一种存储装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号:33484811 阅读:23 留言:0更新日期:2022-05-19 00:58
本申请公开了一种存储装置和电子设备,该存储装置包括:电路基板;低功耗双倍数据速率内存芯片,设于电路基板的至少一侧面上;触片,设于电路基板的端部且连接低功耗双倍数据速率内存芯片,以形成存储装置的接口。上述方式,本申请中的低功耗双倍数据速率内存芯片通过贴设于对应形成有接口的电路基板上,以能够通过插接的方式与相应电子设备实现电连接,从而便于利用不同封装的内存颗粒进行接口统一设计,同时也利于后续进行插拔维修和更换。同时也利于后续进行插拔维修和更换。同时也利于后续进行插拔维修和更换。

【技术实现步骤摘要】
一种存储装置和电子设备


[0001]本申请涉及存储
,尤其涉及一种存储装置和电子设备。

技术介绍

[0002]现今,随着各种电子设备的发展,相应地,各类与之相配的存储装置也得到了极大的发展。其中,LPDDR(Low Power Double Data Rate SDRAM,低功耗双倍数据速率同步动态随机存取内存)是DDR SDRAM的一种,又称为mDDR(Mobile DDR SDRAM),是JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council,微电子产业的领导标准机构)固态技术协会面向低功耗内存而制定的通信标准,以低功耗和小体积著称,专门用于移动式电子产品。
[0003]然而,现有的LPDDR均是以嵌入式的形式,也即贴装在移动式电子产品的主机板上的方式进入市场的,而并不支持LPDDR颗粒,且极不方便后续的维修和更换。

技术实现思路

[0004]本申请提供一种存储装置和电子设备,以能够解决现有技术中的LPDDR存储装置,不支持LPDDR颗粒,且极不方便后续的维修和更换的问题。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储装置,其特征在于,所述存储装置包括:电路基板;低功耗双倍数据速率内存芯片,设于所述电路基板的至少一侧面上;触片,设于所述电路基板的端部且连接所述低功耗双倍数据速率内存芯片,以形成所述存储装置的接口。2.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述存储装置还包括数据地址总线,所述低功耗双倍数据速率内存芯片的数量为至少一个,每一所述低功耗双倍数据速率内存芯片通过至少一个所述数据地址总线连接至所述触片。3.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述存储装置还包括串行检测IC芯片,所述串行检测IC芯片通过所述电路基板中的内层线路和/或外层线路连接至所述低功耗双倍数据速率内存芯片。4.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述存储装置还包括电源管理芯片,所述电源管理芯片通过所述电路基板中的内层线路和/或外层线路连接至所述低功耗双倍数据速率内存芯片。5.根据权利要求1所述的存储装置,其特征在于,所述存储装置还包括辅助电路,所述辅助电路通过所述电路基板中...

【专利技术属性】
技术研发人员:程振魏洪学李志雄
申请(专利权)人:深圳市江波龙电子股份有限公司
类型:新型
国别省市:

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