显示面板、其制造方法以及量子点薄膜技术

本申请提供一种显示面板、其制造方法以及量子点薄膜。显示面板包括量子点薄膜。量子点薄膜包括聚合物基质和分散于聚合物基质中的量子点、扩散粒子以及气泡。扩散粒子包括氧化硅扩散粒子和/或氮氧化硅扩散粒子。本申请的显示面板中采用的量子点薄膜中，扩散粒子和气泡自生产的方式形成，扩散粒子和气泡均匀分散在聚合物基质中，量子点薄膜的光效高，从而显示面板的光效提升。示面板的光效提升。示面板的光效提升。

【技术实现步骤摘要】
显示面板、其制造方法以及量子点薄膜


[0001]本申请涉及显示
，尤其涉及一种显示面板、其制造方法以及量子点薄膜。

技术介绍

[0002]量子点(Quantum Dots，QDs)是一种纳米级半导体材料，其具有量子荧光效应。量子点在电或者光的激发下可以发射不同色彩的荧光，量子点显示技术的色域可以达到NTSC色域的110％。量子点材料可以赋予显示器更宽广的色域，使得终端显示拥有更靓丽的色彩表现。
[0003]量子点在显示技术中的一种应用是量子点薄膜。为了提高量子点薄膜的光效，通常会在量子点薄膜中添加扩散粒子。但由于量子点墨水通常为有机材料，扩散粒子通常为无机材料，扩散纳米粒子在量子点墨水中的分散性较差，导致形成的量子点薄膜中的扩散粒子的分布不均匀，影响量子点薄膜的光效。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，本申请提供一种显示面板、其制造方法以及量子点薄膜，本申请的显示面板所使用的量子点薄膜中，扩散粒子分布均匀，光效高。
[0005]本申请提供一种显示面板，包括量子点薄膜，所述量子点薄膜包括聚合物基质和分散于所述聚合物基质中的量子点、扩散粒子以及气泡，其中，所述扩散粒子包括氧化硅扩散粒子和/或氮氧化硅扩散粒子。
[0006]可选的，在一种实施方式中，所述气泡包括氨气气泡。
[0007]可选的，在一种实施方式中，所述气泡还包括氢气气泡。
[0008]可选的，在一种实施方式中，所述量子点薄膜中还分散有全氢硅氮烷、有机硅氮烷、硅氮烷与硅氧烷的共聚或者共混物中的一种。
[0009]可选的，在一种实施方式中，所述扩散粒子和所述气泡均匀分散在所述聚合物基质中，所可选的，在一种实施方式中，所述显示面板为液晶显示面板，所述液晶显示面板包括量子点彩膜，所述量子点彩膜包括所述量子点薄膜。
[0010]本申请还提供一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括量子点薄膜，其包括以下步骤：
[0011]将聚合物单体、量子点、硅氮烷在溶剂中混合，得到量子点溶液；
[0012]将所述量子点溶液形成在基板上；
[0013]对所述量子点溶液进行加热和/或光照，使所述聚合物单体形成聚合物基质，所述硅氮烷分解形成扩散粒子和气泡，得到所述量子点薄膜。
[0014]可选的，在一种实施方式中，所述硅氮烷选自全氢硅氮烷、有机硅氮烷、硅氮烷与硅氧烷的共聚或者共混物中的一种。
[0015]可选的，在一种实施方式中，所述量子点表面还分散有配体，所述量子点溶液中各组分的配比为：
[0016]量子点，0.1wt％至50wt％；
[0017]配体，0.01wt％至50wt％；
[0018]硅氮烷，0.5wt％至50wt％；
[0019]聚合物单体，1wt％至90wt％；
[0020]溶剂，1wt％至90wt％。
[0021]本申请还提供一种量子点薄膜，所述量子点薄膜包括聚合物基质和分散于所述聚合物基质中的量子点、扩散粒子以及气泡，其中，所述扩散粒子包括氧化硅扩散粒子和/或氮氧化硅扩散粒子。
[0022]本申请的显示面板中采用的量子点薄膜中，扩散粒子和气泡自生产的方式形成，扩散粒子和气泡均匀分散在聚合物基质中，量子点薄膜的光效高，从而显示面板的光效提升。另外，本申请的显示面板的制造方法中，量子点薄膜通过原位反应分解生成，制程简单，成本低廉。
附图说明
[0023]为了更清楚地说明本申请中的技术方案，下面将对实施方式描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施方式，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0024]图1为本申请的一个实施例的显示面板的结构示意图。
[0025]图2为图1的显示面板中的量子点薄膜的结构示意图。
[0026]图3为本申请的显示面板的制造方法的流程图。
具体实施方式
[0027]下面将结合本申请实施方式中的附图，对本申请中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。
[0028]在本申请中，除非另有明确的规定和限定，第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接，也可以包括第一和第二特征不是直接连接而是通过它们之间的另外的特征接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个特征。
[0029]本申请实施例中的显示面板可以用于手机、平板电脑、电子阅读器、电子展示屏、笔记本电脑、手机、增强现实(augmented reality，AR)\虚拟现实(virtual reality，VR)设备、媒体播放器、可穿戴设备、数码相机、车载导航仪中等。
[0030]显示面板可以为有机发光二极管(Organic Light
‑
emitting Diode，OLED)显示面板、量子点发光二极管(Quantum Dot Light
‑
emitting Diode，QLED)显示面板、微发光二极
管(Micro Light
‑
emitting Diode，Micro
‑
LED)显示面板、次毫米发光二极管(Mini Light
‑
emitting Diode，Mini
‑
LED)显示面板或者液晶显示面板(Liquid Crystal Display，LCD)。
[0031]显示面板包括量子点薄膜。具体地，量子点薄膜在OLED显示面板、Micro
‑
LED显示面板、Mini
‑
LED显示面板以及LCD中可以是量子点彩膜。在QLED显示面板中可以是发光层。
[0032]以下，以LCD为例，对本申请的显示面板进行说明。
[0033]请参考图1，显示面板100包括阵列基板10、彩膜基板20以及液晶层30。阵列基板10与彩膜基板20相对设置。液晶层30设置于阵列基板10和彩膜基板20之间。彩膜基板20包括衬底21和设置于衬底21上的彩膜层22、量子点薄膜23以及黑矩阵24。每一彩膜层22与一个量子点薄膜23层叠设置在衬底21上，且对应于阵列基板10上的一个子像素。彩膜层22位于衬底21与量子点薄膜23之间。黑矩阵24设置于相邻的彩膜层22和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，包括量子点薄膜，其特征在于，所述量子点薄膜包括聚合物基质和分散于所述聚合物基质中的量子点、扩散粒子以及气泡，其中，所述扩散粒子包括氧化硅扩散粒子和/或氮氧化硅扩散粒子。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述气泡包括氨气气泡。3.如权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述气泡还包括氢气气泡。4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述量子点薄膜中还分散有全氢硅氮烷、有机硅氮烷、硅氮烷与硅氧烷的共聚或者共混物中的一种。5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述扩散粒子和所述气泡均匀分散在所述聚合物基质中，所述扩散粒子与所述气泡将相邻的所述量子点间隔开。6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述显示面板为液晶显示面板，所述液晶显示面板包括量子点彩膜，所述量子点彩膜包括所述量子点薄膜。7.一种显示面板的制造方法，所述显示面板包括量子点薄膜，其特征在于，包括以下步...

【专利技术属性】
技术研发人员：石志清，兰松，李林霜，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：