一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池制造技术

本发明专利技术公开了一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在n型硅片背面依次设置的第一遂穿层、n型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；所述双面TOPCon光伏电池还包括在所述n型硅片正面依次设置的p型掺杂发射极层、第二遂穿层、p型CuAlO2层、第二钝化减反层以及正面电极。本发明专利技术的技术方案中，在双面n型TOPCon光伏电池的正面结构中采用p型CuAlO2层代替现有的重掺杂多晶硅层，p型CuAlO2层具有较大的禁带宽度(>3.5eV)，在可见光范围内具有更高的透过率，可以提高可见光的入射效率，从而有效提高光伏电池的电流输出能力。从而有效提高光伏电池的电流输出能力。从而有效提高光伏电池的电流输出能力。

【技术实现步骤摘要】
一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池


[0001]本专利技术涉及光伏电池
，具体涉及一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池。

技术介绍

[0002]晶体硅表面会产生界面态，界面态会影响少数载流子浓度从而降低电池的光电转化效率。双面TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)结构太阳电池可以避免上述问题。在现有的双面n型TOPCon结构太阳电池中，正面的重掺杂多晶硅层的场钝化作用可以显著降低晶硅表面少子复合速率，并且超薄的重掺杂多晶硅层可以保证多子的有效隧穿和显著提高多子的传导性能。然而，由于多晶硅的禁带宽度为1.1eV～1.7eV，因此相当一部分的入射可见光会被正面的多晶硅层吸收，电池的效率有待提高。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术提供了一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池，以解决如何提升双面n型TOPCon电池的效率的问题。
[0004]为了实现上述目的，本专利技术采用了如下的技术方案：
[0005]一种基于n型硅基底的双面TOPCo本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于n型硅基底的双面TOPCon光伏电池，包括在n型硅片背面依次设置的第一遂穿层、n型掺杂多晶硅层、第一钝化减反层以及背面电极；其特征在于，所述双面TOPCon光伏电池还包括在所述n型硅片正面依次设置的p型掺杂发射极层、第二遂穿层、p型CuAlO2层、第二钝化减反层以及正面电极。2.根据权利要求1所述的TOPCon光伏电池，其特征在于，所述p型CuAlO2层的厚度为5nm～200nm。3.根据权利要求1所述的TOPCon光伏电池，其特征在于，所述n型硅片的厚度为50μm～200μm，电阻率为0.1Ω
·
cm～10Ω
·
cm。4.根据权利要求1所述的TOPCon光伏电池，其特征在于，所述第一遂穿层和所述第二遂穿层的材料分别选自SiO2、Al2O3和SiC中的任意一种。5.根据权利要求4所述的TOPCon光伏电池，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋志成，马少华，郭永刚，刘大伟，倪玉凤，胡继超，乔大勇，
申请(专利权)人：西北工业大学青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司国家电投集团黄河上游水电开发有限责任公司青海黄河上游水电开发有限责任公司，
类型：发明
国别省市：