一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法技术

本发明专利技术提供一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法，形成SBD区、元胞区以及第一、第二沟槽区；形成第一介质层并淀积多晶硅；对多晶硅进行光刻和回刻，去除SBD区、元胞区及第二沟槽区上段的多晶硅；淀积高密度等离子体氧化膜，去除SBD区、元胞区及第二沟槽区上段的高密度等离子体氧化膜，在SBD区、元胞区及第二沟槽区暴露的表面形成第一栅氧化层；去除SBD区中的第一栅氧化层；在SBD区形成第二栅氧化层；在SBD区、元胞区及第二沟槽区内形成第二多晶硅层；在元胞区与第一沟槽区之间的区域、第一、第二沟槽区之间的区域形成第一注入区和第二注入区；形成接触孔并填充金属。形成接触孔并填充金属。形成接触孔并填充金属。

【技术实现步骤摘要】
一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，特别是涉及一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法。

技术介绍

[0002]肖特基二极管是以其专利技术人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode，缩写成SBD)的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体(接触)二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。
[0003]肖特基二极管是金属A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属
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半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度逐渐降低，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B至A本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法，其特征在于，至少包括：步骤一、在基底上形成多个沟槽，所述多个沟槽分别为SBD区、元胞区以及第一、第二沟槽区；步骤二、在所述多个沟槽的侧壁和底部形成第一介质层；步骤三、淀积多晶硅填充满所述多个沟槽；步骤四、对所述多个沟槽中的多晶硅进行光刻和回刻，其中刻蚀去除所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区中上段的多晶硅，剩余在所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区内的多晶硅形成第一多晶硅层；并保留所述第一沟槽区中全部的多晶硅；步骤五、淀积高密度等离子体氧化膜，以填充所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区中上段的部分，并且所述高密度等离子体氧化膜覆盖于所述基底上的所述多个沟槽上表面；步骤六、研磨所述基底上表面的所述高密度等离子体氧化膜，使所述高密度等离子体氧化膜高于所述多个沟槽上方3000埃为止；步骤七、对所述高密度等离子体氧化膜进行光刻和回刻，去除所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区上段的所述高密度等离子体氧化膜，所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区中剩余一部分高度的所述高密度等离子体氧化膜覆盖在所述第一多晶硅层上；步骤八、在所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区暴露的表面形成第一栅氧化层；步骤九、光刻和刻蚀去除所述SBD区中的所述第一栅氧化层；步骤十、在所述SBD区中被暴露的表面形成第二栅氧化层；步骤十一、在所述SBD区、元胞区以及所述第二沟槽区内淀积多晶硅，形成第二多晶硅层；步骤十二、在所述元胞区与所述第一沟槽区之间的区域、所述第一、第二沟槽区之间的区域进行离子注入分别形成体区，所述体区为第一注入区；步骤十三、在所述体区进行离子注入形成第二注入区；步骤十四、在所述多个沟槽的上表面覆盖第二介质层；步骤十五、在所述SBD区与元胞区之间的区域、所述元胞区与所述第一沟槽区之间的所述第一注入区、所述第一沟槽区的所述多晶硅上、所述第二沟槽区的所述第二多晶硅层上分别形成接触孔；步骤十六、覆盖金属层以填充所述接触孔，并且刻蚀所述金属层以断开所述第一、第二沟槽接触孔上的所述金属层。2.根据权利要求1所述的在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法，其特征在于：步骤一中在所述基底上通过湿法腐蚀形成所述多个沟槽。3.根据权利要求1所述的在沟槽型双层栅结构内集成肖特基二极管的方法，其特征在于：步骤二中通过淀积在所述多个沟槽的侧壁和底部...

【专利技术属性】
技术研发人员：顾昊元，蔡晨，李亮，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：