【技术实现步骤摘要】
指令发射方法及装置、电子设备及存储介质
[0001]本公开的实施例涉及一种指令发射方法、指令发射装置、电子设备及存储介质。
技术介绍
[0002]目前，随着芯片工艺技术的不断发展和进步，高速度、高集成度、低功耗和低成本已成为集成电路产业的主要发展方向，市场对于芯片产品的性能要求也相应提升。因此，芯片的设计规模和复杂度也随之大大增加，同时，芯片工作时的功耗限定也已经成为制约芯片设计的重要因素之一。
技术实现思路
[0003]本公开至少一个实施例提供一种指令发射方法，该指令发射方法包括：在指令发射队列中选择满足发射条件的可发射指令，所述发射条件包括指令功耗限制和指令的操作数状态；以及将所述可发射指令从所述指令发射队列中发射，以用于执行所述可发射指令。
[0004]例如，在本公开一实施例提供的指令发射方法中，所述指令功耗限制包括所述指令发射队列中的待发射指令的执行功耗是否超过当前功耗余量。
[0005]例如，在本公开一实施例提供的指令发射方法中，在所述指令发射队列中选择满足所述发射条件的所述可发射指...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种指令发射方法，包括：在指令发射队列中选择满足发射条件的可发射指令，其中，所述发射条件包括指令功耗限制和指令的操作数状态；以及将所述可发射指令从所述指令发射队列中发射，以用于执行所述可发射指令。2.根据权利要求1所述的指令发射方法，其中，所述指令功耗限制包括所述指令发射队列中的待发射指令的执行功耗是否超过当前功耗余量。3.根据权利要求2所述的指令发射方法，其中，在所述指令发射队列中选择满足所述发射条件的所述可发射指令，包括：确定所述指令发射队列中的待发射指令的执行功耗是否超过所述当前功耗余量；若所述待发射指令的执行功耗大于所述当前功耗余量，则所述待发射指令不满足所述发射条件；若所述待发射指令的执行功耗小于或等于所述当前功耗余量，则所述待发射指令满足所述发射条件。4.根据权利要求2或3所述的指令发射方法，其中，所述当前功耗余量为预设最高功耗与当前的窗口周期内的累计功耗之间的差值，所述窗口周期包括至少一个时钟周期，所述窗口周期内的累计功耗对应于所述窗口周期内从所述指令发射队列中发射的全部可发射指令的执行功耗的总累计。5.根据权利要求4所述的指令发射方法，其中，响应于新的可发射指令从所述指令发射队列中发射，新的窗口周期内的累计功耗采用如下公式表示：TPCnew = TPCprev + PCnew－APCprev，其中，TPCnew为所述新的窗口周期内的累计功耗，TPCprev为上一个窗口周期内的累计功耗，PCnew为所述新的可发射指令的执行功耗，APCprev为所述上一个窗口周期内的平均功耗，其中，所述窗口周期内的平均功耗为所述窗口周期内的累计功耗与所述窗口周期内包括的时钟周期的数目之间的比值。6.根据权利要求4所述的指令发射方法，其中，响应于新的可发射指令从所述指令发射队列中发射，新的窗口周期内的累计功耗采用如下公式表示：TPCnew = TPCprev + PCnew－PV，其中，TPCnew为所述新的窗口周期内的累计功耗，TPCprev为上一个窗口周期内的累计功耗，PCnew为所述新的可发射指令的执行功耗，PV为预估能力值。7.根据权利要求6所述的指令发射方法，其中，所述预估能力值为指令平均功耗预估值，或者所述预估能力值为散热能力预估值。8.根据权利要求4所述的指令发射方法，其中，所述发射条件还包括指令功耗增量限制，所述指令功耗增量限制包括所述指令发射队列中的待发射指令的功耗增量是否超过当前功耗增量余量，所述功耗增量为所述待发射指令的执行功耗与当前的所述窗口周期内的平均功耗之间的差值，所述窗口周期内的平均功耗为所述窗口周期内的累计功耗与所述窗口周期内包括的时钟周期的数目之间的比值。9.根据权利要求8所述的指令发射方法，其中，所述当前功耗增量余量为预设最高功耗
增量与当前的所述窗口周期内的累计功耗增量之间的差值，所述窗口周期内的累计功耗增量对应于所述窗口周期内从所述指令发射队列中发射的全部可发射指令的功耗增量的总累计。10.根据权利要求9所述的指令发射方法，其中，响应于新的可发射指令从所述指令发射队列中发射，新的窗口周期内的累计功耗增量采用如下公式表示：TPInew = TPIprev + PInew－APIprev，其中，TPInew为所述新的窗口周期内的累计功耗增量，TPIprev为上一个窗口周期内的累计功耗增量，PInew为所述新的可发射指令的功耗增...
【专利技术属性】
技术研发人员：潘杰，耿恒生，郭津榜，
申请(专利权)人：海光信息技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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