光电二极管单元及光电二极管阵列制造技术

本发明专利技术涉及一种光电二极管单元及光电二极管阵列，包括：衬底，具有第二导电类型；第一阱区，具有第一导电类型，设于所述衬底内；第二阱区，具有第二导电类型，设于所述第一阱区内；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；红外窗口区，形成于所述第二阱区的上表面；第一电极，位于所述第一阱区的上方，且与所述第一阱区电连接；第二电极，位于所述第二阱区的上方，且与所述第二阱区电连接；其中，所述红外窗口区、所述第一阱区的底面及所述第二阱区的底面均为多边形。上述光电二极管单元可以增大红外窗口区的总面积，使得红外窗口区在光电二极管阵列中的占比增加，从而有效面积增加，光电二极管阵列的效率得以提高。光电二极管阵列的效率得以提高。光电二极管阵列的效率得以提高。

【技术实现步骤摘要】
光电二极管单元及光电二极管阵列


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种光电二极管单元及光电二极管阵列。

技术介绍

[0002]图像传感器包括分立器件组装(电耦合器件)和互补金属氧化物半导体(CMOS，Complementary Metal Oxide Semiconductor)兼容光电二极管集成电路两种，CMOS兼容光电二极管集成电路因其具有分辨率高、体积小、功耗低的特点，占据不断增加的市场份额，也成为各企业争先抢占的高地。
[0003]CMOS兼容光电二极管集成电路是将光电二极管阵列(Array)与外围电路两部分集成在一颗芯片上，该阵列由重复排列的光电二极管单元(Cell)组成，Cell包含红外窗口区(IW，Infrared Window)与非窗口区。非窗口区中深P阱(UP)与深N阱(UN)形成PN结区域，光经红外窗口区入射，在PN结耗尽区生成空穴电子对，电流增大，此电流即为光电流，从而实现了光电转换。因此，在一定范围内，在一个光电二极管单元中，红外窗口区占比越大，则吸收与进入耗尽区的光子数量越多，光电流越强，光电信号本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管单元，其特征在于，包括：衬底，具有第二导电类型；第一阱区，具有第一导电类型，设于所述衬底内；第二阱区，具有第二导电类型，设于所述第一阱区内；所述第一导电类型和第二导电类型为相反的导电类型；红外窗口区，形成于所述第二阱区的上表面；第一电极，位于所述第一阱区的上方，且与所述第一阱区电连接；第二电极，位于所述第二阱区的上方，且与所述第二阱区电连接；其中，所述红外窗口区、所述第一阱区的底面及所述第二阱区的底面均为多边形。2.根据权利要求1所述的光电二极管单元，其特征在于，所述多边形为正多边形，所述红外窗口区、所述第一阱区、所述第二阱区以所述正多边形的中心重合。3.根据权利要求2所述的光电二极管单元，其特征在于，所述正多边形为正六边形。4.根据权利要求1所述的光电二极管单元，其特征在于，所述红外窗口区暴露出所述第二阱区的部分上表面；或者所述红外窗口区暴露出所述第二阱区的部分上表面，且所述第二阱区暴露出的上表面形成有透明红外吸收材料层或半透明红外吸收材料层。5.根据权利要求1所述的光电二极管单元，其特征在于，所述衬底内形成有第三阱区，所述第一阱区设于所述第三阱区内，所述第三阱区具有第二导电类型；或者所述衬底包括第四环形阱区和外延区，所述第四环形阱区至少包围所述第一阱区的侧面的一部分，所述外延区位于所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：马凤麟，于绍欣，李玉岱，贝帮坤，陈天，陈晓亮，金兴成，
申请(专利权)人：无锡华润微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：