【技术实现步骤摘要】
键合强度检测装置以及检测平台
[0001]本技术涉及半导体集成电路制造
,尤其涉及一种键合强度检测装置以及检测平台。
技术介绍
[0002]随着世界范围内半导体产业的迅猛发展,在严峻的国际大环境下中国的半导体产业发展也受到了很大影响。在这种形势下,各个国家都对超大规模电路的集成度和性能需求提出了更高要求,伴随着芯片功能逐步增强,集成度逐渐提高的趋势,便促使制作工艺中各环节的技术要求不断提高、制造工艺水平不断提高。
[0003]经历了多年的发展,芯片中晶体管的集成度逐渐逐渐达到上限,因此出现了三维(three dimensional,简称“3D”)集成电路(Integrated Circuit,简称“IC”)技术。三维集成电路被定义为一种系统集成结构,其通过晶圆键合工艺(Wafer Bonding Technology)实现多个芯片之间的垂直互连,增大了芯片的空间,提高了晶体管的集成度,同时还能够提高集成电路的工作速度,降低集成电路的功耗。
[0004]晶圆键合工艺是指通过化学和物理作用将两块已镜面抛光的 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种键合强度检测装置,其特征在于,包括:底板,其用于支撑晶圆托架;所述晶圆托架,其用于支撑卡盘;所述卡盘,其用于固定晶圆检测样品;以及,调平模块,其用于使所述卡盘的底面与所述底板平行,其包括固定在所述晶圆托架上的调平顶丝和用于检测卡盘的底面与底板之间距离的距离传感器。2.根据权利要求1所述的键合强度检测装置,其特征在于,所述调平顶丝的数量与所述晶圆托架的数量一一对应;所述调平顶丝能够调节其所对应的晶圆托架的高度。3.根据权利要求1所述的键合强度检测装置,其特征在于,所述距离传感器有多个,多个所述距离传感器沿周向均匀分布。4.根据权利要求1至3中任一项所述的键合强度检测装置,其特征在于,所述卡盘上设置有晶圆限位块,所述晶圆限位块朝向所述晶圆检测样品的一侧的顶部开设有引导斜面。5.根据权利要求1至3中任一项所述的键合强度检测装置,其特征在于,还包括插刀组件,所述插刀组件包括:刀片升降模块,其用于调整刀片的高度使得刀片的高度与晶圆界面平齐;刀片进给模块,其包括电机、运动滑块和刀片限位组件,所述运动滑块连接所述电机和所述刀片的刀架,所述电机能够通过所述运动滑块带动所述刀片做水平进给运动,所述刀片限位组件使...
【专利技术属性】
技术研发人员:张豹,邢浩,陶绪,
申请(专利权)人:北京华卓精科科技股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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