一种用于基板减薄的清洗方法及清洗装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于基板减薄的清洗方法及清洗装置，所述清洗方法包括：水平移动部驱动第一清洗单元水平移动至待清洗基板上侧，第一清洗单元的刷体抵接于吸盘工作台顶面的基板；驱动部的旋转机构驱动第一清洗单元旋转，刷体清除基板上的颗粒，喷嘴朝向基板以及刷体与基板的接触处喷射流体，以冲洗基板顶面的颗粒；第二清洗单元的修整体与待清洗吸盘工作台抵接；驱动部的旋转机构驱动第二清洗单元旋转，第二清洗单元的修整体磨削吸盘工作台，第二清洗单元的刷体清除吸盘工作台顶面的颗粒，喷嘴朝向吸盘工作台以及刷体与吸盘工作台的接触处喷射流体，以冲洗吸盘工作台顶面的颗粒。粒。粒。

【技术实现步骤摘要】
一种用于基板减薄的清洗方法及清洗装置


[0001]本专利技术属于基板制造
，具体而言，涉及一种用于基板减薄的清洗方法及清洗装置。

技术介绍

[0002]在集成电路/半导体(Integrated Circuit,IC)制造的后道制程阶段，为了降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能，以及减轻芯片的加工量，基板在后续封装之前需要进行基板减薄，减薄后的芯片厚度甚至可以达到初始厚度的5％以下。
[0003]基板减薄技术主要应用于基板的背面减薄，所谓背面是指基板未铺设有器件的一面，一般为衬底，衬底材料可以为硅、氧化硅、氮化硅、碳化硅、蓝宝石等。
[0004]基板经过减薄后，其表面会存留磨屑和砂轮脱落的颗粒等微粒，仅通过去离子水冲洗和干燥空气吹干的方法是无法全部去除的，这就会在后道抛光工序中微粒处形成缺陷，即而影响到基板表面质量。在晶片磨削过程中，多孔陶瓷吸盘利用真空吸附晶片，其上表面作为晶片定位面，表面形状直接影响到晶片磨削后的形状。如果多孔陶瓷吸盘表面存在颗粒，在吸盘负压作用下，颗粒处的晶片会翘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于基板减薄的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，水平移动部驱动第一清洗单元水平移动至待清洗基板上侧，第一清洗单元的刷体抵接于吸盘工作台顶面的基板；S2，驱动部的旋转机构驱动第一清洗单元旋转，刷体清除基板上的颗粒，喷嘴朝向基板以及刷体与基板的接触处喷射流体，以冲洗基板顶面的颗粒；S3，完成清洗的基板转移至下一工序后，水平移动部驱动第二清洗单元水平移动至吸盘工作台；第二清洗单元的修整体与待清洗吸盘工作台抵接；S4，驱动部的旋转机构驱动第二清洗单元旋转，第二清洗单元的修整体磨削吸盘工作台，第二清洗单元的刷体清除吸盘工作台顶面的颗粒，喷嘴朝向吸盘工作台以及刷体与吸盘工作台的接触处喷射流体，以冲洗吸盘工作台顶面的颗粒。2.如权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，所述刷体为预制刷体，其包括刷体底板及刷毛，所述刷毛设置于刷体底板的底部，其长度不等和/或疏密不同。3.如权利要求2所述的清洗方法...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘远航，付永旭，王江涛，赵德文，路新春，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：