雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法技术

雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法，涉及建筑陶瓷技术领域；本发明专利技术的一种雪花晶体颗粒，原料包括以下质量份计的组分：钠长石2

【技术实现步骤摘要】
雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法


[0001]本专利技术涉及建筑陶瓷
，具体涉及雪花晶体颗粒及其制备方法和定位晶花抛釉砖的制备方法。

技术介绍

[0002]抛釉砖的砖面光滑亮洁，图案丰富，色彩厚重或绚丽，同时坚硬、耐磨、适合室内外大面积铺贴，因此深受消费者的喜爱。
[0003]目前，抛釉砖虽然具有丰富的图案，但是还没有应用能够结出雪花状晶体的抛釉砖，其主要原因是抛釉砖的制备工艺中为了提高产量，降低生产成本，采用辊道窑烧成，烧成时间短、烧成温度低，在这种条件下不能生成漂亮的雪花状晶体。
[0004]申请号为CN103497006A，名称为一种带有冰裂状的抛晶砖及其制造方法，采用冰花水晶制备抛晶砖，冰花水晶化学成分：三氧化硅79％
‑
85％；三氧化铝7％
‑
9％；氧化镁0.1％
‑
0.7％；氧化钙1.5％
‑
3％；三氧化钛0.01％
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0.1％；氧化钾0.1％
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1％；氧化钠5％
‑
7％；三氧化二铁0％
‑
0.2％，其制备的抛晶砖具有冰裂状，具有富有立体感，但是未能使冰花水晶的晶体充分析出，生成漂亮的雪花状晶体。

