【技术实现步骤摘要】
一种透射电镜样品的制备方法
[0001]本专利技术涉及半导体制造及分析领域,尤其涉及一种透射电镜样品的制备方法。
技术介绍
[0002]目前随着半导体的技术飞速发展,芯片研发和失效分析需求量日益剧增,针对小制程芯片或失效点较小的芯片,通常会对样品进行切割,以减薄样品至较小厚度,即将样品制成能够用透射电子显微镜(Transmission Electron Microscope,TEM)观察的微小结构,从而对样品失效点进行分析。
[0003]现有的切割方法中,由于需要制备的样品表面的成份不同,导致对于不同成分的切割速度不一致,切割的效果也就不同,若较难切割的成分在前,较易切割的成分在后,则很容易产生拉痕,即产生窗帘效应。
技术实现思路
[0004]针对上述问题,本专利技术实施例提供了一种透射电镜样品的制备方法,以减少切割过程可能出现的拉痕,提升制样成功率。
[0005]本专利技术实施例提供的一种透射电镜样品的制备方法,包括:
[0006]固定样品至样品台的载网上;
[0007]沿旋 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种透射电镜样品的制备方法,其特征在于,包括:固定样品至样品台的载网上;沿旋转轴旋转所述样品台,所述旋转轴的延伸方向与所述样品的待减薄表面的法线方向平行;在所述样品台的旋转过程中,沿切割方向切割所述样品,所述切割方向与所述待减薄表面所在平面平行。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述固定样品至样品台的载网上,包括:固定样品至样品台的载网上,使所述切割方向与所述样品的待减薄表面所在平面平行。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述沿旋转轴旋转所述样品台包括:在预设角度范围内沿旋转轴旋转所述样品台;所述预设角度范围包括23
°
~53
°
。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,在所述样品台的旋转过程中,沿切割方向切割所述样品,包括:当所述样品台旋转至第一预设角度时,沿所述切割方向切割所述样品;当所述样品台旋转至第二预设角度时,沿所述切割方向切割所述样品,其中,所述第一预设角度和第二预设角度位于所述预设角度范围内,且以所述预设角度范围的中线为轴,所述第一预设角度与所述第二预设角度对称。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述样品台的旋转过程中,沿切割方向切割所述样品,包括:采用离子束切割工艺,沿所述切割方向对所述样品的待减薄表面进行切割。6.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,在所述样品台的旋转过程中,沿切割方向切割所述样品,包括:采用电子束成...
【专利技术属性】
技术研发人员:高强,郑朝晖,
申请(专利权)人:上海季丰电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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