嵌入量子点的全彩Micro-LED显示芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种嵌入量子点的全彩Micro

【技术实现步骤摘要】
嵌入量子点的全彩Micro
‑
LED显示芯片及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体发光二极管
，具体涉及一种嵌入量子点的全彩Micro
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LED显示芯片及其制备方法。

技术介绍

[0002]基于III族氮化物发光二极管(LED)已经广泛应用于固态照明，随着LED技术的创新与发展，Micro
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LED受到了越来越多的关注。Micro
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LED芯片的尺寸通常在50μm以下，利用Micro
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LED芯片制备显示器件可以实现超高分辨显示，Micro
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LED显示器件与现有的LCD和OLED显示器件相比，具有发光效率高、功耗低、工作寿命长、化学稳定性好、响应速度快等优点。
[0003]目前，单色Micro
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LED显示器件的制备工艺较为成熟，制备全彩Micro
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LED显示器件成为当前显示领域一个重要的研究方向。实现Micro
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LED全彩显示的方法主要有两种：一种是通过键本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种嵌入量子点的全彩Micro
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LED显示芯片，其特征在于：包括驱动面板、键合在驱动面板上且阵列排布的若干RGB像素单元；所述每一RGB像素单元包括三个薄膜倒装Micro
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LED芯片，分别发射红光、绿光、蓝光；所述薄膜倒装Micro
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LED芯片的n型半导体层表面制备有纳米孔图形阵列；在所述红光和绿光薄膜倒装Micro
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LED芯片的纳米孔图形阵列中分别注入红色量子点和绿色量子点；在所述薄膜倒装Micro
‑
LED芯片表面制备有复合介质层；所述复合介质层包括第一介质层和第二介质层。2.根据权利要求1所述的嵌入量子点的全彩Micro
‑
LED显示芯片，其特征在于：所述第一介质层的制备采用ALD技术，其厚度为1
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3nm；所述第二介质层的制备采用PECVD技术，其厚度为5
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10nm。3.根据权利要求2所述的嵌入量子点的全彩Micro
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LED显示芯片，其特征在于：所述第一介质层和第二介质层的材料均为SiO2、Al2O3或AlON中的任一种。4.根据权利要求3所述的嵌入量子点的全彩Micro
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LED显示芯片，其特征在于：所述纳米孔图形阵列的制备采用ICP刻蚀或纳米压印技术；所述纳米孔图形为圆柱形、圆锥形、圆台形或棱柱形中的任一种。5.根据权利要求4所述的嵌入量子点的全彩Micro
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LED显示芯片，其特征在于：所述圆柱形纳米柱结构的直径为100
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500nm，深度为2
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3μm。6.一种制备如权利要求1至5中任一所述嵌入量子点的全彩...

【专利技术属性】
技术研发人员：周圣军，宫丽艳，杜鹏，唐斌，赵晓宇，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：