一种晶体快速倒角整边装置和方法制造方法及图纸

本申请公开了一种晶片快速倒角整边装置，所述晶片快速倒角整边装置包括水平挡板、垂直挡板和连接板；待处理晶片固定在所述水平挡板上；所述水平挡板的末端设有斜向上的第一倾斜部；所述水平挡板上还设有刻度尺；垂直挡板底部设有斜向上的第二倾斜部，第一倾斜部与第二倾斜部的倾斜角度相同；所述连接板将水平挡板和垂直挡板固定在一起，使第一倾斜部和第二倾斜部的斜面位于同一平面；待处理晶片上突出所述平面的部分即为倒角整边需去除的部分。述平面的部分即为倒角整边需去除的部分。述平面的部分即为倒角整边需去除的部分。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体快速倒角整边装置和方法


[0001]本专利技术涉及的是一种晶体快速倒角整边装置，属于晶体切割


技术介绍

[0002]磷酸二氢钾(KDP)、磷酸二氘钾(DKDP)晶体由于具有较高的激光损伤阈值，较大的电光和非线性光学系数，被广泛用于电光调制，光快速开关和激光变频等
随着惯性约束核聚变装置的快速发展，对于KDP/DKDP晶体的尺寸以及质量提出了更高的要求。
[0003]KDP/DKDP晶体在生长完成之后，需要按照装置的具体要求，将KDP/DKDP晶体切割成所需要的大小，随后再对晶片进行倒角整边。在以往的倒角整边过程中，采用纯手工的方式对晶片进行打磨，由于力度不一样，会造成晶片倒角大小的不一致，更严重的是，不规范的倒角整边，在晶片热退火的过程中容易造成晶片的粉化，从而造成晶片的损坏。

技术实现思路

[0004]本专利技术所设计的晶体快速倒角整边装置能保证晶片倒角的一致性，对晶片能进行快速的整边操作，减小倒角整边的误差，具有操作简单，制作成本低廉等优点，能有效提高晶片出厂效率。/>[0005]一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片快速倒角整边装置，其特征在于，所述晶片快速倒角整边装置包括水平挡板、垂直挡板和连接板；待处理晶片固定在所述水平挡板上；所述水平挡板的末端设有斜向上的第一倾斜部；所述水平挡板上设有刻度尺；垂直挡板底部设有斜向上的第二倾斜部，第一倾斜部与第二倾斜部的倾斜角度相同；所述连接板将水平挡板和垂直挡板固定在一起，所述水平挡板、垂直挡板中在所述连接板上的固定位置至少一个可调节；连接板上设有直线校准边，根据直线校准边调整水平挡板和垂直挡板的相对位置，使第一倾斜部和第二倾斜部的斜面位于同一平面；待处理晶片上突出所述平面的部分即为倒角整边需去除的部分。2.根据权利要求1所述的晶片快速倒角整边装置，其特征在于，所述连接板上设有长孔，水平挡板和垂直挡板上均设有与长孔配合的螺纹孔，水平挡板和垂直挡板通过螺钉固定在连接板上。3.根据权利要求1所述的晶片快速倒角整边装置，其特征在于，所述可移动连接板为矩形。4.根据权利要求1所述的晶片快速倒角整边装置，其特征在于，所述待处理晶片通过固定夹具固定在水平挡板上。5.根据权利要求1所述的晶片快速倒...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡子钰，郑国宗，李鹏飞，李静雯，
申请(专利权)人：中国科学院福建物质结构研究所，
类型：发明
国别省市：