Mifare类卡模拟使用大容量Flash存储的实现方法技术

本发明专利技术提供了一种Mifare类卡模拟使用大容量Flash存储的实现方法，Mifare 1K卡存储共有16*4＝64个Block，64*16＝1024B；在适当的时候，将目标Flash Page擦除一个页面，以便下次写入新的数据，使用两个1K的Flash空间，以一个Flash页面为单位，交替写入数据信息，Mifare 1K卡的每个写Flash操作命令先按16B+4B的数据量,先行写入一个Flash页面中,防止掉电，保证数据不丢失。优点是：在大容量Flash上实现Mifare类卡的存储需求及性能要求，无需在SIM卡上额外增加EEPROM或小容量小页面的Flash硬件，大大降低了SIM卡模拟应用的出厂成本。大大降低了SIM卡模拟应用的出厂成本。大大降低了SIM卡模拟应用的出厂成本。

【技术实现步骤摘要】
Type B和Felica，其应用场景类似，都可以应用于公交、银行及企业一卡通领域；ISO 14443 Type A是国内应用最多的非接触技术，广泛应用于公交、银行及企业一卡通场景。ISO 14443 Type B在欧洲、美国的公交、银行系统有所应用，国内仅有身份证等少数应用。
[0008]典型的卡模拟组成包括两部分硬件，即CLF和UICC。CLF即非接触前端，一端控制天线与读卡器进行数据交换，一端通过SWP接口与UICC进行通信。UICC内部安装Mifare卡模拟应用，以配合CLF完成Mifare的卡模拟。Mifare模拟卡模块结构如图2所示；结合图2可以看出Mifare模拟卡内部的通信过程为：
[0009]1、CLF与UICC之间通过SWP进行通信，SWP是一种全双工的单总线通信接口，其遵循ETSI TS 102 613技术规范。
[0010]2、在CLF进入读卡器的磁场之后，CLF配合读卡器完成防冲突及卡的选择。此流程主要由读卡器及CLF完成。
[0011]3、在CLF探测到进入读卡器的磁场之后，即开始与UICC进行通信，通信的主要步骤为：SWP接本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种Mifare类卡模拟使用大容量Flash存储的实现方法，其特征在于：Mifare 1K卡存储共有16*4＝64个Block，64*16＝1024B；在适当的时候，将目标Flash Page擦除一个页面，以便下次写入新的数据，使用两个1K的Flash空间，以一个Flash页面为单位，交替写入数据信息，Mifare 1K卡的每个写Flash操作命令先按16B+4B的数据量,先行写入一个Flash页面中,防止掉电，保证数据不丢失；总共使用7个Flash Page用于Mifare 1K应用，7个Flash Page分别为，Mifare 1K Space Application 0x89000//Page1Mifare 1K Space Application 0x89200//Page2Mifare 1K Space Application 0x89400//Page3Mifare 1K Space Application 0x89600//Page4Flash Page Version Ctrl PAD0 0x89800//Page5Mifare Cmd Wrt PAD1 0x89A00//Page6Mifare Cmd Wrt PAD2 0x89C00//Page7所述实现方法具体包括如下步骤，S1、上电，根据Page5，从Page1或Page2或Page3或Page4的Flash中选出最新Flash Block Page，将Mifare Data复制到内存镜像Mi_Mem中,检查Page6和Page7的Flash Page,将其中最新的数据写入Mi_Mem，即可在内存镜像Mi_Mem中重建起最新的Mifare Flash 1K数据内容；Page5页面中的第一个字段记录了Mifare 1K空间中，前512B空间中最新Mifare Flash写命令操作所在的Flash页面；第二个字段记录了Mifare 1K空间中，后512B空间中最新Mifare Flash写命令操作所在的Flash页面；Page6用于将前512B空间中的Mifare Flash写命令操作将数据先存入此Flash页面中；Page7用于将后512B空间中的Mifare Flash写命令操作将数据先存入此Flash页面中；S2、业务过程的写数据16B会第一时间写入内存镜像Mi_Mem中，随后将Mi_Mem中的16B+4B写入Page6或Page7；4B是Mifare指令的Block Addr信息用于掉电后，上电定位生成BlockX；S3、当Mifare Write在Dec/Inc+Value的Part2时间点或者Write Block指令的Part1时间点，检测到Page6或Page7就要写满时，先返回Ack给SWP主，即CLF端，随后将根据Page5选择一个512B数据Flash Page进行提前擦除，暂定名为PageC，并设定WritePage＝1；S4、当Mifare Write在Transfer指令接受完数据后或者Write Block指令的Part2时间点，将16B+4B写入Page6或Page7；若WritePage＝1，将Mi_Mem的前或后512B写入PageC,更新Page5版本控制信息，最后返回Ack给SWP主，即CLF端；写入成功后，Page6或Page7的Flash Page Erase，并返回步骤S2；S5、若过程中出现掉电，则返回步骤S1；Part1为Mifare Write Part1，其具体过程为，SIM卡内的Mifare卡模拟固件检查Addr，当需要擦除目标Flash Page时，包括1K版本控制Page5，配置寄存器，启动Flash Page的Erase，随后固件继续处理返回ACk的工作；Page Erase工作在Part1的最后做；Part2为Mifare Write Part2，其具体过程为，处理接收到的16B数据，之后使用CPU写到目标Flash Page，随后固件继续处理返回ACk的工作；所述目标Flash Pag为Page6或
Page7或是Page1
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4中的一个Page，若为Page1
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4中的一个Page，则需要将4B的版本控制信息写入Page5；若Page6或Page7或Flash Page写满，Page Erase工作在Part2的最后做；上述过程对Flash Page的擦除与Mifare Write指令的Part1阶段实行了并行化处理，预判Flash Page的存储状态，Page1/2/3/4/5写满的状态下，在指令的Part1阶段实施擦除页面的操作，缩短了卡模拟的对Flash存储数据的时间；在指令的Part2阶段只写入16B+4B字节的数据到Page6/7中，如果Page6/7在写满的状态下，则将内存镜像Mi_Mem中512B写入Page1/3或Page2/4的某个Flash Page中；返回Ack，若Page6/7已写满，则启动擦除Page6/7。2.根据权利要求1所述的Mifare类卡模拟使用大容量Flash存储的实现方法，其特征在于：将Flash中的程序搬移到IRAM中运行，以提高程序的执行速度；SIM卡芯片复位后，为了实现提高Mifare类卡模拟应用性能，需要使用Remap重映射功能：先使用DMA操作，将需要加速的程序搬移到IRAM指令内存中，利用软件配置Remap的长度、起始地址和目的地址，开启重映射功能，实现程序加速；IRAM为16KB,支...

【专利技术属性】
技术研发人员：何军，王亮，颜昕明，董文强，
申请(专利权)人：广州万协通信息技术有限公司，
类型：发明
国别省市：