数据读写方法、NAND控制器及计算机可读存储介质技术

本发明专利技术提供一种数据读写方法、NAND控制器及介质，方法应用于NAND控制器，包括：接收需由目标芯片中的目标逻辑单元处理的页面写命令，并将页面写命令发送至目标逻辑单元，以使目标逻辑单元处理页面写命令；页面写命令为LSB页面写命令、CSB页面写命令或MSB页面写命令；判断目标逻辑单元是否进入繁忙状态；当判定目标逻辑单元进入繁忙状态时，接收需由其他芯片中的逻辑单元处理的读命令，并将读命令发送至对应的逻辑单元，以使读命令对应的逻辑单元处理读命令；可对读写命令进行有效调度，确保在目标芯片中的逻辑单元处理页面写命令时，其他芯片中的逻辑单元可并行处理读命令，进而可有效提升TLC NAND闪存的读写速度。NAND闪存的读写速度。NAND闪存的读写速度。

【技术实现步骤摘要】
数据读写方法、NAND控制器及计算机可读存储介质


[0001]本专利技术涉及闪存领域，特别涉及一种数据读写方法、NAND控制器及计算机可读存储介质。

技术介绍

[0002]TLC NAND闪存(Triple
‑
Level Cell，三层单元)是一种较为廉价的NAND闪存。相关技术中，由于数据写入到TLC中需要八种不同电压状态，而施加不同的电压状态、尤其是相对较高的电压，需要更长的时间才能得以实现，因此在TLC NAND中访问数据所需时间较长，传输速度较慢。
[0003]因此，如何提升TLC NAND闪存的读写速度，是本领域技术人员所需面对的技术问题。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的是提供一种数据读写方法、NAND控制器及计算机可读存储介质，可对读写命令进行有效调度，确保TLC NAND闪存可同时处理页面写命令和读命令，进而可有效提升TLC NAND闪存的读写速度。
[0005]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种数据读写方法，应用于NAND控制器，所述方法包括：
[0006本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种数据读写方法，其特征在于，应用于NAND控制器，所述方法包括：接收需由目标芯片中的目标逻辑单元处理的页面写命令，并将所述页面写命令发送至所述目标逻辑单元，以使所述目标逻辑单元处理所述页面写命令；所述页面写命令为LSB页面写命令、CSB页面写命令或MSB页面写命令；判断所述目标逻辑单元是否进入繁忙状态；当判定所述目标逻辑单元进入所述繁忙状态时，接收需由其他芯片中的逻辑单元处理的读命令，并将所述读命令发送至对应的逻辑单元，以使所述读命令对应的逻辑单元处理所述读命令。2.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，当所述页面写命令为所述MSB页面写命令时，在接收需由其他芯片中的逻辑单元处理的读命令之前，还包括：判断是否可接收到需由所述其他芯片中的逻辑单元处理的其他页面写命令；若是，则将所述其他页面写命令发送至对应的逻辑单元，以使所述其他页面写命令对应的逻辑单元处理所述其他页面写命令；若否，则进入所述接收需由其他芯片中的逻辑单元处理的读命令的步骤。3.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，所述接收需由目标芯片中的目标逻辑单元处理的页面写命令，包括：按预设处理顺序接收需由所述目标芯片中的目标逻辑单元处理的页面写命令；相应的，在将所述读命令发送至对应的逻辑单元之后，还包括：判断所述目标逻辑单元是否退出所述繁忙状态；若是，则按所述预设处理顺序接收需由所述目标逻辑单元处理的下一页面写命令，并进入所述将所述页面写命令发送至所述目标逻辑单元的步骤。4.根据权利要求3所述的数据读写方法，其特征在于，所述目标逻辑单元按所述预设处理顺序依次处理所述LSB页面写命令、所述CSB页面写命令和所述MSB页面写命令。5.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，所述接收需由其他芯片中的逻辑单元处理的读命令，包括：接收需由所述其他芯片中的逻辑单元处理的多个读命令。6.根据权利要求1所述的数据读写方法，其特征在于，所述接收需由目标芯片中的目标逻辑单元处理的页面写命令，并将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：马淑香，周永旺，安阳，
申请(专利权)人：山东云海国创云计算装备产业创新中心有限公司，
类型：发明
国别省市：