【技术实现步骤摘要】
一种复用开关的熔丝熔断方法及其电路
[0001]本专利技术涉及电子领域,具体但不限于涉及一种复用供电开关的熔丝熔断方法及其电路。
技术介绍
[0002]熔丝熔断技术(Fuse Trimming)是通过外加电压使得电路中的连线(一般为多晶硅熔丝)在大电流通过时被烧断,从而改变电路状态的一种方法。它被广泛的运用于集成电路中,常用于在出厂前提高电路精度,改变频率、电路功能等参数设置,以达到改变电路特性,提高生产良率的目的。
[0003]熔丝熔断电路一般是低压(如5伏特)电路,熔断熔丝一般需要几十或上百毫安、持续几十微妙的电流。通常的做法是采用一个尺寸较大的开关管连接熔断电路和输入管脚,来为熔断电路提供熔断电流。一般输入管脚为电压较高的管脚,需要较大尺寸的开关管。这增加了系统成本和体积。
[0004]如果从芯片的内部电源(通常为低压)获得这个电流,那么就要求这个电源至少需要有几十毫安的电流提供能力,而一般电源芯片的内部电源不具备这样的电流提供能力。
[0005]有鉴于此,需要提供一种新的结构或控制方法,以期解 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于熔丝熔断的电路,包括:开关,具有第一端、第二端和控制端,其中开关的第一端用于接收输入电压,开关的第二端耦接供电电压端,供电电压端耦接内部电路以及熔丝熔断电路;开关控制电路,接收熔断信号,当熔断信号为第一状态时,开关控制电路控制开关的控制端电压为第一电压,开关具有第一导通状态,用于为内部电路提供供电电源;当熔断信号为第二状态时,开关控制电路控制开关的控制端电压为第二电压,开关具有第二导通状态,用于为熔丝熔断电路提供熔断电流。2.如权利开关1所述的电路,其中开关包括N型MOSFET(金属氧化物半导体场效应管),开关的漏极接收输入电压,开关的源极耦接内部电路和熔丝熔断电路。3.如权利开关1所述的电路,其中第一状态为低电平信号,第二状态为高电平状态。4.如权利要求1所述的电路,其中第一电压小于第二电压,第一电压控制下开关的导通电阻高于第二电压控制下开关的导通电阻。5.如权利要求1
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4任一项所述的电路,其中开关控制电路包括:第一控制开关,控制端受熔断信号控制,第一控制开关的第一端接地;第二控制开关,控制端受熔断信号控制,第二控制开关的第一端耦接供电电压端;稳压管,稳压管的阳极耦接第一控制开关的第二端和第二控制开关的第二端,稳压管的阴极耦接开关的控制端和电流源的输出端;当熔断信号为第一状态时,第一控制开关导通,第二控制开关关断,稳压管的阳极接地,开关的控制端电压受稳压管的电压钳制,开关处于第一导通状态;当熔断信号为第二状态时,第二控制开关导通,第一控制开关关断,稳压管的阳极耦接供电电压端用于将开关的控制端电压抬升,开关处于第二导通状态使导通电阻降低,用于为熔丝熔断电路提供熔断电流。6.如权利要求5所述的电路,其中电流源包括:电荷泵,输...
【专利技术属性】
技术研发人员:谭润钦,阮剑聪,陈彪,殷一文,
申请(专利权)人:深圳市单源半导体有限公司,
类型:发明
国别省市:
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