半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室技术

本发明专利技术涉及半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室，属于半导体刻蚀工艺配套设备领域，解决了现有技术中由于阀门开启时压力的不同步的问题。本发明专利技术公开的半导体设备腔室压力调节阀总成，包括：摆阀阀体、振子板和蝶阀；所述摆阀阀体两端分别通过真空管连通设备腔室和真空泵；振子板垂直于摆阀阀体内部的气体通道方向，一端与摆阀阀体转动连接，通过振子板的转动调节摆阀阀体内部气体通道的开闭状态；振子板中央设有圆形通气孔，蝶阀设置在所述通气孔处，蝶阀为两分体式的对称结构，两分体部分能够绕对称轴反向转动调节通气孔的开闭。实现了半导体刻蚀工艺进行中压力的平稳有效的控制。平稳有效的控制。平稳有效的控制。

【技术实现步骤摘要】
半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室


[0001]本专利技术涉及半导体刻蚀工艺配套设备
，尤其涉及半导体设备腔室压力调节阀总成、压力调节方法及设备室。

技术介绍

[0002]刻蚀(Etch)，是半导体制造工艺中的最为尖端的工艺之一，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的相当重要的步骤。狭义上的刻蚀就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，其基本目标是在涂胶的硅片上正确地复制掩模图形。随着微制造工艺的发展，广义上来讲，刻蚀成了通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适叫法。刻蚀分为干法刻蚀和湿法刻蚀，目前应用最为广泛的是干法刻蚀。干法刻蚀种类很多，包括光挥发、气相腐蚀、等离子体腐蚀等。等离子刻蚀，是干法刻蚀中最常见的一种形式，其原理是在低压甚至真空条件下暴露在电子区域的气体形成等离子体，由此产生的电离气体和释放高能电子组成的气体，从而形成了等离子或离子，电离气体原子通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体设备腔室压力调节阀总成，其特征在于，包括：摆阀阀体、振子板和蝶阀；所述摆阀阀体两端分别通过真空管连通设备腔室和真空泵；所述振子板垂直于摆阀阀体内部的气体通道方向，一端与摆阀阀体转动连接，通过振子板的转动调节内部气体通道的开闭状态；所述振子板中央设有圆形通气孔，所述蝶阀设置在所述通气孔处，所述蝶阀为两分体式的对称结构，两分体部分能够绕对称轴反向转动调节通气孔的开闭。2.根据权利要求1所述的一种半导体设备腔室压力调节阀总成，其特征在于，还包括第一驱动机构和第一传动机构，第一驱动机构驱动第一传动机构带动振子板转动，实现气体通道的开闭。3.根据权利要求1所述的一种半导体设备腔室压力调节阀总成，其特征在于，所述蝶阀包括阀板和阀轴，所述阀板包括对称的两个半圆形的阀叶，即第一阀叶和第二阀叶，第一阀叶和第二阀叶通过阀轴与振子板可转动连接，第一阀叶和第二阀叶能够绕阀轴反向转动；所述第一阀叶和第二阀叶转动至与内部气体通道垂直时，形成的圆形阀板能够完全覆盖通气孔实现全闭状态；所述第一阀叶和第二阀叶转动至与内部气体通道平行时，实现全开状态。4.根据权利要求3所述的一种半导体设备腔室压力调节阀总成，其特征在于，所述阀板的面积大于等于所述通气孔的面积，阀板位于振子板靠近真空泵一侧。5.根据权利要求1所述的一种半导体设备腔室压力调节阀总成，其特征在于，还包括：密封圈，所述密封圈设置在所述振子板与摆阀阀体之间，在闭合状态下振子板与摆阀阀体紧密贴合。6.根据权利要求3所述的一种半导体设备腔室压力调节阀总成，其特征在于，第一阀叶和第二阀叶与振子板之间均设置有密封...

【专利技术属性】
技术研发人员：金建澔，李俊杰，李琳，王佳，周娜，
申请(专利权)人：真芯北京半导体有限责任公司，
类型：发明
国别省市：