本实用新型专利技术涉及废水处理技术领域，尤其涉及一种半导体封装废水处理装置，其主要包括：从开始对废水的收集到回用水的获取依次连通的废水箱、上澄水槽、第一中水回用装置、RO浓水槽、MVR蒸发装置、减压干燥装置、第二中水回用装置、中水回用槽；同时所述第二中水回用装置连通第一中水回用装置、MVR蒸发装置、减压干燥装置，对以上装置进行调控的控制系统；多级RO膜联合，满足大程度的产水回收率；通过MVR蒸发装置的设置，由蒸汽压缩机回收利用二次蒸汽的大量潜热，减少了新鲜蒸汽的使用量；通过减压干燥装置的设置，提高蒸馏效率同时降低能耗；整个装置，中水回用槽中的清水能够直接供生产线直接使用，更加有效降低生产线新鲜水的使用量。量。量。
【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装废水处理装置
[0001]本技术涉及废水处理
，尤其涉及一种半导体封装废水处理装置。
技术介绍
[0002]半导体封装：是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。其封装过程：对来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片，后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板架的小岛上，再利用超细的金属(金锡铜铝)导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板相应的引脚并构成所要求的电路，最后再对独立的晶片加以封装保护，塑封之后进行一系列操作，封装之后完成成品测试。
[0003]半导体封装废水主要来源于切割研磨环节产生的冲洗废水、半导体封装外壳电镀废水及半导体封装纯水再生过程产生的酸碱废水，包括：划片清洗水、磨片清洗水、酸雾喷淋塔用水、有机废水、中和废水、含锡有机清洗水、含铜废水、化学沉铜清洗水等；其主要污染因子为SS(Suspended Substance，水中固体悬浮物)、COD(Chemical Oxygen Demand，化学需氧量)、pH、重金属等。
[0004]目前我国对环境问题重视程度高，近年对电子电镀行业等高耗水行业的节水要求日益提高，根据行业或各地环保部门要求，重金属废水现多要求实现零排放，因此，对半导体封装废水的处理工艺方案尤为重要。
[0005]现有对半导体封装废水实现零排放得到回用清水时，一方面主要利用压力差、浓度差及电势差作为驱动力的膜浓缩技术，对废水中污染物质、溶解性盐逐步浓缩富集，具备一定的清水回收率，但对所处理废水的污染程度有特定要求，不可盲目对处理工艺多级串联，因此，对不同于特定要求的污染废水，存在产水回收率低的现象；另一方面结合蒸发釜、机械式蒸汽再压缩(MVR)及蒸汽热力再压缩(TVR)等加热方式的浓缩技术，其侧重于处理高TDS(Total Dissolved Solids，水中溶解组分的总量)及高COD的废水，存在能耗高不稳定的技术特点。
[0006]因此，本领域亟需一种半导体封装废水处理装置，以解决上述至少一个技术问题。
[0007]有鉴于此，提出本申请。
技术实现思路
[0008]本技术的目的在于提供一种半导体封装废水处理装置，以解决现有半导体封装废水的回用水回收率低及能耗高的技术问题。
[0009]具体地，本技术提供了一种半导体封装废水处理装置，包括：依次连通的废水箱、上澄水槽、第一中水回用装置、RO浓水槽、MVR蒸发装置、减压干燥装置、第二中水回用装置、中水回用槽；所述第二中水回用装置与第一中水回用装置、MVR蒸发装置、减压干燥装置相连通，所述RO浓水槽用于储存浓水；所述MVR蒸发装置用于蒸发废水。
[0010]采用上述技术方案，申请所提供的半导体封装废水处理装置从开始对半导体封装处理过程所产生的废水分类收集，分为含锡废水、含铜废水，由于含不同重金属所形成的废
液pH值存在差异，因此，分类收集，便于在预处理中有针对性的分别对含锡废水、含铜废水进行酸碱中和及混凝沉淀的预处理，使得充分处理；接着，对分类收集的含有不同重金属离子的废水进行酸碱中和混凝沉淀预处理箱，并分别经过酸碱中和混凝沉淀的预处理系统，调节其pH使得溶解在废水中的重金属离子部分反应以氢氧化物沉淀形式减少，利用混凝沉淀，减少废水中悬浮物、可溶性污染物、胶体物质、毒性较大的重金属离子等；对经过预处理的废水，在与废水箱相连通的上澄水槽得到出水；出水经过第一中水回用装置，能够初步过滤及吸附去除部分悬浮物、COD及进行浓缩处理；RO浓水槽与第一中水回用装置连通，对经过第一中水回用装置利用多级RO膜浓缩系统处理所得的浓水进行储存，淡水输入第二回用装置；MVR蒸发装置与RO浓水槽连通，MVR蒸发装置即为机械式蒸汽再压缩，回收利用二次蒸汽的大量潜热，减少新鲜蒸汽使用量，对来自RO浓水槽的浓水进一步高度浓缩，所得高度浓缩水输入减压干燥装置；高度浓缩时所产生的冷凝水输入至第二中水回用装置；减压干燥装置与MVR蒸发装置连通，将所得高度浓水进行干燥处理，对干燥过程所产生冷凝水输入第二中水回用装置，对其所得固形物委外处理，真正实现半导体封装废水的零排放处理过程，同时，采用减压干燥装置，利用蒸馏法，能够提高蒸馏效率、降低能耗；对第二中水回用装置所得混合水(包含上述描述淡水、冷凝水)，通过第二中水回用装置处理，同理利用RO膜系统，能够继续进一步处理，得到符合电镀生产线用水标准的淡水，多级RO膜系统设置，能够更大程度提高产水回收率；储存至中水回用槽；实现半导体封装废水高回收率及零排放处理过程；所述固形物即为废水中微生物、有机物、重金属离子的聚合物。
