【技术实现步骤摘要】
一种制备纳米球形蜂窝结构的方法
[0001]本专利技术属于周期纳米材料制备
,具体涉及一种制备纳米球形蜂窝结构的研究制备方法。
技术背景
[0002]利用磁控溅射、等离子反应刻蚀、旋涂等技术可以实现纳米球形蜂窝结构的制备,对纳米级空腔进行精度设计与加工,使得纳米阵列有序可控,以用于控制热点位置,设计热点强度从而增强SERS强度。
[0003]磁控溅射是物理气相沉积(Physical Vapor Deposition,PVD)的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料,且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。它的工作原理是指电子在电场E的作用下,在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞,使其电离产生出Ar正离子和新的电子;新电子飞向基片,Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶,并以高能量轰击靶表面,使靶材发生溅射。
[0004]表面增强拉曼散射(SERS)技术克服了传统拉曼光谱与生俱来的信号微弱的缺点,可以使得拉曼强度增大几个数量级。其增强因子可以高达10
14
~10
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种制备纳米球形蜂窝结构的方法,其特征在于,该方法具体包括以下步骤:1)处理具有亲水性硅片,制备六方密排的聚苯乙烯小球阵列;2)使用等离子反应刻蚀技术,将小球半径从500nm刻小成450nm;3)称量质量比为1%PVA粉末,加入去离子水,放入磁力搅拌子,放在搅拌加热台上,90
°
高温加热搅拌,至溶液中颗粒全部溶解在水中;1%PVA胶制备完成;4)利用旋涂机将质量比1%PVA胶旋涂至样品上;5)使用等离子反应刻蚀技术,调整刻蚀时间,改变球与胶体间隙大小;6)利用磁控溅射在样品上制作银,二氧化硅共溅射膜;将银靶和二氧化硅靶各自倾斜40度,同时向硅片溅射;7)用质量比20%氢氟酸做表面化学处理,腐蚀30s,将共溅射中二氧化硅部分腐蚀掉,形成纳米球形蜂窝状结构。2.根据权利要求1所述的一种制备纳米球形蜂窝结构的方法,其特征在于:处理具有亲水性硅片,该方法具体包括以下步骤:1a)清洗硅片:用去离子水和无水乙醇分别浸泡干净硅片,再用超声仪超声15min,洗去硅片表面灰层脏污和油渍;将硅片取出来,放置在吸水纸上将残余水分吸干;1b)亲水处理:将硅片并放入烧杯中,在烧杯中分别加入体积比为1:2:6的氨水、过...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵晓宇,梁龙杰,温嘉红,刘佳,张坤,孔哲,张永军,王雅新,
申请(专利权)人:杭州电子科技大学,
类型:发明
国别省市:
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