技术实现思路

[0005]为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种雪花晶体颗粒，容易析出雪花状晶体，晶体完整细致，富有立体感。
[0006]本专利技术的目的之二在于提供上述雪花晶体颗粒的制备方法，制备方法简单，生产成本低，成品率高。
[0007]本专利技术的目的之三在于提供一种定位晶花抛釉砖的制备方法，制备具有雪花状晶体的抛釉砖，制备工艺简单，可批量生产。
[0008]本专利技术的目的之一采用如下技术方案实现：
[0009]一种雪花晶体颗粒，原料包括以下质量份计的组分：钠长石2
‑
10份，石英20
‑
40份，氧化锌35
‑
45份，碳酸锂7
‑
20份，萤石5
‑
10份，碳酸钡0
‑
5份，二氧化钛2
‑
8份，烧滑石1
‑
5份。
[0010]进一步地，所述雪花晶体颗粒的化学成分包括：SiO
2 30
‑
60％，Al2O
3 0
‑
2％，K2O 0
‑
2％，Na2O 0
‑
2％，CaO 3
‑
12％，MgO 0
‑
1％，BaO 0
‑
2％，ZnO 30
‑
60％，F 1
‑
7％，Li2O 5
‑
15％，TiO
2 1
‑
9％。
[0011]本专利技术的目的之二采用如下技术方案实现：
[0012]一种雪花晶体颗粒的制备方法，包括以下步骤：将配方量的雪花晶体颗粒的原料混合均匀，熔融并保温后形成晶体熔块，熔融温度为1460
‑
1470℃，保温时间为25
‑
45min，然后将晶体熔块进行水淬，烘干，破碎，除铁，过筛，控制粒度在30
‑
60目，得到雪花晶体颗粒。
[0013]本专利技术的目的之三采用如下技术方案实现：
[0014]一种定位晶花抛釉砖的制备方法，应用所述的雪花晶体颗粒，包括以下步骤：
[0015]S1，取坯体粉料，压制成型，得到瓷质砖生坯，备用；
[0016]S2，在所述瓷质砖生坯上施加底釉后，喷墨印刷，得到印刷砖坯；
[0017]S3，在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，然后喷淋透明干粒，得到釉面砖坯；
[0018]S4，将所述釉面砖坯干燥后，烧成，烧成温度为1175
‑
1185℃，抛光打蜡，即得定位晶花抛釉砖。
[0019]进一步地，所述坯体粉料包括以下质量份计的组分：第一瓷砂6
‑
10份，第二瓷砂3
‑
7份，第三瓷砂4
‑
8份，第四瓷砂8
‑
12份，第一石粉20
‑
24份，第二石粉18
‑
22份，泥6
‑
10份，第一黏土5
‑
9份，第二黏土9
‑
13份，助熔剂2.5
‑
3.5份，助料1.5
‑
2.5份；
[0020]所述助料为三聚磷酸钠、五水偏硅酸钠和碳酸钠中的任一种或两种以上。
[0021]进一步地，所述坯体粉料的化学成分包括：SiO268
‑
73％，Al2O
3 18
‑
19％，Fe2O
30‑
1％，TiO
2 0
‑
0.3％，CaO0
‑
0.5％，MgO 0
‑
1.5％，K2O 2.5
‑
2.8％，Na2O 2.0
‑
2.5％，L.O.I(烧失量)0
‑
4.5％。
[0022]进一步地，所述底釉原料包括以下质量份计的组分：钠长石25
‑
40份，高岭土4
‑
8份，硅灰石20
‑
28份，氧化铝9
‑
11份，氧化锌3
‑
6份，煅烧白滑石3
‑
5份，碳酸钙4
‑
12份，煅烧高岭土3
‑
8份，硅酸锆5
‑
13份，高纯石英10
‑
20份。
[0023]进一步地，所述底釉原料的化学成分包括：SiO
2 46
‑
48％，Al2O320
‑
22％，Fe2O
30‑
0.5％，TiO
2 0
‑
0.5％，MgO1
‑
3％，K2O 0
‑
1％，CaO10
‑
12％，Na2O 4
‑
5％，ZnO6
‑
8％，L.O.I 0
‑
7％。
[0024]进一步地，所述透明干粒包括以下质量份计的组分：钾长石20
‑
40份、石英20
‑
40份、氧化锌8
‑
15份、白云石10
‑
20份、碳酸钡5
‑
10份、方解石10
‑
20份、氧化铝2
‑
8份；所述透明干粒的粒度为30
‑
60目。
[0025]进一步地，步骤S1中，具体操作为：取坯体粉料，加入适量的水后并球磨细碎成粒度为240
‑
260目的浆料，所述浆料的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种雪花晶体颗粒，其特征在于，原料包括以下质量份计的组分：钠长石2
‑
10份，石英20
‑
40份，氧化锌35
‑
45份，碳酸锂7
‑
20份，萤石5
‑
10份，碳酸钡0
‑
5份，二氧化钛2
‑
8份，烧滑石1
‑
5份。2.如权利要求1所述的雪花晶体颗粒，其特征在于，所述雪花晶体颗粒的化学成分包括：SiO
2 30
‑
60％，Al2O
3 0
‑
2％，K2O 0
‑
2％，Na2O 0
‑
2％，CaO 3
‑
12％，MgO 0
‑
1％，BaO 0
‑
2％，ZnO 30
‑
60％，F 1
‑
7％，Li2O 5
‑
15％，TiO
2 1
‑
9％。3.一种权利要求1或2所述的雪花晶体颗粒的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将配方量的雪花晶体颗粒的原料混合均匀，熔融并保温后形成晶体熔块，熔融温度为1460
‑
1470℃，保温时间为25
‑
45min，然后将晶体熔块进行水淬，烘干，破碎，除铁，过筛，控制粒度在30
‑
60目，得到雪花晶体颗粒。4.一种定位晶花抛釉砖的制备方法，应用权利要求1或2所述的雪花晶体颗粒，其特征在于，包括以下步骤：S1，取坯体粉料，压制成型，得到瓷质砖生坯，备用；S2，在所述瓷质砖生坯上施加底釉后，喷墨印刷，得到印刷砖坯；S3，在所述印刷砖坯上施加所述雪花晶体颗粒，然后喷淋透明干粒，得到釉面砖坯；S4，将所述釉面砖坯干燥后，烧成，烧成温度为1175
‑
1185℃，抛光打蜡，即得定位晶花抛釉砖。5.如权利要求4所述的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，其特征在于，所述坯体粉料包括以下质量份计的组分：第一瓷砂6
‑
10份，第二瓷砂3
‑
7份，第三瓷砂4
‑
8份，第四瓷砂8
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12份，第一石粉20
‑
24份，第二石粉18
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22份，泥6
‑
10份，第一黏土5
‑
9份，第二黏土9
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13份，助熔剂2.5
‑
3.5份，助料1.5
‑
2.5份；所述助料为三聚磷酸钠、五水偏硅酸钠和碳酸钠中的任一种或两种以上。6.如权利要求5所述的一种定位晶花抛釉砖的制备方法，其特征在于，所述坯体粉料的化学成分包括：SiO268
‑
73％，Al2O
3 18
‑
19％...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁桐灿，曾凡平，丁英美，梁耀龙，宋树刚，冯勇，刘海光，蔡三良，秦入强，余水林，刘鑫炉，
申请(专利权)人：广东宏威陶瓷实业有限公司广东宏宇新型材料有限公司广东宏海陶瓷实业发展有限公司，
类型：发明
国别省市：