太阳能电池背面结构及TBC背接触太阳能电池制造技术

本实用新型专利技术公开了一种太阳能电池背面结构，硅片的背面依次覆盖有第一隧穿氧化层和p+掺杂层，所述第一隧穿氧化层和p+掺杂层上局部开设有第一开槽，所述p+掺杂层远离所述第一隧穿氧化层的一侧以及第一隧穿氧化层和p+掺杂层靠近第一开槽的侧面上覆盖有第一氮化硅层；覆盖在所述p+掺杂层远离第一隧穿氧化层一侧的第一氮化硅层上具有第二开槽，所述第二开槽内具有第二隧穿氧化层；位于所述第一开槽内的相邻第一氮化硅层之间以及位于第二开槽内设置有n+掺杂层，并在所述n+掺杂层上设置第二氮化硅层，对应所述第二氮化硅层设置有银电极。本实用新型专利技术的太阳能电池背面结构，可以很好的降低银的金属穿刺，减小电池的金属复合。减小电池的金属复合。减小电池的金属复合。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池背面结构及TBC背接触太阳能电池


[0001]本技术属于光伏组件生产制造
，具体涉及一种太阳能电池背面结构以及包括了该太阳能电池背面结构的TBC背接触太阳能电池。

技术介绍

[0002]大力发展新能源材料是实现碳中和理念的关键，太阳能电池因其独特的优势成为新时代的选择。太阳能电池或称为光伏电池，可以将太阳能直接转换为电能，其原理在于半导体PN结的光生伏特效应。低成本高效率一直是太阳能电池工业化进程中持续的追求。开路电压、电流密度、填充因子是晶硅电池效率的关键参数。常规的背接触IBC结构电池，由于正面无任何栅线遮挡，具有较高的短路电流(>41mA/cm2)；钝化接触结构电池，良好的钝化效果以及很低的金属复合，具有较高的开路电压(>735mV)。
[0003]但是常规的背接触IBC结构电池以及钝化接触结构电池都具有各自的缺点，现有的电池结构中并没有出现结合背接触IBC结构电池和钝化接触结构电池的优点的产品。

技术实现思路

[0004]有鉴于此，为了达到上述目的，本技术的目的是提供一种太本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池背面结构，其特征在于，硅片的背面依次覆盖有第一隧穿氧化层和p+掺杂层，所述第一隧穿氧化层和p+掺杂层上局部开设有第一开槽，所述p+掺杂层远离所述第一隧穿氧化层的一侧以及第一隧穿氧化层和p+掺杂层靠近第一开槽的侧面上覆盖有第一氮化硅层；覆盖在所述p+掺杂层远离第一隧穿氧化层一侧的第一氮化硅层上具有第二开槽，所述第二开槽内具有第二隧穿氧化层；位于所述第一开槽内的相邻第一氮化硅层之间以及位于第二开槽内设置有n+掺杂层，并在所述n+掺杂层上设置第二氮化硅层，对应所述第二氮化硅层设置有银电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池背面结构，其特征在于：所述硅片背面对应n+掺杂层的区域具有第三隧穿氧化层。3.根据权利要求1所述的太阳能电池背面结构，其特征在于：对应所述第一开槽的n+掺杂层和对应所述第二开槽内的n+掺杂层之间具有第三开槽。4.根据权利要求1所述的太阳能电池背面结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁晓佳，赵福祥，费存勇，
申请(专利权)人：韩华新能源启东有限公司，
类型：新型
国别省市：