四硫化二钴合镍/MXene/PVDF层状复合材料的制备方法技术

本发明专利技术公开了四硫化二钴合镍/MXene/PVDF层状复合材料的制备方法，具体为：将CoCl2·

【技术实现步骤摘要】
四硫化二钴合镍/MXene/PVDF层状复合材料的制备方法


[0001]本专利技术属于复合材料制备
，具体涉及四硫化二钴合镍(NiCo2S4)/MXene/PVDF层状复合材料的制备方法。

技术介绍

[0002]随着电磁产业的蓬勃发展，围绕在我们身边的电磁辐射日益严重。过量的电磁辐射形成了电磁污染。暴露在电磁污染中，不仅会对仪器造成损害，影响仪器的运行，还会对人体健康产生危害。金属作为早期的电磁屏蔽材料，因密度大、易腐蚀和成本高等缺点影响了应用。将金属作为填料加入复合材料中，可以在利用金属的良导电性的同时减少金属本身质量和易腐蚀性的影响，还可以增大金属材料的比表面积。研究已经证明，金属硫化物相比金属氧化物具有更好的电磁性能，而电磁性能是制备高性能导电聚合物复合材料屏蔽性能的决定性因素。近些年来，电磁屏蔽领域涌现了许多新型材料。与传统的屏蔽材料相比，它们往往在各方面有着极大的优势，在某些领域甚至可以替代传统材料。其中，就有近几年研究应用较多的MXene材料。MXene是腐蚀MAX相中特定原子层得到的二维过渡金属碳、氮化物。自2011年被发现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.四硫化二钴合镍/MXene/PVDF层状复合材料的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1、将CoCl2·
6H2O，NiCl2·
6H2O和CO(NH2)2加入到去离子水中，超声分散，得到混合溶液，之后不锈钢高压釜中，进行水热反应，过滤洗涤，干燥，得到混合粉末；步骤2、将步骤1中得到的混合粉末和Na2S
·
9H2O溶于去离子水中，再次进行水热反应，过滤洗涤，干燥，得到NiCo2S4粉末；步骤3、将PVDF颗粒浸泡在DMF中，热浴搅拌，之后进行固化，得到PVDF/DMF溶液；步骤4、将LiF加入HCl溶液中，磁力搅拌均匀后，加入Ti3AlC2粉末进行二次磁力搅拌，然后通过离心洗涤，获得少层MXene薄片水溶液，最后进行冷冻干燥，得到MXene粉末；步骤5、将NiCo2S4粉末、MXene粉末加入PVDF/DMF溶液，超声分散，导入玻璃板模具中，静置干燥，得到NiCo2S4/MXene/PVDF层状复合材料。2.根据权利要求1所述的四硫化二钴合镍/MXene/PVDF层状复合材料的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，CoCl2·
6H2O、NiCl2·
6H2O、CO(NH2)2和去离子水的质量比为3：1.5：6
‑
12：140；水热反应温度为140℃，水热反应时间为12h。3.根据权利要求1所述的四硫化二钴合镍/MXene/PVDF层状复合材...

【专利技术属性】
技术研发人员：任芳，卢震霞，吴桐，张家乐，
申请(专利权)人：西安理工大学，
类型：发明
国别省市：