液晶组合物以及使用其的液晶显示元件制造技术

本发明专利技术提供一种液晶组合物以及使用其的液晶显示元件。本发明专利技术的课题在于提供例如在使用滴加注入(ODF)方式的液晶显示元件的制造中，可抑制液晶组合物的特性变化的液晶组合物以及使用所述液晶组合物的液晶显示元件。一种液晶组合物，仅含有选自第一非聚合性液晶化合物群组中的一种或两种以上的非聚合性液晶化合物、与选自第二非聚合性液晶化合物群组中的一种或两种以上的非聚合性液晶化合物作为非聚合性液晶化合物，所述液晶组合物中含有规定的化合物作为必需成分。的化合物作为必需成分。

【技术实现步骤摘要】
液晶组合物以及使用其的液晶显示元件


[0001]本专利技术涉及一种液晶组合物以及使用其的液晶显示元件。

技术介绍

[0002]使用20℃下的介电常数各向异性(Δε)显示负值的液晶组合物的液晶显示元件被广泛用于液晶电视(television，TV)等。例如，作为所述液晶组合物，可列举专利文献1中所记载般的液晶组合物等。另外，以前在小型面板的制造工序中采用真空注入方式。
[0003][现有技术文献][0004][专利文献][0005][专利文献1]国际公开第2018/193861号小册子

技术实现思路

[0006][专利技术所要解决的问题][0007]但是，随着面板大型化，采用使用在真空状态下贴合基板的工序的滴加注入(One Drop Fill，ODF)方式。例如，专利文献1中所记载般的液晶组合物根据使用的液晶化合物的不同，在ODF方式中液晶组合物中的液晶化合物挥发，液晶组合物的向列相
‑
各向同性液体相转变温度(℃)(T
ni
)、20℃下的折射率各向异性(Δn)、20℃下的介电常数各向异性(Δε)、20℃下的旋转粘性(mPa
·
s)(γ1)等特性有时会发生变化，这些特性的变化有时会成为面板中的不均的原因。因此，专利文献1中所记载般的液晶组合物存在改善的余地。
[0008]本专利技术的课题在于提供例如在使用ODF方式的液晶显示元件的制造中，可抑制由液晶化合物的挥发引起的液晶组合物的特性变化的液晶组合物以及使用所述液晶组合物的液晶显示元件。
[0009][解决问题的技术手段][0010]本专利技术人等人进行了努力研究，结果发现，通过如下液晶组合物，可解决所述课题，从而完成了本专利技术，所述液晶组合物仅含有选自规定的非聚合性液晶化合物群组中的液晶化合物作为非聚合性液晶化合物，还含有特定的非聚合性液晶化合物。
[0011]解决所述课题的本专利技术的结构如以下般。
[0012]本专利技术的液晶组合物仅含有选自第一非聚合性液晶化合物群组中的一种或两种以上的非聚合性液晶化合物、与选自第二非聚合性液晶化合物群组中的一种或两种以上的非聚合性液晶化合物作为非聚合性液晶化合物，其中，
[0013]所述第一非聚合性液晶化合物群组包含下述通式(1)、通式(2)、通式(3)及通式(4)
[0014][化1][0015][0016](通式(1)中，
[0017]R
1a
及R
1b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一种，
[0018]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，
[0019]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，
[0020]所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经取代为氟原子，
[0021]n1表示1或2。
[0022]通式(2)中，
[0023]R
2a
及R
2b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一种，
[0024]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，
[0025]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，
[0026]所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经取代为氟原子。
[0027]通式(3)中，
[0028]R
3a
及R
3b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一种，
[0029]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，
[0030]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，
[0031]所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经取代为氟原子。
[0032]通式(4)中，
[0033]R
4a
及R
4b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一种，
[0034]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，
[0035]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，
[0036]所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经取代为氟原子。
[0037]其中，R
4a
中的碳原子数与R
4b
中的碳原子数的和为4以上。)
[0038]所表示的非聚合性液晶化合物，
[0039]所述第二非聚合性液晶化合物群组包含下述通式(5)、通式(6)、通式(7)、通式(8)及通式(9)
[0040][0041](通式(5)中，
[0042]R
5a
及R
5b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数2～12的烯基、碳原子数2～12的炔基中的任一种，
[0043]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，
[0044]所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种液晶组合物，仅含有选自第一非聚合性液晶化合物群组中的一种或两种以上的非聚合性液晶化合物、与选自第二非聚合性液晶化合物群组中的一种或两种以上的非聚合性液晶化合物作为非聚合性液晶化合物，所述液晶组合物中，所述第一非聚合性液晶化合物群组包含下述通式(1)、通式(2)、通式(3)及通式(4)通式(1)中，R
1a
及R
1b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一种，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经取代为氟原子，n1表示1或2；通式(2)中，R
2a
及R
2b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一种，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经取代为氟原子；通式(3)中，R
3a
及R
3b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一种，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经取代为氟原子；通式(4)中，
R
4a
及R
4b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数1～8的烷氧基、碳原子数2～8的烯基、碳原子数2～8的烯氧基中的任一种，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可分别独立地经取代为氟原子；其中，R
4a
中的碳原子数与R
4b
中的碳原子数的和为4以上；所表示的非聚合性液晶化合物，所述第二非聚合性液晶化合物群组包含下述通式(5)、通式(6)、通式(7)、通式(8)及通式(9)通式(5)中，R
5a
及R
5b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数2～12的烯基、碳原子数2～12的炔基中的任一种，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
CH2‑
可以氧原子不直接邻接的方式，分别独立地经
‑
CO
‑
O
‑
或
‑
O
‑
CO
‑
取代，所述基中存在的一个或两个以上的氢原子可经取代为氟原子；其中，R
5a
中的碳原子数与R
5b
中的碳原子数的和为5以上；通式(6)中，R
6a
及R
6b
分别独立地表示碳原子数1～12的烷基、碳原子数2～12的烯基、碳原子数2～12的炔基中的任一种，所述基中的一个或非邻接的两个以上的
‑
CH2‑
可分别独立地经
‑
CO
‑
取代，所述基中的一个或非邻接的两个...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨焯，大石晴己，
申请(专利权)人：DIC株式会社，
类型：发明
国别省市：