【技术实现步骤摘要】
制备氟化物外延基底和控制钙钛矿结晶生长的方法
[0001]本专利技术属于钙钛矿发光器件制备
，尤其涉及利用同钙钛矿晶格高度匹配的氟化物外延基底控制钙钛矿发光层的结晶生长，从而提高LED器件性能的制备方法。
技术介绍
[0002]近年来，全无机钙钛矿由于其优异的电荷传输性能、高的色纯度和热稳定性以及溶液易加工性能而备受关注。然而，全无机钙钛矿CsPbI
x
Br3‑
x
薄膜的结晶过程难以控制导致形成不均匀的薄膜，并且，在晶界处存在大量的缺陷。这些严重阻碍了全无机钙钛矿CsPbI
x
Br3‑
x
用于发光器件的进一步发展。目前，现有报道是通过掺杂无机离子和添加有机配体来降低结晶温度和钝化表面缺陷。然而，大量配体或离子的引入会在晶界处诱导载流子势垒，降低载流子迁移率，导致器件的效率一直处于较低水平。
[0003]异质外延生长是制备低缺陷、高结晶质量半导体薄膜的最有效方法之一，已在光电领域得到了广泛的发展。通常，薄膜的生长结晶过程由外延衬底进行原子控制...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种通过溶液法制备氟化物外延基底的方法，所述方法包括：a)通过热注射法合成分散于非极性溶剂中的氟化物纳米颗粒：向钡盐或锶盐和一价油酸盐的二乙二醇溶液中，注入含有氟化铵的二乙二醇溶液，使其反应生成氟化物纳米颗粒；b)将步骤a)获得的氟化物纳米颗粒分散于非极性溶剂中，并将氢氟硼酸溶于极性溶剂中，再将两者混合，搅拌直至所述氟化物纳米颗粒由非极性溶剂分散至极性溶剂中；c)将上述分散至极性溶剂中的氟化物纳米颗粒旋涂到基底上，随后进行退火处理以制备出含有氟化物外延层的基底，即，氟化物外延基底。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述氟化铵：一价油酸盐：钡盐或锶盐之间的摩尔比为2～3∶2～3∶1。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述钡盐为选自八水合氢氧化钡、硝酸钡和硫酸钡中的二价金属盐。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述锶盐为选自硝酸钡、氢氧化锶和氯化锶中的二价金属盐。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述一价油酸盐选自油酸钾和油酸钠。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述步骤a)包括：溶有钡盐或锶盐和一价油酸盐的二乙二醇溶液温度为100℃～140℃，含有氟化铵的二乙二醇溶液均匀注入，并在反应结束后用冰水浴快速降温以避免颗粒长大，将所得的氟化物纳米颗粒在10000～12000转/分钟的转速下进行离心分离，用时3～10分钟，然后在90℃...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。