零增益温漂直流磁场测量方法技术

技术编号:33502657 阅读:15 留言:0更新日期:2022-05-19 01:12
本发明专利技术公开了一种零增益温漂直流磁场测量方法,涉及磁场测量技术领域。所述零增益温漂直流磁场测量方法包括以下步骤:在待测磁场中,生成预设磁场强度的第一固定磁场,形成第一复合磁场;对所述第一复合磁场进行测量,获得第一无零偏温漂测量值;在待测磁场中,生成预设磁场强度的第二固定磁场,形成第二复合磁场,其中所述第二固定磁场的磁场方向与所述第一固定磁场的磁场方向相反;对所述第二复合磁场进行测量,获得第二无零偏温漂测量值;根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值。本发明专利技术通过消除磁场测量过程中的增益温漂,提高了测量结果的准确性。性。性。

【技术实现步骤摘要】
零增益温漂直流磁场测量方法


[0001]本专利技术涉及磁场测量
,尤其涉及一种零增益温漂直流磁场测量方法。

技术介绍

[0002]磁场传感器是可以将各种磁场及其变化的量转变成电信号输出的装置,目前的应用范围非常广泛。对于线性测量系统,磁场传感器输出的电信号,或称测量信号Sc,与原始的物理信号Sw之间,都是线性关系,即:Sc = kSw + A。其中,k 为整个测量系统的增益,包括传感器的灵敏度;A 是整个测量系统的零点失调,包括传感器的零点偏移。
[0003]由于 k 和 A 都与温度(t)有关,是温度的函数(实测一般是温度的二次多项式函数),因此,增益 k(t)和零偏 A(t)这两个系数都是随温度变化而变化的,而且随着测量系统的逐渐老化,这两个系数随温度的变化曲线也是变化的,这就令人很头疼了。传统办法是在磁场传感器中放置温度传感器,然后分别对不同的温度进行标定,最后形成温度修正数据,用于对测量结果进行修正。但传统方法存在标定工作量大、随时间推移还需要再次进行标定,标定工作需要厂家才能进行等问题,因此,温度修正数据的及时性和准确性均难以保证,进而导致最终测量结果的准确性偏低。
[0004]而目前虽然也存在可以实时消除零偏温漂的相关技术,但依旧难以消除增益温漂,测量结果的准确性偏低。
[0005]上述内容仅用于辅助理解本专利技术的技术方案,并不代表承认上述内容是现有技术。

技术实现思路

[0006]本专利技术的主要目的在于提供一种零增益温漂直流磁场测量方法,旨在解决磁场测量过程中难以消除增益温漂,导致测量结果的准确性偏低的技术问题。
[0007]为实现上述目的,本专利技术提供一种零增益温漂直流磁场测量方法,所述零增益温漂直流磁场测量方法包括以下步骤:在待测磁场中,生成预设磁场强度的第一固定磁场,形成第一复合磁场;对所述第一复合磁场进行测量,获得第一无零偏温漂测量值;在待测磁场中,生成预设磁场强度的第二固定磁场,形成第二复合磁场,其中所述第二固定磁场的磁场方向与所述第一固定磁场的磁场方向相反;对所述第二复合磁场进行测量,获得第二无零偏温漂测量值;根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值。
[0008]可选地,所述根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值的步骤包括:计算得出所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值的商值,以消除所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值中的温度项;
根据所述商值和预设磁场强度,计算得出所述待测磁场的零增益温漂测量值。
[0009]可选地,所述第一固定磁场与所述待测磁场的磁场方向一致,所述根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值的步骤包括:根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,以及如下计算公式:(B+g)/(B

