【技术实现步骤摘要】
像素驱动电路、阵列基板及显示面板
[0001]本专利技术涉及显示
,尤其涉及一种像素驱动电路、阵列基板及显示面板。
技术介绍
[0002]图1为OLED显示面板常用的2T1C电路,Gate线控制开关晶体管T20打开,VDD和Data线通过驱动晶体管T10驱动有机发光二极管OLED发光,从而使像素充电。在像素充电结束后,Gate线的电位由高电平变为低电平时,开关晶体管T20由于存在寄生电容Cgs和Cgd,因此会拉低data线的电位,使驱动晶体管T10的栅极电位变低,进而导致OLED的亮度变暗,此为馈通效应;并且,由于Data线的电阻电容负载(RC loading)距离源极驱动芯片从近端到远端越来越大,因此近端像素到远端像素接收到的data信号会越来越小,使得Gate线的电位下降对近端像素到远端像素接收到的data信号产生的馈通效应也不同,导致近端像素到远端像素接收到的data信号的下降程度也不同,即,馈通效应会导致不同位置的像素亮度不均的问题比仅由于RC loading造成的更严重,使得显示面板的均一性较差。并且,Gat ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种像素驱动电路,用于驱动呈阵列分布的子像素单元,每个所述像素驱动电路包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管,其中,所述第一薄膜晶体管的栅极连接电源正极,所述第一薄膜晶体管的源极连接第二薄膜晶体管的漏极,所述第二薄膜晶体管的栅极连接栅极线,所述第二薄膜晶体管的源极连接数据线,其特征在于,第m行第n列子像素单元的像素驱动电路的第二薄膜晶体管的栅极与第m+1行第n列子像素单元的像素驱动电路的第一薄膜晶体管的栅极之间设有第一电容,m、n为正整数;其中,当所述第m+1行子像素单元的像素驱动电路连接的栅极线由第一电平转换为第三电平时,所述第m行子像素单元的像素驱动电路连接的栅极线由第三电平转换为第二电平,以使得所述第m+1行子像素单元的像素驱动电路连接的栅极线也由第三电平转换为第二电平;所述第一电平使所述第二薄膜晶体管打开,所述第二电平和所述第三电平使所述第二薄膜晶体管关闭,且所述第二电平处于所述第一电平和所述第三电平之间。2.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,若所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管,则所述第一电平、所述第二电平和所述第三电平依次降低。3.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,若所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管为P型薄膜晶体管,则所述第一电平、所述第二电平和所述第三电平依次升高。4.如权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,还包括第二电容,所述第二电容耦合于所述第一薄膜晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员:李广耀,陆炜,
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。