一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法技术

一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法。包括：将铌酸锂晶片进行氟化氢铵浸泡清洗；将晶片进行有机溶剂清洗液超声清洗；将晶片进行去离子水冲洗；将晶片进行双面毛刷刷洗；将晶片进行单面毛刷刷洗，最终可以得到一种碎片率低、洁净度高的铌酸锂晶片。净度高的铌酸锂晶片。净度高的铌酸锂晶片。

【技术实现步骤摘要】
一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法


[0001]本专利技术属于半导体材料清洗领域，具体涉及一种半导体材料铌酸锂单面抛光晶片的清洗方法。

技术介绍

[0002]铌酸锂是一种集压电、铁电、热释电、非线性、光电、光弹、光折变等功能于一体的多功能材料。铌酸锂因其卓越的物理特性，得到了越来越多的关注，在航空、航天，民用光电产品等领域得到广泛应用。经过抛光后的铌酸锂基片广泛应用于传感器、声光器件、光陀螺仪等。不同于硅晶片和蓝宝石晶片，它的特点是极低的断裂韧性，使得铌酸锂晶片在清洗过程中极易碎裂，导致企业生产成本高。
[0003]随着IC设计技术和制造技术的发展和进步，对铌酸锂晶片的表面洁净度要求不断提高，然而，铌酸锂晶片具有较强的静电吸附能力，使得晶片表面颗粒难以处理，铌酸锂晶片表面的颗粒污染会对涂胶、镀膜等后续工序造成直接影响，会导致晶片不良。因此，不仅需要在包装和运输环节上进行洁净保护，更需要从产品源头上做到高洁净度的良好品质，让铌酸锂晶片保持表面洁净度的高要求。晶片清洗环节作为去除晶片表面颗粒污染的主要工序，对保持铌酸锂晶片表面高洁净度起到了至关本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法，其特征在于，包括下列具体步骤：a) 将铌酸锂晶片置于氟化氢铵稀释液中浸泡，去除抛光后晶片表面的二氧化硅抛光液残留，然后将晶片置于纯水中漂洗；b) 将步骤a)处理后的铌酸锂晶片置于55
‑
65℃的纯水中预热浸泡1
‑
3分钟，然后将晶片置于70
‑
80℃的有机溶剂清洗液中进行超声清洗10
‑
20分钟，去除晶片表面沾污；c) 采用去离子水将步骤b)处理后的铌酸锂晶片进行喷淋、注水、溢流、快排处理，进行重复处理后，去除晶片表面微粒杂质和清洗液残留；d) 将步骤c)处理后的铌酸锂晶片先在碱性清洗溶液中用双面毛刷刷洗，后在去离子水中用双面毛刷刷洗和喷淋冲洗，然后进行甩干处理，其中，碱性清洗溶液由去离子水和碱性清洗剂按体积比30～50：1混合而成；e) 将步骤d)处理后的铌酸锂晶片背面吸附在真空平台上，抛光面朝上进行单面毛刷刷洗，毛刷下压距离为900
‑
1200μm，毛刷在晶片表面旋转并平移，刷至晶片边缘时停顿3
‑
5s，刷洗时同时进行二流体喷淋，然后进行去离子水冲洗和甩干处理，使得晶片表面上不小于0.3μm的颗粒不超过30颗。2.根据权利要求1所述的一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法，其特征在于，所述步骤a)中，铌酸锂晶片在氟化氢铵稀释液中浸泡温度为30
‑
40℃，浸泡时间为10
‑
30分钟，晶片在30
‑
40℃的纯水中漂洗3
‑
5分钟。3.根据权利要求1所述的一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法，其特征在于，所述步骤a)中，氟化氢铵的质量分数为98％，氟化氢铵稀释液为纯水和氟化氢铵按照质量比10～15：1混合而成。4.根据权利要求1所述的一种铌酸锂单面抛光片的清洗方法，其特征在于，所述步骤b)中，超声频率为40kHZ，有机溶剂清洗液由纯水和有机溶剂按体积比5～10：1混合而成，有机溶剂清洗剂的各成份质量比为异丙醇胺15～20%、N
‑
甲基吡...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐秋峰，曹焕，沈浩，张忠伟，钱煜，张伟明，濮思麒，
申请(专利权)人：天通控股股份有限公司，
类型：发明
国别省市：