[0011]进一步地，所述半导体封装废水处理装置还包括酸碱中和混凝沉淀设备，所述废水箱包括含锡废水箱、含铜废水箱；所述含锡废水箱、含铜废水箱分别连通酸碱中和混凝沉淀设备；所述酸碱中和混凝沉淀设备连通上澄水槽。
[0012]通过上述技术方案，通过对半导体封装废水进行分类收集，分为含锡废水及含铜废水，并分别通过酸碱中和混凝沉淀设备进行预处理；所述上澄水槽与酸碱中和混凝沉淀连通，经预处理后的废水，进入上澄水槽。
[0013]优选地，所述酸碱中和混凝沉淀设备设为两个，分别连通含锡废水箱、含铜废水箱。
[0014]进一步地，所述第一中水回用装置包括依次连通的砂滤塔、活性炭塔、一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置、纳滤装置；所述砂滤塔与上澄水槽相连通；所述纳滤装置与RO浓水槽相连通。
[0015]采用上述技术方案，所述第一中水用装置的设置，对分别通过预处理进入上澄水槽的含锡废水、含铜废水，所述上澄水槽与砂滤塔连通，砂滤塔连通活性炭塔；半导体封装废水通过砂滤塔、活性炭塔，利用过滤及吸附除去部分悬浮物和COD；接着，经过一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置连通的废水，对待处理废水浓缩再浓缩；接着通过第一中水回用装置的纳滤装置，能够脱去水中浊度、色度、有机物及有毒有害物质；最后得到浓缩的废水。
[0016]进一步地，所述纳滤装置与一级RO浓缩装置连通，用于对经过纳滤装置处理所得的淡水循环至一级RO浓缩装置，能够满足对废水循环浓缩，提高废水回收。
[0017]采用上述技术方案，将在第一中水回用装置中依次经过一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置及纳滤装置的处理水，经过纳滤装置所得的浓水与淡水，浓水输入至与纳滤装置连通的RO浓水槽，淡水回循环再次输入一级RO浓缩装置，再进一步分别通过一级、二级RO浓
缩装置及纳滤装置，更进一步提高浓缩的充分性。
[0018]进一步地，所述第二中水回用装置包括三级RO浓缩装置，所述三级RO浓缩装置与一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置连通，能够用于对一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置处理中所得淡水收纳及最终的回用水提取处理。
[0019]采用上述技术方案，通过上述设定，能够将一级RO浓缩装置、二级RO浓缩装置在浓缩过程产生的淡水分别输送至三级RO浓缩装置，保证浓缩的充分性。
[0020]进一步地，所述MVR蒸发装置本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装废水处理装置，其特征在于，包括：依次连通的废水箱(1)、上澄水槽(2)、第一中水回用装置(3)、RO浓水槽(4)、MVR蒸发装置(5)、减压干燥装置(6)、第二中水回用装置(7)、中水回用槽(8)；所述第二中水回用装置(7)与第一中水回用装置(3)、MVR蒸发装置(5)、减压干燥装置(6)相连通；所述RO浓水槽(4)用于储存浓水；所述MVR蒸发器能够用于蒸发废水。2.根据权利要求1所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：还包括酸碱中和混凝沉淀设备(9)，所述废水箱(1)包括含铜废水箱(11)、含锡废水箱(12)；所述含铜废水箱(11)、含锡废水箱(12)分别连通酸碱中和混凝沉淀设备(9)；所述酸碱中和混凝沉淀设备(9)连通上澄水槽(2)。3.根据权利要求2所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：所述第一中水回用装置(3)包括依次连通的砂滤塔(31)、活性炭塔(32)、一级RO浓缩装置(33)、二级RO浓缩装置(34)、纳滤装置(35)；所述砂滤塔(31)与上澄水槽(2)相连通；所述纳滤装置(35)与RO浓水槽(4)相连通。4.根据权利要求3所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：所述纳滤装置(35)与一级RO浓缩装置(33)连通，用于对经过纳滤装置(35)处理所得的淡水循环至一级RO浓缩装置(33)，能够满足对废水循环浓缩，提高废水回收。5.根据权利要求4所述的半导体封装废水处理装置，其特征在于：所述第二中水回用装置(7)包括三级RO浓缩装置(71)，所述三级RO浓缩装置(71)与一级RO浓缩装置(33)、二级RO浓缩装置(34)连通，能够用于对一级RO浓缩装置(33)、二级RO浓缩装置(34)处理中所得淡水收纳及最终的回用水...
【专利技术属性】
技术研发人员：马晓东，许继东，陈凯，汤璐琳，吴琼，李平元，刘永会，赵风云，苟晓东，马莹，
申请(专利权)人：北京市工业设计研究院有限公司，
类型：新型
国别省市：
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