一种基于人工智能算法的NANDFlash存储磨损平衡管理方法技术

本发明专利技术属于NAND Flash存储领域，具体的说是一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法，所述NAND Flash存储磨损平衡管管理方法包括以下步骤：S1：确保FLASH是全新状态，每擦写BLOCK一次时，会在该区域打上一个使用标记；S2：随着时间的推移，FLASH使用的增加BLOCK出现擦写不均，有的区域擦写次数多，FLASH磨损严重，有的区域擦写次数少，FLASH磨损轻微；S3：引入对应的管理机制，该管理机制包括GPIQ、NPU单元、PCLE控制单元和NVME控制单元，所述NPU单元通过DDR PHY与存储单元数据双向连接；实现了在控制器中增加NPU单元，动态维护一个该SSD每个BLOCK的实时写入次数信息，避免传统计数方式带来的延迟和写寿命快速耗尽；从而达到使SSD更加合理、高效的使用。高效的使用。高效的使用。

【技术实现步骤摘要】
一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法


[0001]本专利技术涉及NAND Flash存储领域，具体是一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法。

技术介绍

[0002]Nand flash存储器是flash存储器的一种，Nand flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用。
[0003]随着NAND FLASH工艺线宽的减小，虽然NAND FLASH颗粒容量越来越大，但是NAND FLASH DPDW(每天全盘写满一次)越来越小，由SLC的300000次减小到QLC 200
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500次，再加上NAND FLASH写特性带来的写放大，导致SSD存储写寿命容易快速耗尽，因此需要设计一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法来解决这一问题。

技术实现思路

[0004]为了弥补现有技术SSD存储写寿命容易快速耗尽的问题，本专利技术提出一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法，其特征在于：所述NAND Flash存储磨损平衡管管理方法包括以下步骤：S1：确保FLASH是全新状态，每擦写BLOCK一次时，会在该区域打上一个使用标记；S2：随着时间的推移，FLASH使用的增加BLOCK出现擦写不均，有的区域擦写次数多，FLASH磨损严重，有的区域擦写次数少，FLASH磨损轻微；S3：引入对应的管理机制，该管理机制包括GPIQ、NPU单元、PCLE控制单元和NVME控制单元，所述NPU单元通过DDR PHY与存储单元数据双向连接，所述PCle控制单元与NVME控制单元数据双向连接，所述NVME控制单元通过Toggle PHY与FLASH数据双向连接；S4：管理机制对擦写磨损数据进行记录，对BLOCK读写的时间、原始BLOCK坏块标记等综合计算；S5：得出结论，实现最优的擦写平衡，最终使FLASH有最大的擦写量和最长的使用寿命。2.根据权利要求1所述的一种基于人工智能算法的NAND Flash存储磨损平衡管理方法，其特征在于：在步骤所述S3中，所述GPIQ与Device FW数据双向连接，所述PCle控制单元与PCle数据双向连接。3.根据权利要求2所述的一种基于人工智能算法的NAND...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏莹莹，李元章，
申请(专利权)人：苏州宏存芯捷科技有限公司，
类型：发明
国别省市：