CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置制造方法及图纸

技术编号:33435816 阅读:13 留言:0更新日期:2022-05-19 00:24
本公开一个或多个实施例提供一种CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置,其中,测试方法包括:将所述图像传感器与测试平台连接;通过所述测试平台上定义所述图像传感器的管脚参数、电平参数以及时序参数,并为所述参数赋值;建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量;建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试。根据编写的测试向量可以给被测管脚施加合适的电平、电源电压以及负载电流,有效实现对CMOS图像传感器的测试,并且此测试方法通用性强,适于实用,填补了对此类器件电参数测试上的空白,提高了测试覆盖率。率。率。

【技术实现步骤摘要】
CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置


[0001]本公开一个或多个实施例涉及传感器测试
,尤其涉及一种CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置。

技术介绍

[0002]CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor即互补金属氧化物半导体,简称CMOS)图像传感器具有体积小、功耗低等优势,广泛应用于工业视觉、科学研究、航天军事及医疗仪器相关领域。随着背照式和堆栈式技术等新型CMOS图像传感器技术的进步,以及双摄像头、3D摄像头陆续出现并成为智能手机的新卖点。再加上汽车、无人机、VR以及AR技术等新兴市场的推动,CMOS图像传感器正迎来新一轮的产业成长高峰。众所周知,元器件在进行实际应用之前均要进行质量测试,只有在测试结果符合要求才可以上市销售,进而在实际中应用,而CMOS图像传感器的电参数又是衡量图像传感器的重要指标。因此,对CMOS图像传感器电参数的测试保证图像传感器的高可用性就显得尤为重要。
[0003]然而,现有的CMOS图像传感器测试中存在测试不准确,测试覆盖率低的问题。因此,需要提出一种有效的电参数测试方法来保证测试的质量。

技术实现思路

[0004]有鉴于此,本公开一个或多个实施例的目的在于提出一种CMOS图像传感器电参数测试方法及测试装置,以解决测试不准确,测试覆盖率低的问题。
[0005]基于上述目的,本公开一个或多个实施例提供了一种CMOS图像传感器电参数测试方法,包括:
[0006]将所述图像传感器与测试平台连接;
[0007]通过所述测试平台上定义所述图像传感器的管脚参数、电平参数以及时序参数,并为所述参数赋值;
[0008]建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量;
[0009]建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试。
[0010]可选的,所述将所述图像传感器与测试平台连接,包括:
[0011]将所述图像传感器的电源信号管脚、输入信号管脚、输出信号管脚与所述测试平台连接。
[0012]可选的,所述通过所述测试平台设置所述被测器件的管脚参数,包括:
[0013]设置除电源管脚外的所有管脚参数。
[0014]可选的,所述电平参数,包括:
[0015]电源电平和输入脉冲电平。
[0016]可选的,所述时序参数,包括:
[0017]访问时间、采样时刻以及测试周期。
[0018]可选的,所述建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量,包括:
[0019]所述第一测试向量为SPI向量;
[0020]所述第二测试向量为Standby向量。
[0021]可选的,所述建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试,包括:
[0022]定义电源电压类型;
[0023]根据所述电源电压类型对所述图像传感器进行输入高电平电压和输入低电平电压、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高漏电流和输入低漏电流以及静态电源电流的测试。
[0024]可选的,所述电源电压的类型包括:典型电源电压、最小电源电压以及最大电源电压;
[0025]所述根据所述电源电压的类型对所述图像传感器进行输入高电平电压和输入低电平电压、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高漏电流和输入低漏电流以及静态电源电流的测试,包括:
[0026]确定所述电源电压的类型,设置测试周期、管脚电平以及测试向量的类型;
[0027]根据所述电源电压的类型、所述测试周期、所述管脚电平以及所述测试向量的类型对所述图像传感器进行输入高电平电压和输入低电平电压、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高漏电流和输入低漏电流以及静态电源电流的测试。
[0028]可选的,测试方法包括:
[0029]所述输入高电平电压和输入低电平电压的测试方法为ac_tml.AcTest.FunctionalTest;
[0030]所述输出高电平电压和输出低电平电压的测试方法为dc_tml.DcTest.OutputDC;
[0031]所述输入高漏电流和输入低漏电流的测试方法为dc_tml.DcTest.Leakage;
[0032]所述静态电源电流的测试方法为dc_tml.DcTest.OperatingCurrent。
[0033]基于同一专利技术构思,本公开一个或多个实施例还提供了一种CMOS图像传感器电参数测试装置,其中,包括:
[0034]连接模块,被配置为将所述图像传感器与测试平台连接;
[0035]赋值模块,被配置为通过所述测试平台上定义所述图像传感器的管脚参数、电平参数以及时序参数,并为所述参数赋值;
[0036]定义模块,被配置为建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量;
[0037]测试模块,被配置为建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试。
[0038]从上面所述可以看出,本公开一个或多个实施例提供了CMOS图像传感器电参数测试方法及装置。根据编写的测试向量可以给被测管脚施加合适的电平、电源电压以及负载电流,有效实现对CMOS图像传感器的测试,并且此测试方法通用性强,适于实用,填补了对此类器件电参数测试上的空白,提高了测试覆盖率。
附图说明
[0039]为了更清楚地说明本公开一个或多个实施例或现有技术中的技术方案,下面将对
实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本公开一个或多个实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0040]图1为本公开一个或多个实施例中CMOS图像传感器电参数测试方法流程图;
[0041]图2为本公开一个或多个实施例中CMOS图像传感器电参数测试装置示意图。
具体实施方式
[0042]为使本公开的目的、技术方案和优点更加清楚明白,以下结合具体实施例,并参照附图,对本公开进一步详细说明。
[0043]需要说明的是,除非另外定义,本公开一个或多个实施例使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开一个或多个实施例中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。
[0044]图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。与光敏二极管,光敏三极管等本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器电参数测试方法,其中,包括:将所述图像传感器与测试平台连接;通过所述测试平台上定义所述图像传感器的管脚参数、电平参数以及时序参数,并为所述参数赋值;建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量;建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试。2.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述将所述图像传感器与测试平台连接,包括:将所述图像传感器的电源信号管脚、输入信号管脚、输出信号管脚与所述测试平台连接。3.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述通过所述测试平台设置所述被测器件的管脚参数,包括:设置除电源管脚外的所有管脚参数。4.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述电平参数,包括:电源电平和输入脉冲电平。5.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述时序参数,包括:访问时间、采样时刻以及测试周期。6.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述建立串行模式的第一测试向量和待机模式的第二测试向量,包括:所述第一测试向量为SPI向量;所述第二测试向量为Standby向量。7.根据权利要求1所述的测试方法,其中,所述建立测试流程,根据所述第一测试向量和所述第二测试向量对所述图像传感器的电参数进行测试,包括:定义电源电压类型;根据所述电源电压类型对所述图像传感器进行输入高电平电压和输入低电平电压、输出高电平电压和输出低电平电压、输入高漏电流和输入低漏电流以及静态电源电流的测试。8.根据权利要求7所述的测试方法,其中,所述电源电压的类型包括...

【专利技术属性】
技术研发人员:张晓羽
申请(专利权)人:航天科工防御技术研究试验中心
类型:发明
国别省市:

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