一种含1,3-二酮配体的化合物及其应用、一种有机致电发光器件制造技术

技术编号:33514404 阅读:19 留言:0更新日期:2022-05-19 01:22
本发明专利技术涉及有机电致发光器件领域,公开了一种含1,3

【技术实现步骤摘要】
一种含1,3

二酮配体的化合物及其应用、一种有机致电发光器件


[0001]本专利技术涉及有机电致发光器件领域,具体涉及一种含1,3

二酮配体的化合物及其应用、一种有机电致发光器件。

技术介绍

[0002]有机电致发光技术相比于传统的液晶技术来说,其无需背光源照射和滤色器,像素可自身发光呈现在彩色显示板上,并且,拥有超高对比度、超广可视角度、曲面、薄型等特点。
[0003]1987年柯达公司的邓青云博士等人报道了基于荧光效率高、电子传输性好的8

羟基喹啉铝和空穴传输性良好的芳香二胺两种有机半导体材料,通过热蒸镀制备了双层OLED器件,器件外量子效率首次达到1%,在低于10V的驱动电压,器件亮度高于1000cd/m2,掀起了OLED研究热潮,促使有机电致发光材料的进一步研究。
[0004]使用荧光材料的有机电致发光器件的内量子效率只有25%。在1997年,美国普林顿大学的Forrest教授等发现了磷光电致发光现象,使有机电致发光材料的研究进入一个新的时期。磷光材料是一类含有重金属的配合物,利用重金属原子造成的旋轨耦合效应使得配合物单重激发态和三重激发态的激子相互混合,使原本跃迁禁阻的三线态激子辐射跃迁成为可能,OLED器件的有效利用率提高到100%,同时金属配合物是具有相对较短的激发态寿命,高的发光量子效率和优异的发光颜色可调性,并且稳定性好的磷光材料。
[0005]目前应用于有机电致发光器件中的磷光材料在高浓度下容易发生聚集淬灭现象,而且在高亮度器件中存在着显著地三线态

三线态堙灭从而导致器件效率降低的现象。为了应对器件性能的不断提升的需求,开发具有高性能的磷光材料具有非常重大的意义。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是为了克服现有的有机电致发光器件存在的效率滚降大、发光效率低的问题。
[0007]为了实现上述目的,本专利技术的第一方面提供一种含1,3

二酮配体的化合物,该化合物具有Ir(L
A
)(L
B
)2所示的结构,其中,L
A
具有式(IA)所示的结构,L
B
为式(IB)所示的结构、L
B310
所示的结构、L
B311
所示的结构、L
B312
所示的结构、L
B313
所示的结构或L
B314
所示的结构;
[0008][0009]在式(IA)中,R1、R2、R3、R4各自独立地选自H、C1‑
C
20
的烷基、C6‑
C
20
的芳基;或者R1与R2的组合以及R3与R4的组合中的至少一个组合环合形成4

7元饱和环;
[0010]在式(IB)中,X为C或N,
[0011]Q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环;
[0012]R1、R2、R3、R4各自独立地选自H、C1‑
C
20
的烷基、C6‑
C
20
的芳基;或者R1、R2、R3、R4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的噻吩并吡啶环中的至少一种环结构;
[0013]且所述Q环上任选存在的取代基,以及R1、R2、R3、R4上任选存在的取代基,各自独立地选自C1‑
C
10
的烷基、苯基中的至少一种。
[0014]本专利技术的第二方面提供前述第一方面所述的含1,3

二酮配体的化合物作为有机电致磷光材料的应用。
[0015]本专利技术的第三方面提供一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件中含有前述第一方面所述的含1,3

二酮配体的化合物中的至少一种。
[0016]本专利技术具有如下具体的优点:
[0017](1)本专利技术提供的含1,3

二酮配体的化合物具有合成难度小、易提纯的优点,且其作为有机电致磷光材料时能够提升磷光材料的磷光量子效率,进而具有优异的发光性能;
[0018](2)本专利技术提供的含1,3

二酮配体的化合物作为有机电致磷光材料时能够降低磷光材料特有的浓度猝灭现象,并且能够提高磷光材料稳定性,进而能够提升器件的寿命;
[0019](3)本专利技术提供的含1,3

