导电结构层、显示面板制造技术

本公开涉及显示技术领域，提出一种导电结构层、显示面板，该导电结构层包括：铝合金层、第一导电层、第二导电层，第一导电层位于所述铝合金层的一侧；第二导电层位于所述铝合金层背离所述第二导电层的一侧；其中，所述第一导电层材料和所述第二导电层材料的熔点大于所述铝合金层材料的熔点。该导电结构层具有较小的方块电阻。的方块电阻。的方块电阻。

【技术实现步骤摘要】
导电结构层、显示面板


[0001]本公开涉及显示
，尤其涉及一种导电结构层、显示面板。

技术介绍

[0002]相关技术中，显示面板中的栅极层通常通过钼层实现，然而，钼层的方块电阻较大，1厘米厚度钼层的方块电阻为13μΩ/sq，较大方块电阻的栅极层不利于高刷新率和大尺寸显示面板的设计。
[0003]需要说明的是，在上述
技术介绍
部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种导电结构层、显示面板。该导电结构层可以解决现有导电结构层方块电阻较大的技术问题。
[0005]根据本公开的一个方面，提供一种导电结构层，该导电结构层包括：铝合金层、第一导电层、第二导电层，第一导电层位于所述铝合金层的一侧；第二导电层位于所述铝合金层背离所述第二导电层的一侧；其中，所述第一导电层材料和所述第二导电层材料的熔点大于所述铝合金层材料的熔点。
[0006]本公开一种示例性实施例中，所述第一导电层为氮化钛层、钼层、铌层中的任意一种，所述第二导电层为氮化钛层、钼层、铌层中的任意一种。
[0007]本公开一种示例性实施例中，所述铝合金层的材料包括：铝、铼、硅、铁。
[0008]本公开一种示例性实施例中，所述铝合金层在厚度1厘米时的方块电阻为2.5
‑
4.5μΩ/sq。
[0009]本公开一种示例性实施例中，所述导电结构层用于显示面板的栅极层，所述显示面板包括氮化硅层，所述导电结构层的至少一侧面与所述氮化硅层接触连接；所述第一导电层和所述第二导电层的材料为氮化钛，所述导电结构层还包括：第三导电层、第四导电层，第三导电层位于所述第二导电层背离所述铝合金层的一侧；第四导电层位于所述第一导电层背离所述铝合金层的一侧；其中，所述第三导电层与氮化硅层在高温下的粘结力大于所述第二导电层与氮化硅层在高温下的粘结力，所述第四导电层与氮化硅层在高温下的粘结力大于所述第二导电层与氮化硅层在高温下的粘结力。
[0010]本公开一种示例性实施例中，所述显示面板还包括衬底基板，所述第四导电层位于所述铝合金层背离所述衬底基板的一侧，所述第四导电层材料的熔点大于所述铝合金层材料的熔点。
[0011]本公开一种示例性实施例中，所述显示面板还包括衬底基板，所述第四导电层位于所述铝合金层背离所述衬底基板的一侧，所述第四导电层能够阻挡缓冲氧化物刻蚀液。
[0012]本公开一种示例性实施例中，所述第四导电层的材料为钼，所述第三导电层的材料为钛。
[0013]本公开一种示例性实施例中，所述铝合金层的厚度大于所述第一导电层、第二导电层的厚度；所述第一导电层的厚度大于所述第三导电层、第四导电层的厚度，所述第二导电层的厚度大于所述第三导电层、第四导电层的厚度。
[0014]本公开一种示例性实施例中，所述铝合金层的厚度为250纳米
‑
300纳米；所述第一导电层的厚度为70纳米
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100纳米，所述第二导电层的厚度为70纳米
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100纳米；所述第三导电层的厚度为25纳米
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35纳米，所述第四导电层的厚度为25纳米
‑
35纳米。
[0015]根据本公开的一个方面，提供一种显示面板，所述显示面板包括上述的导电结构层。
[0016]根据本公开的一个方面，提供一种显示面板制作方法，该制作方法包括：
[0017]提供一衬底基板；
[0018]在所述衬底基板上形成导电结构层，所述导电结构层包括依次形成于所述衬底基板上的钛层、第一氮化钛层、铝合金层、第二氮化钛层、钼层。
[0019]本公开一种示例性实施例中，所述制作方法还包括：
[0020]在所述导电结构层背离所述衬底基板一侧形成预设图案的光刻胶层；
[0021]以所述光刻胶层为掩膜，利用第一刻蚀材料对所述钼层进行刻蚀；
[0022]以所述光刻胶层为掩膜，利用第二刻蚀材料对所述第二氮化钛层、铝合金层、第一氮化钛层、钛层进行刻蚀。
