一种原位制备Fe2O3纳米棒阵列薄膜的方法及其制得的薄膜技术

本发明专利技术公开了一种原位制备Fe2O3纳米棒阵列薄膜的方法及其制得的薄膜，通过有机铵盐的制备、二维层状氯化亚铁基杂化钙钛矿的制备、氯化亚铁基杂化钙钛矿旋涂制膜、氯化亚铁基杂化钙钛矿膜层的烧结，从而在基底上原位制备得到Fe2O3纳米棒阵列薄膜。本发明专利技术利用氯化亚铁基杂化钙钛矿结晶模板，通过煅烧去除有机组分，在基底上原位制得的Fe2O3纳米棒阵列形貌均匀、垂直有序排列，并且纳米棒的尺寸和形貌可控。本发明专利技术制备过程简单、成本低，有利于推广和应用。和应用。和应用。

【技术实现步骤摘要】
一种原位制备Fe2O3纳米棒阵列薄膜的方法及其制得的薄膜


[0001]本专利技术涉及纳米Fe2O3材料
，尤其涉及一种原位制备Fe2O3纳米棒阵列薄膜的方法及其制得的薄膜。

技术介绍

[0002]Fe2O3是一种在常温下对环境极为稳定的n型半导体，禁带宽度约为2.1 eV，同时具有磁性、无毒、对环境友好和优良的光学吸收特性等性能。因此在光催化制氢、催化剂、磁性存储器、光敏、气敏传感器、生物医疗等领域有着十分广阔的应用前景。
[0003]纳米材料的物理性质与其所具有的微结构有密切联系，如何在生长中对一维纳米结构进行精确控制，获得具有特定尺度和形貌的一维Fe2O3纳米结构就成了大家普遍关心的问题。国内外对一维Fe2O3纳米结构的排列和自组装进行了大量的研究工作, 如模板法、催化生长法、Langmuir-Blodgett膜、流体排列法、电镀、气固( vapor-solid) 或液固( liquid-solid) 直接生长方法等。目前，尽管合成Fe2O3纳米棒的现有技术较多，但对其生长机理的认识依然存在争议, 同时所制备的一维Fe2O3纳本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种原位制备Fe2O3纳米棒阵列薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(1) 有机铵盐的制备有机单胺RNH2或有机双胺NH2RNH2的乙醇溶液，其中R＝C
n
H
2n
，n≥1，与盐酸进行加热回流反应，经减压蒸馏、过滤、重结晶、干燥后，制得有机单铵盐RNH3Cl或有机二铵盐NH3ClRNH3Cl；(2) 二维层状氯化亚铁基杂化钙钛矿的制备按照摩尔质量比所述有机单铵盐RNH3Cl∶氯化亚铁＝2∶1，或所述有机二铵盐NH3ClRNH3Cl∶氯化亚铁＝1∶1，将所述有机单铵盐RNH3Cl的乙醇溶液，或所述有机二铵盐NH3ClRNH3Cl的乙醇溶液，与氯化亚铁的乙醇溶液混合，在氮气氛围中，进行加热回流反应，经减压蒸馏、过滤、重结晶、干燥后，制得二维层状氯化亚铁基杂化钙钛矿(RNH3)2FeCl4或NH3RNH3FeCl4；(3) 氯化亚铁基杂化钙钛矿旋涂制膜将所述杂化钙钛矿(RNH3)2FeCl4或NH3RNH3FeCl4溶于溶剂后，在氮气氛围中，采用匀胶机在已清洗的基底上通过旋涂制备得到氯化亚铁基杂化钙钛矿膜层；(4) 氯化亚铁基杂化钙钛矿的烧结将所述氯化亚铁基杂化钙...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志胜，柯蔚芳，李靖，
申请(专利权)人：柯蔚芳，
类型：发明
国别省市：