一种GIS用单屏蔽瓷套管制造技术

一种GIS用单屏蔽瓷套管，包括均压环、空心瓷绝缘子、中心导体和单屏蔽；中心导体位于空心瓷绝缘子内部，并与空心瓷绝缘子同轴设置，中心导体前后两端从空心瓷绝缘子前后两端伸出，中心导体前端位于均压环圆心处；单屏蔽为圆筒状，单屏蔽设置在空心瓷绝缘子内的后端，中心导体穿过单屏蔽中心，单屏蔽沿周面均匀设置有多个绝缘螺栓，每个绝缘螺栓与空心瓷绝缘子周面径向连接。保证了中心导体和单屏蔽的同轴度，使内部电场更加均匀。使内部电场更加均匀。使内部电场更加均匀。

【技术实现步骤摘要】
一种GIS用单屏蔽瓷套管


[0001]本技术属于电瓷产品制造领域，涉及一种GIS用单屏蔽瓷套管。

技术介绍

[0002]目前，国内高压套管在装配过程中要考虑将中心导体和屏蔽层平稳地装入瓷套管中，同时还要保证中心导体和屏蔽层的同轴度，使得装配工作增加了很大的难度，装配时易出现轴心偏差而发生内部放电的质量故障。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于克服上述现有技术的缺点，提供一种GIS用单屏蔽瓷套管，保证了中心导体和单屏蔽的同轴度，使内部电场更加均匀。
[0004]为达到上述目的，本技术采用以下技术方案予以实现：
[0005]一种GIS用单屏蔽瓷套管，包括均压环、空心瓷绝缘子、中心导体和单屏蔽；
[0006]中心导体位于空心瓷绝缘子内部，并与空心瓷绝缘子同轴设置，中心导体前后两端从空心瓷绝缘子前后两端伸出，中心导体前端位于均压环圆心处；单屏蔽为圆筒状，单屏蔽设置在空心瓷绝缘子内的后端，中心导体穿过单屏蔽中心，单屏蔽沿周面均匀设置有多个绝缘螺栓，每个绝缘螺栓与空心瓷绝缘子周面径向连接。
[0007]优选的，空心瓷绝缘子末端设置有过渡法兰，单屏蔽端部与过渡法兰连接。
[0008]优选的，中心导体前端包裹有镀银层。
[0009]优选的，中心导体后端采用铜制成，铜外面包裹有镀银层。
[0010]优选的，中心导体的额定电压为550kV。
[0011]优选的，空心瓷绝缘子的长度为4500～5000mm，最大伞径为
[0012]优选的于，单屏蔽长度700～800mm，内径400～500mm。
[0013]优选的，空心瓷绝缘子后端连接有壳体，壳体内腔为多圆弧结构。
[0014]进一步，壳体采用金属制成。
[0015]再进一步，壳体采用铝合金制成。
[0016]与现有技术相比，本技术具有以下有益效果：
[0017]本技术通过在单屏蔽周面上均布有多个绝缘螺栓，每个绝缘螺栓与空心瓷绝缘子周面径向连接，进行对中定位，防止单屏蔽偏心，从而保证了单屏蔽处于中心位置，使内部电场更加均匀。
附图说明
[0018]图1为本技术的单屏蔽瓷套管剖面图；
[0019]图2为本技术的单屏蔽瓷套管结构图；
[0020]图3为本技术的空心瓷绝缘子结构示意图。
[0021]其中：1
‑
均压环；2
‑
空心瓷绝缘子；3
‑
中心导体；4
‑
单屏蔽；5
‑
过渡法兰；6
‑
绝缘螺
栓。
具体实施方式
[0022]下面结合附图对本技术做进一步详细描述：
[0023]如图1所示，为本技术所述的GIS用单屏蔽瓷套管，均压环1、中心导体3、空心瓷绝缘子2、用于内部绝缘的单屏蔽4、过渡法兰5、绝缘螺栓6和壳体。
[0024]空心瓷绝缘子2靠近后端为圆柱体，其余部位为圆锥体，中心导体3为细长的圆柱体，中心导体3位于空心瓷绝缘子2内部，并与空心瓷绝缘子2同轴设置，中心导体3前后两端从空心瓷绝缘子2前后两端伸出，中心导体3前端位于均压环1圆心处。