[0023]本公开一种示例性实施例中，所述制作方法还包括：
[0024]在所述导电结构层背离所述衬底基板一侧形成预设图案的第一光刻胶层；
[0025]以所述第一光刻胶层为掩膜，利用第一刻蚀材料对所述钼层进行刻蚀；
[0026]在所述导电结构层背离所述衬底基板一侧形成第二光刻胶层，所述第二光刻胶层的图案与所述第一光刻胶层的图案相同，且所述第二光刻胶层覆盖刻蚀后的所述钼层；
[0027]以所述第二光刻胶层为掩膜，利用第二刻蚀材料对所述第二氮化钛层、铝合金层、第一氮化钛层、钛层进行刻蚀。
[0028]本公开一种示例性实施例中，所述第一刻蚀材料为氟剂刻蚀气体，第二刻蚀材料为氯剂刻蚀气体。
[0029]在本公开中，一方面，导电结构层的主要导电结构由铝合金层形成，铝合金层具有较小的方块电阻，可以降低导电结构层的整体方块电阻，此外，铝合金相较于金属铝具有较高的熔点，从而可以抑制导电结构层高温起包现象；另一方面，该导电结构层还包括有第一导电层、第二导电层，第一导电层和第二导电层分别位于铝合金层的两侧，且第一导电层和第二导电层材料的熔点大于铝合金层材料的熔点，从而第一导电层和第二导电层可以进一步抑制由于铝合金层高温熔化向两侧面起包现象。
[0030]应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本公开。
附图说明
[0031]此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本公开的实施例，并与说明书一起用于解释本公开的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据
这些附图获得其他的附图。
[0032]图1为本公开导电结构层一种示例性实施例的结构示意图；
[0033]图2为本公开显示面板一种示例性实施例的结构示意图；
[0034]图3为本公开导电结构层另一种示例性实施例的结构示意图；
[0035]图4
‑
6为本公开显示面板制作方法一种示例性实施例中的工艺流程图；
[0036]图7
‑
10为本公开显示面板制作方法一种示例性实施例中的工艺流程图。
具体实施方式
[0037]现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而，示例实施例能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的范例；相反，提供这些实施例使得本公开将更加全面和完整，并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。
[0038]用语“一个”、“一”、“所述”用以表示存在一个或多个要素/组成部分/ 等；用语“包括”和“具有”用以表示开放式的包括在内的意思并且是指除了列出的要素本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种导电结构层，其特征在于，包括：铝合金层；第一导电层，位于所述铝合金层的一侧；第二导电层，位于所述铝合金层背离所述第二导电层的一侧；其中，所述第一导电层材料和所述第二导电层材料的熔点大于所述铝合金层材料的熔点。2.根据权利要求1所述的导电结构层，其特征在于，所述第一导电层为氮化钛层、钼层、铌层中的任意一种，所述第二导电层为氮化钛层、钼层、铌层中的任意一种。3.根据权利要求1所述的导电结构层，其特征在于，所述铝合金层在厚度1厘米时的方块电阻为2.5
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4.5μΩ/sq。4.根据权利要求1所述的导电结构层，其特征在于，所述导电结构层用于显示面板的栅极层，所述显示面板包括氮化硅层，所述导电结构层的至少一侧面与所述氮化硅层接触连接；所述第一导电层和所述第二导电层的材料为氮化钛，所述导电结构层还包括：第三导电层，位于所述第二导电层背离所述铝合金层的一侧；第四导电层，位于所述第一导电层背离所述铝合金层的一侧；其中，所述第三导电层与氮化硅层在高温下的粘结力大于所述第二导电层与氮化硅层在高温下的粘结力，所述第四导电层与氮化硅层在高温下的粘结力大于所述第二导电层与氮化硅层在高温下的粘结力。5.根据权利要求4所述的导电结构层，其特征在于，所述显示面板还包括衬底基板，所述第四导电层位...

【专利技术属性】
技术研发人员：张健，魏小丹，李希萌，姜伟，冯攀，李晓东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：