会产生不同的扭本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于：所述图像传感器包括：负电极层，形成于驱动层中；N区层，对应形成于所述负电极层表面，包含由半导体材料形成的若干圆柱状结构；光吸收层，对应形成于所述N区层表面，所述光吸收层由多层结构组成，至少包含由量子点半导体材料形成的P区层；正电极层，对应形成于所述光吸收层表面，接收入射光束。2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述P区层包括：第一P区层，对应形成于所述N区层表面；第二P区层，掺杂浓度高于所述第一P区层的掺杂浓度，对应形成于所述第一P区层表面。3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于：所述第一P区层由量子点半导体材料形成，所述第二P区层由有机半导体材料或无机化合物形成；或者所述第一P区层由有机半导体材料或无机化合物形成，所述第二P区层量子点半导体材料形成；或者所述第一P区层和所述第二P区层均由量子点半导体材料形成。4.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述光吸收层包括还包括：I区层，对应形成于所述N区层表面；所述P区层对应形成于所述I区层表面。5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于：所述光吸收层包括：第三P区层，对应形成于所述N区层表面；I区层，对应形成于所述第三P区层表面；第四P区层，掺杂浓度高于所述第三P区层的掺杂浓度，对应形成于所述I区层表面。6.根据权利要求5所述的图像传感器，其特征在于：所述第三P区层由量子点半导体材料形成，所述第四P区层由有机半导体材料或无机化合物形成；或者所述第三P区层...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐华兵，倪强，王刚，陈楚毅，郑发耀，徐达，刘明佩，
申请(专利权)人：瑞芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：