一种晶圆减薄抛光装置制造方法及图纸

技术编号:33502714 阅读:70 留言:0更新日期:2022-05-19 01:12
一种晶圆减薄抛光装置,包括贴胶单元、运输单元、减薄抛光单元。贴胶单元用于在晶圆正面贴胶。运输单元设于贴胶单元一侧,用于翻转并运送贴胶后的晶圆。减薄抛光单元设于运输单元一侧,包括第六无杆直线气缸,其滑动端一侧设有第三旋转电机,第三旋转电机输出轴一端设有组合架,其上设有一对第四旋转电机,其输出轴均设有研磨盘,一研磨盘为粗磨盘,另一研磨盘为精磨盘,丝杆升降组件的滑块一侧面设有第五旋转电机,其输出轴一端设有抛光轮,丝杆升降组件两侧设有两组喷液管,丝杆升降组件一侧还设有多个激光测距传感器。本发明专利技术的晶圆减薄抛光装置可自动贴胶并运输,结构简单,设备成本低,减薄抛光精度高,抛光后晶圆厚度均一性较好。较好。较好。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆减薄抛光装置


[0001]本专利技术涉及半导体产品制造
,尤其涉及一种晶圆减薄抛光装置。

技术介绍

[0002]在半导体产品制造中,需要使用晶圆,为了保证晶圆在测试和运输过程中保持足够的强度,从晶圆厂出厂的晶圆都比较厚。晶圆在使用前,需要进行减薄、抛光,以达到提高其散热效率、减小芯片封装体积、提高电性能等要求。减薄抛光工艺包括四步:(1)在晶圆正面贴胶,在晶圆背面被打磨时保护电路;(2)粗磨:通过粒度较大的研磨盘进行研磨,效率较高,减薄量较大;(3)精磨:通过粒度较小的研磨盘进行研磨,效率降低,精度提高,可减少粗磨损伤;(4)抛光:速度进一步降低,对精度要求最高,采用抛光布进行抛光,使晶圆表面光亮,提高其质量和平整度。
[0003]现有技术存在着多个问题:采用人工贴胶的方式,效率较低;粗磨、精磨、抛光采用若干套复杂的模块,设备成本较高,步骤间转换速度慢;抛光时只在晶圆的一个位置喷洒抛光液,液体不均匀,影响抛光效果。

技术实现思路

[0004]针对上述缺陷,本专利技术提供一种晶圆减薄抛光装置,可自动贴胶并运输本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆减薄抛光装置,其特征在于,包括:贴胶单元(1),包括贴胶组件,用于在晶圆(5)正面贴胶;运输单元(2),设于贴胶单元(1)一侧,用于翻转并运送贴胶后的晶圆(5);减薄抛光单元(3),设于运输单元(2)一侧,包括竖直设置的第六无杆直线气缸(321),其滑动端一侧设有与其滑动方向垂直的第三旋转电机(33),第三旋转电机(33)输出轴一端设有组合架(331),其上设有一对输出轴均竖直且向相反方向设置的第四旋转电机(34),其输出轴均设有研磨盘(341),一研磨盘(341)为粗磨盘,另一研磨盘(341)为精磨盘,第六无杆直线气缸(321)一侧设有丝杆升降组件,其丝杆上设有滑块(353),滑块(353)一侧面设有竖直设置的第五旋转电机(36),其输出轴一端设有抛光轮(37),抛光轮(37)下端装配有抛光布(371),丝杆升降组件两侧设有两组喷液管(382),喷液管(382)的喷头(383)指向抛光布(371)下方的抛光位置,丝杆升降组件一侧还设有第四单轴直线气缸(391),其输出轴设有多个竖直设置的激光测距传感器(392)。2.根据权利要求1所述的晶圆减薄抛光装置,其特征在于,贴胶单元(1)还包括顶架(10)及设于顶架(10)下端的底架(11),底架(11)上设有晶圆架(4)。3.根据权利要求2所述的晶圆减薄抛光装置,其特征在于,贴胶单元(1)还包括用于拾取晶圆(5)的拾取组件,其包括设于底架(11)一侧的第一旋转电机(12),其输出轴一端设有第一无杆直线气缸(13),其滑动端上端设有竖直设置的第一单轴直线气缸(14),第一单轴直线气缸(14)输出轴一端设有一对硅胶板(143)。4.根据权利要求2所述的晶圆减薄抛光装置,其特征在于,贴胶组件包括用于绕设胶布(6)的胶布杆(15),其两侧设有一对第二无杆直线气缸(16),第二无杆直线气缸(16)滑动端一侧面设有气动夹爪(161),胶布(6)拉出部上方设有第三无杆直线气缸(17),且其与胶布(6)拉出方向平行,第三无杆直线气缸(17)滑动端下方设有倾斜设置的第二单轴直线气缸(18),其输出轴一端设有压辊(183),胶布杆(15)一侧设有第四无杆直线气缸(19),其滑动端下端...

【专利技术属性】
技术研发人员:李蛇宏杨益东
申请(专利权)人:四川明泰微电子科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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