g)= Sc1/Sc2,式中B为零增益温漂测量值,g为预设磁场强度, Sc1为第一无零偏温漂测量值,Sc2为第二无零偏温漂测量值;计算得出所述待测磁场的零增益温漂测量值 B=g(Sc1+Sc2)/(Sc1‑
Sc2)。
[0010]可选地,所述对所述第一复合磁场进行测量,获得第一无零偏温漂测量值的步骤包括:对所述第一复合磁场进行测量,获得第一测量值;对所述第一测量值执行预设零偏温漂消除操作,获得第一无零偏温漂测量值。
[0011]可选地,所述对所述第一测量值执行预设零偏温漂消除操作,获得第一无零偏温漂测量值的步骤包括:获取第一测量温度,根据预设映射表获得所述第一测量温度对应的第一零偏温漂补偿值;根据所述第一零偏温漂补偿值对所述第一测量值进行补偿,获得所述第一无零偏温漂测量值。
[0012]可选地,所述对所述第二复合磁场进行测量,获得第二无零偏温漂测量值的步骤包括:对所述第二复合磁场进行测量,获得第二测量值;对所述第二测量值执行预设零偏温漂消除操作,获得第二无零偏温漂测量值。
[0013]可选地,所述对所述第二测量值执行预设零偏温漂消除操作,获得第二无零偏温漂测量值的步骤包括:获取第二测量温度,根据预设映射表获得所述第二测量温度对应的第二零偏温漂补偿值;根据所述第二零偏温漂补偿值对所述第二测量值进行补偿,获得所述第二无零偏温漂测量值。
[0014]可选地,所述根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值的步骤之后还包括:将所述零增益温漂测量值转化为数字信号输出至预设显示模组,以使所述预设显示模组进行显示。
[0015]此外,为实现上述目的,本专利技术还提供一种零增益温漂直流磁场测量系统,所述零增益温漂直流磁场测量系统包括:第一磁场生成模块,用于在待测磁场中,生成预设磁场强度的第一固定磁场,形成第一复合磁场;第一测量模块,用于对所述第一复合磁场进行测量,获得第一无零偏温漂测量值;第二磁场生成模块,用于在待测磁场中,生成预设磁场强度的第二固定磁场,形成
第二复合磁场,其中所述第二固定磁场的磁场方向与所述第一固定磁场的磁场方向相反;第二测量生成模块,用于对所述第二复合磁场进行测量,获得第二无零偏温漂测量值;计算模块,用于根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值。
[0016]此外,为实现上述目的,本专利技术还提供一种零增益温漂直流磁场测量设备,所述零增益温漂直流磁场测量设备包括:磁场生成元件、磁场测量元件、单片机及存储在所述单片机上并可在所述单片机上运行的零增益温漂直流磁场测量程序,所述零增益温漂直流磁场测量程序被所述单片机执行时实现如上任一项所述的零增益温漂直流磁场测量方法的步骤。
[0017]本专利技术提出的一种零增益温漂直流磁场测量方法,通过在待测磁场中,生成预设磁场强度的第一固定磁场,形成第一复合磁场;对所述第一复合磁场进行测量,获得第一无零偏温漂测量值;在待测磁场中,生成预设磁场强度的第二固定磁场,形成第二复合磁场,其中所述第二固定磁场的磁场方向与所述第一固定磁场的磁场方向相反;对所述第二复合磁场进行测量,获得第二无零偏温漂测量值,即获得第一无零偏温漂测量值Sc1= k(t)Sw1和第二无零偏温漂测量值Sc2= k(t)Sw2。然后,通过第一无零偏温漂测量值Sc1和第二无零偏温漂测量值Sc2两者相除,即可消除增益温漂的影响。由于第一固定磁场和第二固定磁场对应的预设磁场强度为预先设置的已知值,因此,则可以根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,计算得出所述待测磁场的零增益温漂测量值(即不受增益温漂和零偏温漂影响的实际磁场强度值)。本专利技术通过对待测磁场的磁场强度进行增减,进而对增减后获得的测量值进行计算,获得所述待测磁场不受增益温漂干扰的零增益温漂测量值,本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种零增益温漂直流磁场测量方法,其特征在于,所述零增益温漂直流磁场测量方法包括以下步骤:在待测磁场中,生成预设磁场强度的第一固定磁场,形成第一复合磁场;对所述第一复合磁场进行测量,获得第一无零偏温漂测量值;在待测磁场中,生成预设磁场强度的第二固定磁场,形成第二复合磁场,其中所述第二固定磁场的磁场方向与所述第一固定磁场的磁场方向相反;对所述第二复合磁场进行测量,获得第二无零偏温漂测量值;根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值。2.如权利要求1所述的零增益温漂直流磁场测量方法,其特征在于,所述根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值的步骤包括:计算得出所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值的商值,以消除所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值中的温度项;根据所述商值和预设磁场强度,计算得出所述待测磁场的零增益温漂测量值。3.如权利要求2所述的零增益温漂直流磁场测量方法,其特征在于,所述第一固定磁场与所述待测磁场的磁场方向一致,所述根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,获得所述待测磁场的零增益温漂测量值的步骤包括:根据所述预设磁场强度、所述第一无零偏温漂测量值和所述第二无零偏温漂测量值,以及如下计算公式:(B+g)/(B

g)= Sc1/Sc2,式中B为零增益温漂测量值,g为预设磁场强度, Sc1为第一无零偏温漂测量值,Sc2为第二无零偏温漂测量值;计算得出所述待测磁场的零增益温漂测量值 B=g(Sc1+Sc2)/(Sc1‑
Sc2)。4.如权利要求1所述的零增益温漂直流磁场测量方法,其特征在于,所述对所述第一复合磁场进行测量,获得第一无零偏温漂测量值的步骤包括:对所述第一复合磁场进行测量,获得第一测量值;对所述第一测量值执行预设零偏温漂消除操作,获得第一无零偏温漂测量值。5.如权利要求4所述的零增益温漂直流磁场测量方法,其特征在于,所述对所述第一测量值执行预设零偏温漂消除操作,获得第一无零偏温漂测量值的步骤包括:获取第一测量温度,根据预...

【专利技术属性】
技术研发人员:项飙马云镇
申请(专利权)人:深圳市柯雷科技开发有限公司
类型:发明
国别省市:

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