一种NANDFlash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及介质制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及可读介质，该方法包括：获取预设时间内NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据；将第一数据和第二数据分别进行预处理；将预处理后的第一数据和第二数据分别输入到LSTM模型进行训练以得到训练后的模型；基于训练后的模型预测NAND Flash的寿命终点时间。通过使用本发明专利技术的方案，能够更精确的预测NAND Flash的寿命，保障NAND Flash数据的安全性，能够避免介质过早更换所带来的资源浪费。费。费。

【技术实现步骤摘要】
一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及介质


[0001]本专利技术涉及计算机领域，并且更具体地涉及一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法、装置、设备及可读介质。

技术介绍

[0002]NAND Flash是一种非易失性随机访问存储介质。它基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷。电子电荷被储存在浮置栅极中，在无电源供应的情况下对数据有一定的保持能力。写操作是在控制极加正电压，使电子通过绝缘层进入浮栅极。擦除操作正好相反，是在衬底加正电压，把电子从浮栅极中吸出来。电子写入浮栅极时会对浮栅造成损伤，因此NAND Flash的擦写次数有限。通常NAND Flash有一个额定的擦写次数值，比如某些企业级MLC NAND的额定擦写次数为10000次，NAND介质的擦写次数超过该值则代表生命到达尽头，因此该指标可以用来预测NAND介质的寿命。
[0003]SSD(固态硬盘)存在写放大，即闪存落盘写入量>系统写入量。通常用实际擦写次数表示闪存介质的寿命，SSD厂商在出厂时还会设定本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种NAND Flash介质剩余寿命预测的方法，其特征在于，包括以下步骤：获取预设时间内NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据；将第一数据和第二数据分别进行预处理；将预处理后的第一数据和第二数据分别输入到LSTM模型进行训练以得到训练后的模型；基于训练后的模型预测NAND Flash的寿命终点时间。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，获取预设时间内NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据包括：在预设时间段中的每日的同一时间使用samrtctl
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a命令采集SSD SMART信息；记录SMART信息中NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化的第二数据。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将第一数据和第二数据分别进行预处理包括：判断第一数据或第二数据中是否存在缺失的数据；响应于存在缺失的数据，使用插值法将缺失的数据补充到第一数据或第二数据中以保证数据的连续性。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，基于训练后的模型预测NAND Flash的寿命终点时间包括：获取当前NAND Flash的擦写次数随时间变化的第三数据和系统写入数据量随时间变化的第四数据；将第三数据输入到训练后的模型中以预测擦写次数达到额定擦写次数的第一日期；将第四数据输入到训练后的模型中以预测系统写入数据量达到写入数据总量的第二日期；将第一日期和第二日期中较近的日期确定为NAND Flash的寿命终点时间。5.一种NAND Flash介质剩余寿命预测的装置，其特征在于，所述装置包括：获取模块，所述获取模块配置为获取预设时间内NAND Flash的擦写次数随时间变化的第一数据和系统写入数据量随时间变化...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹琪，周文强，
申请(专利权)人：苏州浪潮智能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：