【技术实现步骤摘要】
Type
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C接口下拉控制电路及其供受电芯片与设备
[0001]本技术涉及充电连接线领域,特别涉及一种Type
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C接口下拉控制电路及包含控制电路的供受电设备。
技术介绍
[0002]在USB Type
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C规范中,供电方在Type
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C接口CC引脚上需要有上拉,该上拉可以是电阻Rp,如图1;也可以是电流Ip,如图2,目的是告知受电方自己的供电能力。参见表1,受电方在Type
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C接口CC引脚上需要有下拉电阻5.1kΩ。当受电方没有连接到Type
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C口时,供电方的CC引脚被上拉到电源电压,供电方通过检测该引脚可知没有受电方,供电方的VBUS引脚不供电。当受电方连接到Type
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C口时,供电方的CC引脚被下拉到一个固定电压,该电压可由Rp 和5.1kΩ分压得到,或由上拉电流乘以5.1kΩ得到,以额定80uA上拉电流计算,得到408mV,是一个远低于电源的电压,供电方通过检测该引脚可知有受电方连接,供电 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种Type
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C接口下拉控制电路,其特征在于,包括:第一电阻R1;第二电阻R2,其阻值不小于200kΩ;低阈值电压NMOS管N1,漏极通过第一电阻R1连接Type
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C接口的CC引脚,源极接地,栅极连接第一NMOS管N2漏极;设低阈值电压NMOS管N1导通电阻为R
nmos
,有0.9kΩ≤R
nmos
+R1≤5.7kΩ;第一NMOS管N2,漏极通过第二电阻R2连接Type
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C接口的CC引脚,源极接地,栅极连接第一信号。2.根据权利要求1所述的Type
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C接口下拉控制电路,其特征在于,还包括第二NMOS管N3,所述第二NMOS管N3的漏极连接低阈值电压NMOS管N1的漏极,源极接地,栅极连接第二信号。3.根据权利要求1或2所述的Type
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C接口下拉控制电路,其特征在于,低阈值电压NMOS管N1的阈值电压不高于400mV。4.根据权利要求1或2所述的Type
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C接口下拉控制电路,其特征在于,低阈值电压NMOS管N1是Native NM...
【专利技术属性】
技术研发人员:王春华,
申请(专利权)人:南京沁恒微电子股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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