半导体光元件及其制造方法技术

本公开提供一种能抑制电流的泄漏的半导体光元件及其制造方法。一种半导体光元件，集成有射出光的发光区域和将所述光向所述发光区域侧反射的反射区域，所述半导体光元件具备：芯层，设于所述发光区域；以及波导层，设于所述反射区域，与所述芯层光耦合，具有比所述光的能量大的带隙，所述反射区域具有在与所述光的传播方向交叉的方向上与所述波导层重叠的第一晶闸管。的第一晶闸管。的第一晶闸管。

【技术实现步骤摘要】
半导体光元件及其制造方法


[0001]本公开涉及半导体光元件及其制造方法。

技术介绍

[0002]作为在光通信等中使用的光源，已知集成有半导体激光元件和其他光学元件的对接结构的半导体光元件。开发了一种集成有具有双量子阱结构的芯层的分布式反馈(DFB：Distributed Feed－back)激光器和分布式布拉格反射器(DBR：Distributed Bragg Reflector)的DR(Distributed Reflector：分布式反射器)激光元件(例如非专利文献1)。通过在形成有DBR等的反射区域对从形成有DFB激光器等的发光区域射出的光进行反射来提高光输出。
[0003]现有技术文献
[0004]非专利文献
[0005]非专利文献1：Kazuya Ohira et al.“Low－Threshold Distributed Reflector Laser Consisting of Wide and Narrow Wirelike Active Regions”，IEEE PHOTONICS TECHNOLO本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体光元件，集成有射出光的发光区域和将所述光向所述发光区域侧反射的反射区域，所述半导体光元件具备：芯层，设于所述发光区域；以及波导层，设于所述反射区域，与所述芯层光耦合，具有比所述光的能量大的带隙，所述反射区域具有在与所述光的传播方向交叉的方向上与所述波导层重叠的第一晶闸管。2.根据权利要求1所述的半导体光元件，具备：第一导电型的第一半导体层，设于所述芯层和所述波导层的下方；第二导电型的第二半导体层，设于所述波导层的上方，所述第二导电型与所述第一导电型不同；所述第一导电型的第三半导体层，设于所述第二半导体层的上方；以及所述第二导电型的第四半导体层，设于所述芯层和所述第二半导体层的上方，所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层以及所述第四半导体层形成所述第一晶闸管。3.根据权利要求2所述的半导体光元件，其中，所述第一半导体层和所述芯层形成向与所述光的传播方向交叉的方向突出的第一台面，所述第一半导体层和所述波导层形成向与所述光的传播方向交叉的方向突出的第二台面，所述第一台面和所述第二台面在所述光的传播方向延伸，并且相互邻接，所述第一晶闸管形成于在与所述光的传播方向交叉的方向上与所述第二台面重叠的位置和所述第二台面的两侧。4.根据权利要求3所述的半导体光元件，其中，在所述反射区域中，所述第二半导体层和所述第三半导体层设于所述第二台面的两侧和所述第二台面的上方，所述第四半导体层以覆盖所述第二台面的上方和所述第二台面的两侧的方式设于所述第三半导体层的上方，所述第一半导体层、所述第二半导体层、所述第三半导体层以及所述第四半导体层在与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：藤原直树，古谷章，河野直哉，
申请(专利权)人：住友电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：