[0025]空心瓷绝缘子2的长度为4500～5000mm，最大伞径为
[0026]单屏蔽4为圆筒状，单屏蔽4设置在空心瓷绝缘子2内的后端，中心导体3穿过单屏蔽4中心，单屏蔽4沿周面均匀设置有多个绝缘螺栓6，每个绝缘螺栓6与空心瓷绝缘子2周面径向连接。
[0027]单屏蔽4长度700～800mm，内径400～500mm。
[0028]本实施例的绝缘螺栓6数量为4个，通过调整绝缘螺栓6的连接距离，从而调整单屏蔽4的位置，从而保证了单屏蔽4处于中心位置，使内部电场更加均匀。
[0029]空心瓷绝缘子2末端设置有过渡法兰5，单屏蔽4端部与过渡法兰5连接。
[0030]中心导体3采用螺纹连接在接线板上，中心导体3前端的圆柱形接线端采用镀银工艺制作，中心导体3后端采用铜材质镀银工艺，利用触指结构的触头实现与中心导体3的对接。
[0031]壳体为铸造铝合金外壳，壳体内腔采用多圆弧结构。
[0032]中心导体3的额定电压为550kV。可适用于550kV全封闭组合电器的高压进出线端，单屏蔽瓷套管采用单相单罐式结构，金属壳体外壳，为铸造铝合金外壳，其可根据用户的需要安装在GIS的合适位置，内部设计单屏蔽结构，使内部电场更加均匀。
[0033]产品壳体内腔采取多圆弧的结构，中心导体3端部采用了铜材质材料，增大了接触面积，使得中心导体3在载流能力上有所提高。中心导体3采用螺纹连接在接线板上，前端的圆柱形接线端采用镀银工艺，后端采用铜材质镀银工艺，利用触指结构的触头实现与导体的对接，使得内部连接结构可靠。
[0034]本技术具有良好的电气性能、较高的内绝缘水平、安全性能高，成本低等优点，满足了GIS厂家的需求，产品可以装配单独保护盖板进行独立单元运输，现场安装方便。
[0035]最后应当说明的是：以上实施例仅用以说明本技术的技术方案而非对其限制，尽管参照上述实施例对本技术进行了详细的说明，所属领域的普通技术人员应当理解：依然可以对本技术的具体实施方式进行修改或者等同替换，而未脱离本技术精神和范围的任何修改或者等同替换，其均应涵盖在本技术的权利要求保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种GIS用单屏蔽瓷套管，其特征在于，包括均压环(1)、空心瓷绝缘子(2)、中心导体(3)和单屏蔽(4)；中心导体(3)位于空心瓷绝缘子(2)内部，并与空心瓷绝缘子(2)同轴设置，中心导体(3)前后两端从空心瓷绝缘子(2)前后两端伸出，中心导体(3)前端位于均压环(1)圆心处；单屏蔽(4)为圆筒状，单屏蔽(4)设置在空心瓷绝缘子(2)内的后端，中心导体(3)穿过单屏蔽(4)中心，单屏蔽(4)沿周面均匀设置有多个绝缘螺栓(6)，每个绝缘螺栓(6)与空心瓷绝缘子(2)周面径向连接。2.根据权利要求1所述的GIS用单屏蔽瓷套管，其特征在于，空心瓷绝缘子(2)末端设置有过渡法兰(5)，单屏蔽(4)端部与过渡法兰(5)连接。3.根据权利要求1所述的GIS用单屏蔽瓷套管，其特征在于，中心导体(3)前端包裹有镀银层。4.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：史晓琪，李小圣，毛昭元，王卫国，顾振宇，李峥嵘，郝爽，徐颖，
申请(专利权)人：西安西电高压电瓷有限责任公司，
类型：新型
国别省市：