复合材料及其制备方法、发光二极管技术

本申请涉及显示技术领域，提供了一种复合材料及其制备方法和发光二极管。本申请提供的复合材料的制备方法包括：将金属氧化物颗粒、金属阳离子前驱体和有机配体分散在溶剂中，进行反应，以在金属氧化物颗粒的表面形成包覆表面的金属基配位聚合物层，获得中间产物；将中间产物进行处理，以使得金属基配位聚合物层形成包覆层，获得复合材料，其中，包覆层是与金属基配位聚合物层中的金属基对应的金属氧化物层。如此，以形成表面包覆有金属氧化物层的金属氧化物颗粒，以提高发光器件的发光效率。以提高发光器件的发光效率。以提高发光器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
复合材料及其制备方法、发光二极管


[0001]本申请属于显示
，尤其涉及一种复合材料及其制备方法，以及一种发光二极管。

技术介绍

[0002]量子点(quantum dot，QD)，是一类典型的纳米材料，其半径通常小于或接近于激子波尔半径，表现出显著的量子限域效应，具有独特的光学性能，如：发光光谱受材料自身随尺寸和组份连续可调、半峰宽窄、荧光效率高、长寿命、优良的单分散性和光热稳定性强等。这些独特的性能使其广泛应用在显示、照明、生物标记和太阳能电池等领域。
[0003]量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diode，QLED)的发光效率和寿命长短取决于各功能膜层的性能。由ZnO纳米颗粒制备的电子传输层(ETL)具有较高的电子迁移率，常作为QLED的ETL，然而，对于采用低温溶液法制备的ZnO纳米颗粒，不仅具有结晶性差的缺点，导致材料稳定性差，而且颗粒表面存在较多的悬挂键以及表面缺陷态，对QLED器件的发光效率和使用寿命都产生了非常不利的影响。

技术实现思路

[0004]本申请的目本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种复合材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将金属氧化物颗粒、金属阳离子前驱体和有机配体分散在溶剂中，进行反应，以在所述金属氧化物颗粒的表面形成包覆所述表面的金属基配位聚合物层，获得中间产物；将所述中间产物进行处理，以使得所述金属基配位聚合物层形成包覆层，获得所述复合材料，其中，所述包覆层是与所述金属基配位聚合物层中的金属基对应的金属氧化物层。2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，与所述金属基配位聚合物层中的金属基对应的金属氧化物的带隙大于所述金属氧化物颗粒中的金属氧化物的带隙，或者，与所述金属基配位聚合物层中的金属基对应的金属氧化物是绝缘的。3.如权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物颗粒的材料包括ZnO、SnO2、ZrO2、AlZnO、ZnSnO中的至少一种；和/或所述金属阳离子前驱体包括Mg源、Al源、Sn源和Zr源中的至少一种。4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物颗粒的材料为ZnO，所述金属阳离子前驱体选为Sn源、Zr源、Mg源或Zn源和Sn源的混合物；或所述金属氧化物颗粒的材料为SnO2，所述金属阳离子前驱体选为Zr源或Mg源；或所述金属氧化物颗粒的材料为ZrO2，所述金属阳离子前驱体为Mg源；或所述金属氧化物颗粒的材料为AlZnO，所述金属阳离子前驱体为Al源；或所述金属氧化物颗粒的材料为ZnSnO，所述金属阳离子前驱体为Sn源、Zr源或Mg源。5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，进行反应的步骤中，在150℃-300℃、0.1-5MPa的环境下反应5分钟至24小时；和/或将所述中间产物进行处理的步骤包括：将所述中间产物在500℃-800℃下进行煅烧处理。6.如权利要求1至5任一项所述的制备方法，其特征在于，所述有机配体选为芳香族羧酸；和/或所述金属阳离子前驱体中的金属阳离子和所述有机配体的摩尔比为1:(2-6)；和/或所述金属阳离子前驱体中的金属阳离子和所...

【专利技术属性】
技术研发人员：聂志文，张旋宇，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：