二酮配体的化合物作为有机电致磷光材料时能够降低三
线态

三线态淬灭的几率,进而提高器件的发光效率。
具体实施方式
[0020]在本文中所披露的范围的端点和任何值都不限于该精确的范围或值,这些范围或值应当理解为包含接近这些范围或值的值。对于数值范围来说,各个范围的端点值之间、各个范围的端点值和单独的点值之间,以及单独的点值之间可以彼此组合而得到一个或多个新的数值范围,这些数值范围应被视为在本文中具体公开。
[0021]在本专利技术中,在未作相反说明的情况下,本专利技术的术语解释如下:
[0022]C1‑
C
20
的烷基,表示碳原子总数为1

20的烷基,包括直链烷基、支链烷基和环烷基,例如可以为碳原子总数为1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19和20的直链烷基、支链烷基和环烷基,例如可以为甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、环丁基、正丁基、CH3CH(CH3)

CH2‑
、CH3CH2CH(CH3)

、叔丁基、正戊基、CH3CH(CH3)

CH2CH2‑
、环戊基、正己基、环己基、正庚基等。针对“C1‑
C
15
的烷基”、“C1‑
C
10
的烷基”、“C1‑
C8的烷基”、“C1‑
C7的烷基”、“C1‑
C6的烷基”等具有与此相似的解释,所不同的是,碳原子总数不同。
[0023]C6‑
C
20
的芳基,表示碳原子总数为6

20的芳基,且该芳基与本专利技术提供的母核结构的C直接相连,包括但不限于苯基、联苯基、本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含1,3

二酮配体的化合物,其特征在于,该化合物具有Ir(L
A
)(L
B
)2所示的结构,其中,L
A
具有式(IA)所示的结构,L
B
为式(IB)所示的结构、L
B310
所示的结构、L
B311
所示的结构、L
B312
所示的结构、L
B313
所示的结构或L
B314
所示的结构;在式(IA)中,R1、R2、R3、R4各自独立地选自H、C1‑
C
20
的烷基、C6‑
C
20
的芳基;或者R1与R2的组合以及R3与R4的组合中的至少一个组合环合形成4

7元饱和环;在式(IB)中,X为C或N,Q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环;R1、R2、R3、R4各自独立地选自H、C1‑
C
20
的烷基、C6‑
C
20
的芳基;或者R1、R2、R3、R4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的噻吩并吡啶环中的至少一种环结构;且所述Q环上任选存在的取代基,以及R1、R2、R3、R4上任选存在的取代基,各自独立地选自C1‑
C
10
的烷基、苯基中的至少一种。2.根据权利要求1所述的化合物,其中,在Ir(L
A
)(L
B
)2所示的结构中,L
A
具有式(IA)所示的结构,L
B
为式(IB)所示的结构、L
B310
所示的结构、L
B311
所示的结构、L
B312
所示的结构、L
B313
所示的结构或L
B314
所示的结构;在式(IA)中,R1、R2、R3、R4各自独立地选自H、C1‑
C
15
的烷基、C6‑
C
15
的芳基;或者R1与R2的组合以及R3与R4的组合中的至少一个组合环合形成4

7元饱和环;在式(IB)中,X为C或N,Q环选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的喹啉环、取代或未取代的异喹啉环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的菲环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吲哚环、取代或未取代的苯并噻唑环、取代或未取代的苯并噁唑
环、取代或未取代的苯并咪唑环、取代或未取代的二苯并噻吩环、取代或未取代的二苯并呋喃环、取代或未取代的苯并呋喃并吡啶环、取代或未取代的苯并噻吩并吡啶环、取代或未取代的苯并吲哚并吡啶环、取代或未取代的吡啶并吲哚并吡啶环、取代或未取代的咪唑环、取代或未取代的吡咯烷环;R1、R2、R3、R4各自独立地选自H、C1‑
C
15
的烷基、C6‑
C
15
的芳基;或者R1、R2、R3、R4中的任意相邻两者一起环合形成选自取代或未取代的苯环、取代或未取代的萘环、取代或未取代的苯并呋喃环、取代或未取代的吡啶并呋喃环、取代或未取代的苯并噻吩环、取代或未取代的噻吩并吡啶环中的至少一种环结构;且所述Q环上任选存在的取代基,以及R1、R2、R3、R4上任选存在的取代基,各自独立地选自C1‑
C8的烷基、苯基中的至少一种。3.根据权利要求1或2所述的化合物,其中,在Ir(L
A
)(L
B
)2所示的结构中,L
A
具有式(IA)所示的结构,L
B
为式(IB)所示的结构、L
B310
所...

【专利技术属性】
技术研发人员:吕瑶范洪涛冯美娟
申请(专利权)人:北京绿人科技有限责任公司
类型:发明
国别省市:

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